技術(shù)編號：9689279
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及。背景技術(shù)隨著集成電路制造技術(shù)的不斷發(fā)展，晶體管的特征尺寸也越來越小，在晶體管特征尺寸不斷縮小情況下，為了提高晶體管的源極和漏極的電子遷移速率，材料為鍺的有源區(qū)被引入到P型晶體管和N型晶體管中。隨著晶體管的特征尺寸進一步減小，材料為三五族元素的有源區(qū)被引入到N型晶體管來代替材料為鍺的有源區(qū)。圖1?圖4是現(xiàn)有技術(shù)中的一種的剖面結(jié)構(gòu)流程示意圖。參考圖1?圖4，具體形成過程如下參考圖1，提供半導(dǎo)體襯底100，半導(dǎo)體襯底100包括NM...
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