技術編號：9689366
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體，特別涉及一種。背景技術隨著半導體技術的不斷發(fā)展，半導體器件的尺寸逐漸縮小，使得體硅半導體襯底上形成的晶體管以及CMOS晶體管出現(xiàn)較多的缺陷，例如短溝道效應、穿通效應、柵極控制能力減弱等。為了改善體硅半導體襯底上形成的半導體器件的性能，更多的器件結構受到重視，例如全耗盡的絕緣層上硅器件、鰭式場效應晶體管(FinFET)、全包圍柵納米線器件以及歐米爺柵極(Omega gate)器件等。鰭式場效應晶體管作為一種多柵器件，具有較高的柵極控制能力。...
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