技術(shù)編號(hào):9820429
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在逆變器等功率電子設(shè)備中組裝有應(yīng)用于電力控制的被稱作功率器件的半導(dǎo)體元件。迄今為止的功率器件主要使用單晶Si(硅)進(jìn)行制造,通過改良器件構(gòu)造而實(shí)現(xiàn)性會(huì)K白勺?是1? O但是,近年來基于器件構(gòu)造的改良的性能提高達(dá)到極限。因此,相比單晶Si,關(guān)注在功率器件的高耐壓化、低損失化方面有利的單晶SiC(碳化硅)。在由單晶SiC構(gòu)成的基板上制作功率器件之前,利用CMP (化學(xué)性機(jī)械研磨)將基板的表面平坦化。為了提高該CMP的研磨效率,開發(fā)出使用內(nèi)含磨粒的研磨墊和具有氧...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。