技術(shù)編號：9805011
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于超硬材料及其制備的。特別涉及磁控濺射手段制備立方氮化硼(C-BN)厚膜的。在傳統(tǒng)的氮氣、氬氣混合工作氣體中引入適量氫氣，通過控制不同氫氣氣體流量比、襯底溫度和襯底負偏壓，在沒有金屬、合金化合物、碳化硼和金剛石等過渡層的情況下，直接在硅襯底上獲得立方相含量超過75%的C-BN厚膜的方法。技術(shù)背景C-BN是一種具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)的超硬材料，與金剛石類似，具有良好的物理和化學(xué)性質(zhì)，尤其是在高溫下超強的抗氧化能力與化學(xué)穩(wěn)定性，不與鐵族金屬發(fā)生反應(yīng)，可廣泛勝任...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。