技術編號：9789069
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于半導體器件，尤其涉及。背景技術以氮化鎵為代表的三族氮化物(II1-N)屬于寬禁帶半導體材料，也被稱為“第三代半導體材料”，在傳感器和功率電子等領域具有廣泛的應用。在半導體器件的加工過程中，經(jīng)常需要對材料進行圖形化加工，往往通過刻蝕(干法)或腐蝕(濕法)手段。濕法腐蝕具有成本低、操作簡便、腐蝕速率可控、材料腐蝕選擇比高和適于批量生產(chǎn)等優(yōu)點。半導體器件的刻蝕方法如電化學腐蝕、氧等離子體刻蝕(干法)以及熱氧化腐蝕等。但是，電化學腐蝕需要復雜的設備和操作...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。