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技術(shù)編號：9752549

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多晶硅(p-Si)薄膜具有遠大于非晶硅(a-Si)、并與單晶硅可相比擬的高載流子迀移率，常代替非晶硅應(yīng)用于薄膜晶體管(TFT)的有源層，因此在集成周邊驅(qū)動的有源液晶顯示(AMLCD)和有源有機發(fā)光二極管(AMOLED)中具有非常重要的應(yīng)用。平板顯示器的多晶硅薄膜的襯底是難以承受高溫工藝的玻璃，在此條件限制下，低溫多晶硅(LTPS)技術(shù)是業(yè)界必然的選擇。就目前的技術(shù)而言，低溫多晶硅技術(shù)主要有以下幾種快速退火固相晶化法(RTA)、準分子激光退火晶化法(ELA)...
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