技術編號：9922836
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。在半導體的制造步驟中，由于電路圖案的精細化而使得抗蝕劑圖案變得容易倒塌，對此研究了多種對策。作為對策之一，進行如下方法將抗蝕劑圖案轉(zhuǎn)印到形成于半導體晶片(以下稱為“晶片”)的下層膜，將下層膜的圖案用作蝕刻掩模來進行晶片的蝕刻。作為這樣的下層膜，要求等離子體耐性高且蝕刻耐性高，例如使用通過旋涂法形成的碳膜(S0C(Spin on Carbon)膜)。涂敷有SOC膜的晶片在涂敷處理后被加熱來促進殘留在涂敷膜中的溶劑的干燥和交聯(lián)劑的交聯(lián)反應，但此時會從涂敷膜產(chǎn)生...
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