1.一種導(dǎo)管，包括：
細(xì)長導(dǎo)管主體，所述細(xì)長導(dǎo)管主體具有近側(cè)端部、遠(yuǎn)側(cè)端部；以及
電極陣列組件，所述電極陣列組件具有近側(cè)端部和遠(yuǎn)側(cè)端部、安裝在所述導(dǎo)管主體的所述遠(yuǎn)側(cè)端部處并包括互連框架，所述互連框架具有多個(gè)元件，所述多個(gè)元件通過在所述電極陣列組件的所述近側(cè)端部和所述遠(yuǎn)側(cè)端部的中間位置處的多個(gè)接頭互連，其中所述互連框架具有塌縮構(gòu)型和膨脹構(gòu)型，在所述塌縮構(gòu)型中所述元件大體沿所述導(dǎo)管主體的縱向軸線布置，在所述膨脹構(gòu)型中所述元件從所述縱向軸線徑向向外定位以部署安裝在所述互連框架上的電極陣列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)管，其中所述互連框架中的每個(gè)元件在接頭之間具有減小的自由長度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)管，其中所述減小的自由長度小于從所述電極陣列組件的近側(cè)端部延伸到遠(yuǎn)側(cè)端部的最短輪廓線的長度的一半。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的導(dǎo)管，其中所述減小的自由長度小于從所述電極陣列組件的近側(cè)端部延伸到遠(yuǎn)側(cè)端部的最短輪廓線的長度的三分之一。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)管，其中所述互連框架包括聚合物層和多個(gè)印刷電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的導(dǎo)管，其中所述互連框架還包括基底，所述聚合物層被施加在所述基底上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的導(dǎo)管，其中所述基底為整體的。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)管，其中所述基底包括切割管。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的導(dǎo)管，其中所述基底包含形狀記憶材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的導(dǎo)管，其中所述互連框架包括柔性電路。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)管，其中所述互連框架包括在電極陣列組件的遠(yuǎn)側(cè)端部處的互連元件之間的至少一個(gè)接頭以限定閉合形狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的導(dǎo)管，其中在互連元件之間的所述接頭集中在極區(qū)域處。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的導(dǎo)管，其中在互連元件之間的所述接頭跨所述互連框架基本上均勻地分布。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)管，其中所述互連框架包括多個(gè)自由遠(yuǎn)側(cè)突出射枝。
15.一種用于治療的方法，所述方法包括：
提供具有細(xì)長導(dǎo)管主體和電極陣列組件的導(dǎo)管，所述細(xì)長導(dǎo)管主體具有近側(cè)端部、遠(yuǎn)側(cè)端部，所述電極陣列組件安裝在所述導(dǎo)管主體的所述遠(yuǎn)側(cè)端部處、具有互連框架，所述互連框架具有多個(gè)元件，所述多個(gè)元件通過在所述電極陣列組件的所述近側(cè)端部和所述遠(yuǎn)側(cè)端部的中間位置處的多個(gè)接頭互連，
在所述互連框架處于塌縮構(gòu)型的情況下，將具有所述電極陣列組件的所述導(dǎo)管的所述遠(yuǎn)側(cè)端部推進(jìn)到患者體內(nèi)的期望區(qū)域，在所述塌縮構(gòu)型中所述互連框架的元件大體沿所述導(dǎo)管主體的縱向軸線布置；以及
使所述電極陣列組件呈現(xiàn)膨脹構(gòu)型，在所述膨脹構(gòu)型中所述元件從所述導(dǎo)管主體的所述縱向軸線徑向向外定位以部署安裝在所述互連框架上的電極陣列，使得至少一個(gè)電極與組織接觸。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括接收來自與組織接觸的所述至少一個(gè)電極的電信號。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括將射頻能量遞送到與組織接觸的所述至少一個(gè)電極以形成消融灶。