技術(shù)編號(hào)：9757021
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。以往，已知在對(duì)非易失性存儲(chǔ)器擦除之前進(jìn)行寫入(預(yù)寫)的方式。例如，日本特開平10-64288號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)I)中記載的閃存擦除型非易失性存儲(chǔ)器在第一次擦除前寫入結(jié)束信號(hào)(FWE)處于非激活電平期間內(nèi)依次更新存儲(chǔ)單元陣列(I)的地址來進(jìn)行擦除前寫入。然后，若變成激活電平，則該存儲(chǔ)器進(jìn)行如下的控制，即針對(duì)各地址進(jìn)行驗(yàn)證，并僅對(duì)驗(yàn)證結(jié)果不良的地址再次進(jìn)行擦除前寫入(預(yù)寫)及驗(yàn)證。另外，日本特開平11-144476號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)中記載的半導(dǎo)體非易失性存儲(chǔ)器...
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