。電子阻擋層28和34 具有比那些鄰近它們的層更大的帶隙，并且因此用來作為阻擋電子從η型接觸層27向有源 區(qū)39遷移的勢壘。特別地，電子阻擋層28具有比η型接觸層27更大的帶隙，并且電子阻 擋層34具有比靜電放電阻擋層30更大的帶隙。第一勢壘層39bl也具有比超晶格層35或 電子注入層37更大的帶隙，并且因此作為電子從超晶格層35向有源區(qū)39注入的勢壘。
[0138] 如圖7所示，電子阻擋層28和34 -起與第一勢壘層39b1可W位于η型接觸層27 和有源區(qū)39之間，借此拖延電子的流動。因此，在有源區(qū)39內(nèi)沒有與空穴結(jié)合而脫離的電 子會被阻止，借此提高電子和空穴的重新結(jié)合速度。在高電流密度下操作時，采用電子阻擋 層28和34的發(fā)光二極管會顯示更好的效果。
[0139] 圖8是根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有電極的紫外發(fā)光二極管忍片的截面示意圖。圖 8顯示了具有橫向結(jié)構(gòu)的紫外發(fā)光二極管忍片，通過圖形化在基底21上生長的外延層來制 備。
[0140] 參考圖8,紫外發(fā)光二極管忍片包括，除了參考圖5描述的基底和外延層之外，還 有透明電極47、η-電極49a和P-電極49b。 陽1川透明電極47可W由例如氧化銅錫（IT0)制成。P-電極49b形成于透明電極47 上。同時η-電極49a與η型接觸層27接觸，特別是較高的AlGaN層27c，通過刻蝕外延層 曝光。電子阻擋層28位于η型接觸層27之上，同時η-電極49a接觸η型接觸層27,W便 阻擋電子從η型接觸層27向有源區(qū)39流動。 陽142] 雖然在該實施例中展示和描述了具有橫向結(jié)構(gòu)的紫外發(fā)光二極管忍片，本發(fā)明的 范圍不限于具有橫向結(jié)構(gòu)的紫外發(fā)光二極管。具有倒裝忍片結(jié)構(gòu)的紫外發(fā)光二極管忍片可 W通過圖形化基底21上的外延層來制備。可變換地，具有垂直結(jié)構(gòu)的紫外發(fā)光二極管忍片 也可W通過移除基底21的方法制備。 陽143] 實驗示例
[0144] 如圖5所示的外延層生長在圖形化藍寶石基底上，采用有機金屬化學氣相沉積 (M0CVD)系統(tǒng)在相同條件下進行，同時僅改變制備電子阻擋層28和34的條件。示例1的紫 外發(fā)光二極管忍片被取樣，其中沒有形成電子阻擋層28和34,并且樣品中的第一勢壘層具 有大約5nm的厚度和大約40%的Α1含量。同時，示例2、3和4的紫外發(fā)光二極管忍片采用 與示例1相同的方法制備，除了制備了電子阻擋層28和電子阻擋層34。電子阻擋層28和 電子阻擋層34的每一個被制備成大約5nm的厚度。同時，示例2到4的紫外發(fā)光二極管忍 片的電子阻擋層28和34被制備成如下，示例2為大約10%的A1含量，示例3為大約15% 的A1含量，示例4為大約20%的A1含量。A1的含量采用原子探針進行檢測。同時，在每 個示例中，η型接觸層27和靜電放電阻擋層33的每一個的A1含量為大約9%，并且超晶格 層35的Α1含量為大約8%。
[0145] 示例1到3中的每一個制備了兩片晶片，示例4制備了一片晶片。紫外發(fā)光二極 管的每一個的光輸出在晶片級別被檢測，并且每個晶片的光輸出平均值如圖9所示。
[0146] 如圖9可W看到的，示例2和3的具有電子阻擋層28和34的紫外發(fā)光二極管忍 片相比沒有電子阻擋層的紫外發(fā)光二極管來說顯示出更高的光輸出。另外，光輸出隨著電 子阻擋層28和24的Α1含量增加而增加。 陽147]如W上所述的，根據(jù)本發(fā)明的捕蟲器中的紫外發(fā)光二極管燈發(fā)射紫外光，其在特 定波長峰值集中，并且強于可見光，同時所使用的能耗被降低。另外，捕蟲器的捕蟲效率會 顯著增加，運歸因于捕蟲器中設置的紫外發(fā)光二極管燈的位置和方向的特性。
[0148] 雖然W上描述了不同的實施例，對于本領域技術(shù)人員來說應該了解所描述的實施 例僅用作示例。由此，本文描述的說明書不限于所描述的實施例。
【主權(quán)項】
