技術(shù)編號(hào)：9752739
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。許多半導(dǎo)體器件都是使用多層堆疊結(jié)構(gòu)構(gòu)造的，其中金屬材料(metal material)或金屬的材料(metallic material)附著到半導(dǎo)體材料，例如，娃基功率M0SFET。在用于將鈦接合到硅的現(xiàn)有技術(shù)中，許多現(xiàn)有自動(dòng)化生產(chǎn)技術(shù)，例如機(jī)械鋸切以及真空輔助芯片拾取，可能導(dǎo)致背側(cè)金屬化結(jié)構(gòu)從半導(dǎo)體材料“剝落”。避免硅-鈦器件中的背側(cè)金屬化結(jié)構(gòu)剝落的當(dāng)前可行解決方案是，用其他金屬替換鈦，例如鋁-銅-硅化合物。但是，對(duì)于許多應(yīng)用而言，此解決方案可能導(dǎo)致器件...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。