技術(shù)編號(hào)：9812310
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。集成電路持續(xù)以日益變小的尺寸來制造。然而，諸如場效應(yīng)晶體管(FET)的某些半導(dǎo)體器件尺寸小卻會(huì)導(dǎo)致某些問題。例如，短溝道長度可導(dǎo)致短溝道效應(yīng)，其中，源區(qū)和/或漏區(qū)在溝道或溝道的載波上施加不適當(dāng)?shù)挠绊憽＿@些短溝道效應(yīng)能夠降低柵極對(duì)溝道的控制能力。有利的是，當(dāng)使用三維器件替代平面器件時(shí)，這些影響減少。例如，當(dāng)使用鰭片型場效應(yīng)晶體管(FinFET)的情況下，柵極增加對(duì)溝道的控制，這是因?yàn)闁艠O包圍了溝道的四個(gè)側(cè)面的3個(gè)(S卩，柵極接觸溝道的兩個(gè)側(cè)面和溝道的頂面)。...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。