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技術(shù)編號：9812317

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本發(fā)明涉及的是一種具有低寄生參數(shù)的鋁鎵氮化合物/氮化鎵高電子迀移率晶體管的制造方法。背景技術(shù)鋁鎵氮化合物(AlGaN)/氮化鎵(GaN)高電子迀移率晶體管(HEMT)作為第三代寬禁帶化合物半導(dǎo)體器件具有輸出功率大、工作頻率高、耐高溫等特點(diǎn)，特別是其兼有的高頻、大功率特性是現(xiàn)有Si和GaAs等半導(dǎo)體技術(shù)所不具備的，這使得其在微波應(yīng)用領(lǐng)軍具有獨(dú)特的優(yōu)勢，從而成為了半導(dǎo)體微波功率器件研究的熱點(diǎn)。輸出功率能力方面，目前公開的小尺寸AlGaN/GaN HEMT的輸出...
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