技術(shù)編號：9845430
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)，是指高能質(zhì)子或高能中子撞擊原子核產(chǎn)生的福射以及宇宙射線中的重核粒子，產(chǎn)生高密度電荷從而引起存儲單元內(nèi)部節(jié)點的狀態(tài)改變，從而引起存儲類單元的存儲數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)，這種效應(yīng)是單個粒子作用的結(jié)果，通常稱為單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)(SEU)。對SRAM而言，根據(jù)單粒子效應(yīng)分析，對單粒子最敏感的地方是存儲單元體，因為一旦單粒子擊中存儲體中任何一個敏感節(jié)點，都可以使存儲狀態(tài)發(fā)生改變。在傳統(tǒng)CMOS SRAM存儲單元中，存儲信息(電荷方式)的節(jié)點包含單元一個反相器的柵極節(jié)...
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