技術(shù)編號：9689139
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。傳統(tǒng)晶體管的源漏區(qū)域，其電極一般采用半導(dǎo)體和金屬電極之間直接接觸，接觸電阻很大，形成的肖特基勢壘很高，從而影響了器件的性能。因此，人們不停地尋找一種能夠降低電極接觸電阻的方法，其中，一種效果良好的結(jié)構(gòu)基本完全取代了半導(dǎo)體和金屬電極直接接觸的技術(shù)，這種效果良好的結(jié)構(gòu)是采用金屬和半導(dǎo)體材料，例如，Si材料，反應(yīng)生成金屬硅化物來作為接觸材料，從而可以大幅度降低接觸電阻和肖特基勢壘，并得到了廣泛的應(yīng)用。但是，金屬和半導(dǎo)體材料直接反應(yīng)生成金屬/半導(dǎo)體接觸材料，其反應(yīng)...
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