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技術(shù)編號(hào)：9693370

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氮化鎵半導(dǎo)體裝置由于它們?cè)诟哳l切換以攜帶大電流并支持高電壓的能力而越來(lái)越被需要。這些裝置的發(fā)展已被普遍地用在高功率/高頻應(yīng)用。制造用于這些類(lèi)型應(yīng)用的裝置是基于顯現(xiàn)高電子移動(dòng)性且被不同地稱(chēng)為異質(zhì)接面場(chǎng)效應(yīng)晶體管(HFET)、高速電子移動(dòng)性晶體管(HEMT)、或調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(M0DFET)的一般性裝置結(jié)構(gòu)。這些類(lèi)型的裝置通常可例如在100kHz至100GHz的高頻率操作時(shí)能夠承受例如30V至2000V的高電壓。氮化鎵HEMT裝置包括具有至少兩氮化物層的...
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