技術(shù)編號:9845491
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)是采用PN結(jié)作為器件的柵控制溝道的開通和截止,當(dāng)柵上加PN結(jié)負偏壓,PN結(jié)兩邊耗盡,當(dāng)溝道被完全耗盡,器件處于溝道夾斷狀態(tài),器件截止。反之,器件導(dǎo)通。超高壓結(jié)型場效應(yīng)晶體管需要漏端能承受高壓,通常利用高壓LDMOS的漂移區(qū)作為JFET的漂移區(qū)承受高壓,高壓LDMOS的溝道作為JFET的柵,這樣既能制作出超高壓JFET,又能與高壓LDMOS共享光刻版,節(jié)約工藝成本。JFET在導(dǎo)通工作時,溝道有大電流流過,且在溝道區(qū)發(fā)生碰撞電離,產(chǎn)...
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