技術(shù)編號：9922928
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。隨著器件尺寸等比例縮減至22nm技術(shù)以及以下，諸如鰭片場效應(yīng)晶體管(FinFET)和三柵(tr1-gate)器件的三維多柵器件成為最有前途的新器件技術(shù)之一，這些結(jié)構(gòu)增強了柵極控制能力、抑制了漏電與短溝道效應(yīng)。對于傳統(tǒng)工藝而言，通過如下的步驟來對包括FinFET、tr1-gate器件的CMOS器件進行柵極圖形化以及形成接觸，以便實現(xiàn)隔離的功能器件1、采用布線-切割(line-and-cut)雙光刻圖形化技術(shù)以及隨后刻蝕柵極堆疊來對柵極圖形化；2、采用統(tǒng)一特征...
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