技術編號:9930832
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。當場效應晶體管(FET)處于非導通狀態(tài)下,它不應該允許任何電流在其漏極和源極端子之間流動。然而,實際上即使當晶體管的柵極到源極電壓將晶體管偏置在非導通狀態(tài)下,亞閾值電流(sub-threshold current)(泄漏電流)也可以在漏極和源極端子之間流動。因此,在少量的泄漏電流可以導致故障或者錯誤結果的場合,例如,在敏感的儀器、調諧或者監(jiān)視電路中,場效應晶體管不適合于“接通”和“斷開”開關應用。因此,帶有阻止或者減小泄漏電流的FET的電路是有益的。附圖說...
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該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。
該類技術注重原理思路,無完整電路圖,適合研究學習。