技術(shù)編號：9789067
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。經(jīng)過二十多年的快速發(fā)展，以柵長為最小特性尺寸的化合物半導(dǎo)體已經(jīng)進(jìn)入了納米器件時(shí)代，對柵光刻技術(shù)提出了更高的要求。目前，200nm以下的光刻機(jī)售價(jià)昂貴，維護(hù)成本高，而化合物半導(dǎo)體以研發(fā)和小批量生產(chǎn)為主，更新?lián)Q代的速度要遠(yuǎn)快于硅，因此性價(jià)比較高的電子束曝光技術(shù)成為其最佳選擇。與光刻技術(shù)不同，高能電子束打到襯底表面后若不能被及時(shí)導(dǎo)走會(huì)產(chǎn)生電荷的積累，積累的電荷產(chǎn)生電場，束斑在受到電場的作用下會(huì)發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而影響到電子束設(shè)備對標(biāo)記的識別和刻寫的精度。在電荷積累嚴(yán)重...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。