技術(shù)編號(hào)：9932551
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在半導(dǎo)體器件的制造中，使用離子注入對(duì)半導(dǎo)體摻雜雜質(zhì)。離子注入系統(tǒng)通常被用于利用來自離子束的離子對(duì)諸如半導(dǎo)體晶圓的工件進(jìn)行摻雜，以在集成電路的制造期間產(chǎn)生η型或P型材料摻雜或者形成鈍化層。當(dāng)被用于摻雜半導(dǎo)體晶圓時(shí)，離子注入系統(tǒng)將所選擇的離子種類注入工件以產(chǎn)生期望的非本征材料。例如，注入從諸如銻、砷或磷的源材料所產(chǎn)生的離子導(dǎo)致“η型”非本征材料晶圓，而“ρ型”非本征材料晶圓通常產(chǎn)生自利用諸如硼、鎵或銦的源材料所產(chǎn)生的離子。典型離子注入系統(tǒng)包括用于從電離源材料產(chǎn)...
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