技術編號：9812421
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。在半導體中，隨著半導體技術工藝節(jié)點的不斷縮小，接觸孔(CT)的尺寸變得越來越小。通常，對于普通器件而言，當采用28nm以下工藝節(jié)點的技術時需要采用自對準接觸孔(SAC)技術；而對于Nor型閃存(Nor Flash),當采用45nm以下工藝節(jié)點的技術時就需要采用自對準接觸孔(SAC)技術?，F(xiàn)有技術的半導體器件的制造方法，在采用自對準接觸孔技術形成接觸孔時，通常包括如下步驟首先，在前端器件上100上形成光刻膠層600，如圖1A所示；然后，通過刻蝕形成接觸孔11...
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