技術(shù)編號(hào):9689269
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在半導(dǎo)體器件的制作過(guò)程中,需要在襯底中定義有源區(qū)的位置,然后在有源區(qū)中形成晶體管等有源器件。當(dāng)有源器件處于工作狀態(tài)時(shí),有源區(qū)中會(huì)形成導(dǎo)電溝道,且隨著導(dǎo)電溝道長(zhǎng)度的減小或?qū)щ姕系缹挾鹊脑黾樱性雌骷墓ぷ麟娏鲿?huì)隨之增加。目前,通常采用淺溝槽隔離技術(shù)(Shallow Trench Isolat1n,STI)定義有源區(qū)的位置,即在襯底中形成溝槽隔離結(jié)構(gòu),并將相鄰溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間的襯底作為有源區(qū)。在圖1至圖4中示出了現(xiàn)有技術(shù)中形成有源區(qū)的方法。該方法包括以下步驟首...
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