技術編號：9766859
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。金屬互連結(jié)構(gòu)已廣泛應用在半導體器件中。金屬互連結(jié)構(gòu)的形成過程包括在晶圓上沉積電介質(zhì)層；刻蝕電介質(zhì)層，形成溝槽等凹陷區(qū)域以構(gòu)成圖案；在凹陷區(qū)域內(nèi)沉積阻擋層和金屬，在沉積阻擋層和金屬過程中，阻擋層和金屬也會覆蓋在非凹陷區(qū)域上；去除非凹陷區(qū)域上的阻擋層和金屬，形成金屬互連結(jié)構(gòu)。隨著半導體器件的特征尺寸不斷縮小，互連RC延遲已成為制約半導體器件運行速度進一步提高的瓶頸。為了降低互連RC延遲，在工藝方面已逐漸用銅互連取代傳統(tǒng)的鋁互連，低K介電常數(shù)材料取代目前常用的二...
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