技術(shù)編號：9919976
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。PECVD技術(shù)(等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積)是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，等離子體中充滿大量的被解離的化學(xué)活性很強(qiáng)的活性基團(tuán)，很容易被吸附在基片表面沉積出所期望的薄膜?，F(xiàn)在，PECVD技術(shù)廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體制造、平板制造和太陽能電池制造領(lǐng)域，主要用于沉積各種絕緣薄膜和半導(dǎo)體薄膜，包括SiNx，S1x, SiNxOx和aSi等薄膜。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，各種覆膜基板面積日益增大，這是因為大面積覆膜不但可以滿足顯示終端的要求同...
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