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一種對InSb進行割圓倒角的裝置的制造方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:9812371

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InSb材料是一種三五族化合物半導(dǎo)體材料,在3_5μπι中波紅外波段擁有極高的量子效率和響應(yīng)率,廣泛應(yīng)用于中波紅外探測器領(lǐng)域。目前,InSb材料主要是通過切克勞斯基法制備出單晶晶錠,再通過切片、倒角、研磨、拋光等工序制備成各種尺寸和規(guī)格的晶圓。而這些都會造成非常嚴(yán)重的材料浪費,因此并不適用于InSb晶圓的加工。發(fā)明內(nèi)容鑒于上述的分析,本發(fā)明旨在提供一種對InSb進行割圓倒角的裝置,用以解決現(xiàn)有技術(shù)中對InSb進行割圓倒角浪費材料的問題。本發(fā)明主要是通過以下...
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