1. 一種捕蟲器，包括： 管道，管道內(nèi)部包括抽吸風扇； 紫外發(fā)光二極管燈，放置在所述管道的空氣進口部分，并且包括安裝了紫外發(fā)光二極 管芯片的印刷電路板；和 捕蟲部分，設置在所述管道的空氣出口部分。2. 如權(quán)利要求1所述的捕蟲器，其中所述紫外發(fā)光二極管燈設置在所述管道的空氣進 口部分，這樣從紫外發(fā)光二極管芯片發(fā)射的紫外光面向所述管道內(nèi)側(cè)。3. 如權(quán)利要求1所述的捕蟲器，其中紫外發(fā)光二極管燈的多個紫外發(fā)光二極管芯片被 彼此間隔地設置。4. 如權(quán)利要求1所述的捕蟲器，其中所述管道被形成為穿過第一罩， 其中第二罩被放置在與所述管道的縱向垂直的方向，并且 其中第一罩和第二罩彼此間隔地放置。5. 如權(quán)利要求4所述的捕蟲器，其中所述紫外發(fā)光二極管燈被設置為與第一罩相比更 靠近第二罩。6. -種捕蟲器，包括： 紫外發(fā)光二極管燈，包括印刷電路板，印刷電路板上安裝了紫外發(fā)光二極管芯片； 安裝部分，用于安裝紫外發(fā)光二極管燈；和 捕蟲部分，設置在安裝部分附近。7. 如權(quán)利要求6所述的捕蟲器， 其中在紫外發(fā)光二極管燈的紫外發(fā)光二極管芯片側(cè)設置了透明罩，透明罩采用允許紫 外光容易地通過的材料制成，透明罩的表面是粗糙的。8. 如權(quán)利要求7所述的捕蟲器，其中粗糙的表面用噴砂過程制備。9. 如權(quán)利要求6所述的捕蟲器，其中紫外發(fā)光二極管燈的輻射通量為7 5 OmW到 1500mW〇10. 如權(quán)利要求6所述的捕蟲器，其中紫外發(fā)光二極管燈的芯片發(fā)射的紫外光為從捕 蟲器向上或向旁邊。11. 如權(quán)利要求1到10的任一項所述的捕蟲器，其中多個紫外發(fā)光二極管芯片被安裝 在印刷電路板上，所述多個紫外發(fā)光二極管芯片被設計為發(fā)射具有基本相同的波長峰值的 紫外光。12. 如權(quán)利要求1到10的任一項所述的捕蟲器，其中從所述紫外發(fā)光二極管芯片發(fā)射 的紫外光的波長峰值為335nm到395nm。13. 如權(quán)利要求1到10的任一項所述的捕蟲器，其中從所述紫外發(fā)光二極管芯片發(fā)射 的紫外光的波長峰值為360nm到370nm。14. 如權(quán)利要求1到10的任一項所述的捕蟲器，其中從所述紫外發(fā)光二極管芯片發(fā)射 的紫外光的擴散角為120°以下。15. 如權(quán)利要求1到10的任一項所述的捕蟲器，其中所述紫外發(fā)光二極管燈的φβ/φν 值為98以上，其中啊表示輻射通量，單位為mW，φν單位為lm。16. 如權(quán)利要求1到10的任一項所述的捕蟲器，其中從所述紫外發(fā)光二極管燈發(fā)射的 紫外光的光譜半峰寬為14. 5nm以下。17. 如權(quán)利要求12所述的捕蟲器，其中所述紫外發(fā)光二極管芯片包括： η型接觸層，包括AlGaN層或Al InGaN層； P型接觸層，包括AlGaN層或Al InGaN層； 有源區(qū)，具有多量子阱結(jié)構(gòu)，位于η型接觸層和p型接觸層之間；和 至少一個電子控制層，位于η型接觸層和有源區(qū)之間， 其中具有多量子阱結(jié)構(gòu)的所述有源區(qū)包括勢皇層和阱層， 阱層的Al分子比為低于1%，同時阱層的In分子比為1-12%。18. 如權(quán)利要求12或13所述的捕蟲器，其中所述紫外發(fā)光二極管芯片包括： η型接觸層，包括AlGaN層或Al InGaN層； P型接觸層，包括AlGaN層或Al InGaN層； 有源區(qū)，具有多量子阱結(jié)構(gòu)，位于η型接觸層和p型接觸層之間；和 至少一個電子控制層，位于η型接觸層和有源區(qū)之間， 其中具有多量子阱結(jié)構(gòu)的所述有源區(qū)包括勢皇層和阱層， 阱層的Al分子比和In分子比均低于5%。19. 如權(quán)利要求12所述的捕蟲器，其中所述紫外發(fā)光二極管芯片包括： η型接觸層，包括AlGaN層或Al InGaN層； P型接觸層，包括AlGaN層或Al InGaN層； 有源區(qū)，具有多量子阱結(jié)構(gòu)，位于η型接觸層和p型接觸層之間；和 至少一個電子控制層，位于η型接觸層和有源區(qū)之間， 其中具有多量子阱結(jié)構(gòu)的所述有源區(qū)包括勢皇層和阱層， 阱層的In分子比為低于5%，同時阱層的Al分子比為1-7%。20. 如權(quán)利要求17到19的任一項所述的捕蟲器，其中所述阱層由InGaN制成。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種采用紫外發(fā)光二極管(UV？LED)燈的捕蟲器，并且更特別地，設計一種捕蟲器，其采用紫外發(fā)光二極管燈來代替?zhèn)鹘y(tǒng)的紫外光源燈，這顯著地增加了捕蟲效率。根據(jù)本發(fā)明的捕蟲器包括：設置在管道的空氣進口部分的紫外發(fā)光二極管燈，并且包括印刷電路板(PCB)，其上安裝了紫外發(fā)光二極管芯片；用于安裝紫外發(fā)光二極管燈的安裝部分；和設置在安裝部分附近的捕蟲部分。
【IPC分類】A01M1/22, A01M1/04
【公開號】CN105409905
【申請?zhí)枴緾N201510440994
【發(fā)明人】具宗賢, 宋鉉洙, 李東圭
【申請人】首爾偉傲世有限公司
【公開日】2016年3月23日
【申請日】2015年7月24日
【公告號】US20160021864