技術(shù)編號：9913284
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。非易發(fā)性存儲器具有在無電源供應(yīng)時(shí)仍能保持?jǐn)?shù)據(jù)信息的優(yōu)點(diǎn)，在信息存儲領(lǐng)域具有非常重要的地位，也是當(dāng)前信息存儲技術(shù)的研究熱點(diǎn)之一。然而，當(dāng)今的主流非揮發(fā)存儲器閃存(flash)存在操作電壓高、速度慢、耐久力差等問題。電阻式隨機(jī)存儲器(RRAM，Resistance Random Access Memory)已經(jīng)表現(xiàn)出工作速度快、存儲密度高、數(shù)據(jù)保持時(shí)間長、耐久力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，是下一代半導(dǎo)體存儲器強(qiáng)有力的候選者。電阻式隨機(jī)存儲器的基本存儲單元包括一個(gè)金屬-絕緣體-金...
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