家蛹收集速度。實驗場 所為黑暗的實驗內(nèi)的屏蔽罩（1. 8X3. 7X1. 8m)。實驗實施了配對試驗，在從早上開始1、2、 4、8和12小時的同時曝光條件下，室溫：27±rC，相對濕度：64±4%，重復2次。
[0090] 在8和12小時的曝光時間內(nèi)，在500mW時，365nm發(fā)光二極管紫外光對于家蛹的 收集速度明顯高于那些340nm的發(fā)光二極管紫外光的收集速度（見表4-1)。在4、8和12 小時的曝光時間內(nèi)，lOOOmW的365nm發(fā)光二極管紫外光對于家蛹的收集速度明顯高于那些 500mW的340nm的發(fā)光二極管紫外光的收集速度（表4-2)。結(jié)果，對于家蛹的光捕捉，365nm 發(fā)光二極管紫外光比365nm發(fā)光二極管紫外光更有效。
[0091 ]表 6-1
[0092] 從早上開始12小時，在黑暗條件的屏蔽罩內(nèi)針對50只家蛹使用Luralite捕蟲 器，進行福射通量均為500mW的340皿和365皿紫外發(fā)光二極管光的收集速度的比較，重 復2次。"跟隨著相同字母的相同行的平均值沒有顯著的不同（p〉0. 05 ;配對t-試驗采用 SPSSPC軟件）。
[0093]
[0094] 表 6-2 陽0巧]從早上開始12小時，在黑暗條件的屏蔽罩內(nèi)針對50只家蛹使用Luralite捕蟲 器，進行500mW福射通量的340nm和lOOmW福射通量的365皿紫外發(fā)光二極管光的收集速 度的比較，重復2次。"跟隨著相同字母的相同行的平均值沒有顯著的不同（p〉0. 05;配對 t-試驗采用SPSSPC軟件）。
[0096]
[0097] 實驗 5
[0098] 第五個實驗是在使用Luralite捕蟲器的lOOOmW的365皿的均勻化發(fā)光二極管的 紫外光的，處于黑暗的實驗室條件下的對于家蛹（Muscadomestica)的引誘效果實驗。
[0099] 對50只家蛹使用了Luralite捕蟲器的電能均為lOOOmW的365皿的均勻 化發(fā)光二極管紫外光，評估了其家蛹收集速度。實驗場所為黑暗的實驗內(nèi)的屏蔽罩 α.8X3.7X1.8m)，在從早上開始l、2、4、8和12小時，室溫：27±ΓC，相對濕度：64±4%。
[0100] lOOmW的均勻化365皿發(fā)光二極管紫外光的收集速度是很高的，例如在4、8和12 小時曝光時間后分別為58. 5%、88. 5%和100% (表5)。 陽101] 表7 陽102] 從9:00開始的1、2、4、8和12小時曝光時間，于黑暗條件中的屏蔽罩內(nèi)對50只家 蛹使用Luralite捕蟲器，lOOOmW電能的均勻化365nm紫外發(fā)光二極管光的收集速度（％)， 重復4次。 陽 103]
[0104] 如實驗1和實驗2的實驗結(jié)果中可W看到的，在較高的福射通量的條件下的蒼蛹 收集速度會高得多。如實驗3的實驗結(jié)果中可W看到的，從粗糖的表面均勻化表面發(fā)射的 紫外光具有比從紫外發(fā)光二極管忍片直接發(fā)射的紫外光高的蒼蛹收集速度。如實驗4的實 驗結(jié)果中可W看到的，具有365nm波長峰值的紫外光具有比波長峰值為340nm的紫外光更 高的蒼蛹收集速度。
[01化]如運些實驗的實驗結(jié)果可W看到的，具有更高的福射通量的和365nm波長峰值的 均勻化表面發(fā)射的紫外光具有更高的蒼蛹收集速度。當福射通量接近lOOOmW時比500mW 時更有效。但是當其長時間使用時，高溫會引起性能退化，因為相比熱福射效率的極限，太 高的福射通量也會產(chǎn)生太多的熱量。因此為了避免熱引起的性能退化，限定最大的福射通 量是重要的。從其他的實驗證明，當紫外發(fā)光二極管燈的福射通量為750mW到1500mW時， 即使它長時間使用，紫外光發(fā)射效率不會降低。 陽106] 具有l(wèi)OOOmW福射通量和365nm波長峰值的均勻化表面發(fā)射紫外光的蒼蛹收集效 率可W從實驗5的結(jié)果中看到。 陽107]同時，用于本發(fā)明的紫外發(fā)光二極管忍片具有如下結(jié)構(gòu)，其具有高效的紫外光發(fā) 射性能。
[0108] 圖5是根據(jù)本發(fā)明的實施例的紫外發(fā)光二極管忍片的截面圖，圖6是根據(jù)本發(fā)明 的實施例的紫外發(fā)光二極管忍片的多量子阱結(jié)構(gòu)的放大截面圖。 陽109] 參考圖5,所述紫外發(fā)光二極管忍片包括η型接觸層27、靜電放電阻擋層30、超晶 格層35、有源區(qū)39、ρ型接觸層43、成核層23、緩沖層25、電子注入層37、電子阻擋層41或δ-滲雜層45。
