技術(shù)編號(hào)：9752706
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。目前，各領(lǐng)域中廣泛使用了具有諸如EEPR0M(電可擦除可編程ROM)或閃存等非易失性存儲(chǔ)單元的半導(dǎo)體裝置。其重寫次數(shù)、諸如數(shù)據(jù)保持穩(wěn)定性(data retent1ntolerance)等可靠性的提高以及結(jié)構(gòu)小型化是重要的課題。另一方面，近來市場(chǎng)上以浮動(dòng)型為代表的閃存受到關(guān)注，這是因?yàn)閾?jù)說電阻變化型非易失性存儲(chǔ)元件不僅具有簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)、尚速重與功能和多值技術(shù)，還具有尚可靠性，并且適用于尚性能和尚集成度的情況。由于包含相變RAM(PRAM)的非易失性存儲(chǔ)元件具有在...
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