技術(shù)編號(hào)：9757029
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。有時(shí)在存儲(chǔ)器單元陣列內(nèi)設(shè)置有熔絲只讀存儲(chǔ)器塊，該熔絲只讀存儲(chǔ)器塊以塊為單位或以列為單位來存儲(chǔ)存儲(chǔ)器單元的不良信息。熔絲只讀存儲(chǔ)器塊為與通常的塊相同的大小，具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元。在熔絲只讀存儲(chǔ)器塊的存儲(chǔ)器單元產(chǎn)生超過允許限度的不良的情況下，熔絲只讀存儲(chǔ)器塊中保存的熔絲只讀存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)自身也有可能會(huì)變得不良。進(jìn)而，在熔絲只讀存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)產(chǎn)生不良的情況下，為了糾錯(cuò)而耗費(fèi)時(shí)間，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的工作速度有可能下降。尤其是，隨著存儲(chǔ)器單元細(xì)微化，存儲(chǔ)器單元容易變得不良，因此...
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