[0110] 基底21是在其上生長了氮化嫁基半導體層的基底。其可W為藍寶石、SiC或尖晶 石基底等等，但是不限于運里提到的。例如，它可W是圖形化藍寶石基底（PSS)。 陽11U 成核層23可W由（Al，Ga)N于400~600°C的溫度下形成，W使得緩沖層25生長 在基底21上。例如，其由GaN或A1N形成。成核層可W形成為大約25nm的厚度。緩沖層 25用于抑制缺陷的發(fā)生，例如基底21和η型接觸層27之間的位錯，并且其在相對高溫下生 長。例如，緩沖層25可W由未滲雜的GaN形成，厚度為大約1.5μπι。
[0112] η型接觸層27由滲雜了η型雜質(zhì)的氮化嫁基半導體層形成，例如Si,并且可W形 成厚度為例如大約3μm。η型接觸層27可W包括AlGaN層或AlInGaN層，并且可W具有單 層或多層結(jié)構(gòu)。例如，如圖中所示，η型接觸層27可W包括較低的GaN層27曰，中間層27b 和較高的AlGaN層27c。運里，中間層2化可W由AlInN形成，或可W形成為具有多層結(jié)構(gòu) (包括超晶格結(jié)構(gòu)），其由例如大約10個交替的AlInN和GaN層組成。較低的GaN層27a 可W形成為大約1. 5μηι的厚度，較高的AlGaN層27c可W形成為大約1μηι的厚度。較高 的AlGaN層27c可W具有小于10 %的Α1含量，例如大約9 %。
[0113] 中間層2化形成的厚度小于較高的AlGaN層27c，并且可W形成為大約80皿的高 度。較高的AlGaN層27c的結(jié)晶度可W通過在較低的GaN層27a上形成中間層2化和在其 上形成較高的AlGaN層27c來提高。 陽114] 特別地，在較低的GaN層27a和較高的AlGaN層27c中滲雜的Si雜質(zhì)的濃度為 lE18/cm3W上。中間層27b的滲雜水平可W等于或低于較高的AlGaN層27c，并且可W不 有意地滲雜其他雜質(zhì)。另外，較高的AlGaN層27c可W由通過重復滲雜和非滲雜得到的調(diào) 制滲雜層制得。
[0115] 較低的GaN層27a和較高的AlGaN層27c滲雜了高濃度的雜質(zhì)，并且由此η型接 觸層27的電阻成分能夠得到降低。接觸η型接觸層27的η電極49a(見圖8)可W與較高 的AlGaN層27c接觸。特別地，當通過移除基底21得到具有垂直結(jié)構(gòu)的紫外發(fā)光二極管忍 片時，較低的GaN層27a和中間層2化也會被移除。
[0116] 電子阻擋層28位于η型接觸層27上，使得其接觸η型接觸層27。特別地，電子阻 擋層28位于接觸η電極49a的層上，例如較高的AlGaN層27c。電子阻擋層28的Α1含量 可W高于η型接觸層27的A1含量，并且可W由AlGaN或AlInGaN制成。例如，電子阻擋層 28的A1含量的范圍可W從10%到20%。電子阻擋層28可W形成為大約1-10皿的厚度。
[0117] 電子阻擋層28的A1含量高于η型接觸層27的A1含量，并且由此用于阻擋電子 從η型接觸層27向有源區(qū)39遷移。因此，電子阻擋層28用于控制電子的流動性，通過此 提高有源區(qū)39內(nèi)的電子和空穴的重新結(jié)合速度。
[0118] 靜電放電阻擋層30形成W提高形成于其上的外延層的結(jié)晶質(zhì)量。靜電放電阻擋 層30可W包括未滲雜的AlGaN層29,低濃度AlGaN層31和高濃度AlGaN層33。未滲雜的 AlGaN層29可W形成為有意無滲雜AlGaN，并且可W形成的厚度小于較高AlGaN層27c，例 如厚度為80皿到300皿。當η型接觸層27滲雜了η型雜質(zhì)，在η型接觸層27產(chǎn)生了殘余 應(yīng)力，并且結(jié)晶質(zhì)量降低了。而且，當形成了具有相對高Α1含量的電子阻擋層28時，結(jié)晶 質(zhì)量降低了。由于運個原因，當另一外延層在η型接觸層27或電子阻擋層28上生長時，難 W形成具有好的結(jié)晶質(zhì)量的外延層。然而，因為未滲雜AlGaN層29沒有滲雜雜質(zhì)，它作為 復原層，其恢復了η型接觸層27的降低的結(jié)晶質(zhì)量。因此，在優(yōu)選實施例中，當電子阻擋層 28被省略時，未滲雜AlGaN層29直接形成在η型接觸層27上，使得其接觸η型接觸層27， 并且當電子阻擋層28被形成時，未滲雜AlGaN層29直接形成在電子阻擋層28上，使得其 接觸電子阻擋層28。另外，因為未滲雜AlGaN層29具有高于η型接觸層27的電阻，從η型 接觸層27流入有源區(qū)39的電子在其通過未滲雜A