技術編號：9757070
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。非晶(amorphous)氧化物半導體薄膜與通用的非晶娃(以下，稱為“a_Si”)相比具有高的載流子迀移率，光學帶隙大，能夠在低溫下成膜。因此，期待向要求大型.高分辨率.高速驅動的下一代顯示器或耐熱性低的樹脂基板等的應用。 在氧化物半導體薄膜之中特別是包含銦(In )、鎵(Ga )、鋅(Zn )、錫(Sn )等的至少一種的例如In-Ga-Zn-0、In_Ga-Zn-Sn-0等非晶氧化物半導體薄膜具有非常高的載流子迀移率，因此，優(yōu)選用于TFT。然而，在氧化物...
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