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技術(shù)編號(hào)：9868369

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專利文獻(xiàn)I公開(kāi)了一種具有被配置在溝槽內(nèi)的柵電極的MOSFET(Metallic OxideSemiconductor Field Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該MOSFET的半導(dǎo)體基板內(nèi)形成有η型的源極區(qū)域、P型的體區(qū)、η型的漂移區(qū)。即，該MOSFET為η溝道型。當(dāng)將預(yù)定的電位施加于柵電極時(shí)，與柵絕緣膜相鄰的體區(qū)會(huì)反轉(zhuǎn)為η型，并且電流會(huì)穿過(guò)反轉(zhuǎn)為η型的區(qū)域(即溝道)而流通。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I日本特開(kāi)200...
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