技術(shù)編號：9913164
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。超級結(jié)為由形成于半導體襯底中的交替排列的P型薄層和N型薄層組成，現(xiàn)有超級結(jié)的制造方法中包括，這種方法是通過溝槽工藝制作超級結(jié)器件，需要先在半導體襯底如硅襯底表面的N型摻雜外延層上刻蝕一定深度和寬度的溝槽，然后利用外延填充(ERI Fi 11 ing)的方式在刻出的溝槽上填充P型摻雜的硅外延，并且要求填充區(qū)域具有完好的晶體結(jié)構(gòu)，以便后續(xù)流程制作高性能的器件。利用深溝槽和外延填充的方法制作超級結(jié)器件，對于深溝槽刻蝕和外延填充都是一種挑戰(zhàn)，動輒大于10的深寬比，...
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