技術(shù)編號(hào):9690475
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及電力電子,特別涉及一種三聯(lián)對(duì)稱三電平IGCT (IntegratedGate Commutated Thyrisitor,集成門極換流晶閘管)相模塊。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件的迅速發(fā)展,以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(Power M0SFET)、集成門極換流晶閘管(IGCT)為代表的大功率全控器件得到急速發(fā)展。集成門極換流晶閘管(IGCT)是一種高效率、可靠性高的電力半導(dǎo)體器件,它由門極關(guān)斷晶閘管(GT0,Gate T...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。