技術(shù)編號：9868336
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。對通隔離結(jié)構(gòu)廣泛應(yīng)用于可控硅芯片，目前已有的對通隔離結(jié)構(gòu)主要有硼擴散穿通隔離結(jié)構(gòu)和激光穿孔真空擴鋁結(jié)構(gòu)，例如背景技術(shù)I硼擴散穿通隔離技術(shù)，隔離區(qū)實現(xiàn)方法雙面光刻隔離窗口一雙面硼予沉積一高溫推結(jié)，優(yōu)點生產(chǎn)步驟少，缺點擴散時間長、生產(chǎn)能耗大、效率低，隔離區(qū)表面的橫向擴散大，導(dǎo)致隔離區(qū)寬度大，浪費硅片面積;背景技術(shù)2激光穿孔然后真空擴鋁技術(shù)，隔離區(qū)實現(xiàn)方法激光打孔一真空閉管擴鋁一高溫推結(jié)，優(yōu)點擴散時間短，同步形成隔離區(qū)、P1、P2區(qū)，缺點激光穿孔效率低，由于硅片...
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