技術(shù)編號:9789199
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。閃存是一種重要的非易失性存儲器。傳統(tǒng)的閃存一般包括襯底、以及依次設(shè)置在襯底上的電荷隧穿層、浮置柵極、電荷阻擋層和控制柵極,浮置柵極用作電荷存儲層。隨著用戶對高存儲密度的不斷要求,閃存的特征尺寸不斷減小;在此情形下,對于采用浮置柵極作為電荷存儲層的傳統(tǒng)閃存而言,浮置柵極之間的電容耦合、電荷隧穿層中的點缺陷導(dǎo)致浮置柵極保存的電荷泄露等問題越來越嚴重,嚴重限制了傳統(tǒng)閃存的發(fā)展。目前,電荷捕獲型存儲器作為一種新型閃存而被廣泛研究。在電荷捕獲型存儲器中,采用絕緣材料...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。