技術(shù)編號(hào)：9732212
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 碳化娃半導(dǎo)體與娃(Si)半導(dǎo)體相比具有大的帶隙，因此具有高的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)。 作為處于導(dǎo)通狀態(tài)的電阻的通態(tài)電阻與絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)的立方成反比，因此在例如廣泛使用 的被稱(chēng)為4H型的碳化娃半導(dǎo)體（四層周期性六方晶體4H-SiC)，能夠?qū)⑼☉B(tài)電阻抑制到娃 半導(dǎo)體的幾百分之一。 因此，加之碳化娃半導(dǎo)體還具有容易散熱的大的導(dǎo)熱率的特性，作為下一代的低 損耗電力半導(dǎo)體元件而被寄予期望。例如，使用碳化娃半導(dǎo)體，開(kāi)發(fā)出了肖特基勢(shì)壘二極 管、M0SFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）...
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