技術(shù)編號(hào):9732221
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及等離子體處理,并且具體地,涉及使用等離子體的產(chǎn)物來(lái)蝕刻基片。發(fā)明內(nèi)容半導(dǎo)體制造涉及在基片中制作部件圖案。該圖案通常使用光刻技術(shù)來(lái)制作。光刻技術(shù)涉及在光刻膠中制作潛式圖案;使?jié)撌綀D案顯影成為凸紋圖案;以及接著將凸紋圖案轉(zhuǎn)移至一個(gè)或更多個(gè)下面的層中,以制作硬掩模、介電膜、或可以耐久或犧牲的各種結(jié)構(gòu)。將凸紋圖案轉(zhuǎn)移至下面的層中可以通過(guò)蝕刻技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。如果給定得到的硬掩模具有關(guān)鍵尺寸(critical dimens1n,CD)過(guò)大的線或部件,則相應(yīng)的基片...
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