技術(shù)編號(hào)：9689106
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在芯片的制作過程中，通常需要在導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上沉積介質(zhì)層，然后刻蝕介質(zhì)層至暴露出所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以在介質(zhì)層中形成通孔，最后在通孔中填充金屬材料以連接導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。其中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以為柵極或與柵極電連接的互連金屬層。然而，形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以及刻蝕介質(zhì)層的的過程中會(huì)產(chǎn)生殘留電荷，這些殘留電荷會(huì)累積在通孔中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面上，且殘留電荷最終會(huì)傳導(dǎo)至柵極上，從而在柵極下方的柵氧化層中形成漏電流。當(dāng)積累的電荷超過一定數(shù)量時(shí)，這種漏電流會(huì)損傷柵氧化層，從而使芯片的可靠性嚴(yán)重降低。為了解決...
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