最主要的成分；甘油比重合適，與水和有機(jī)溶液都有很好的溶解性，作為輔助分散劑非常適合；聚丙二醇400具有乳化、潤(rùn)濕的作用，并且可以有效增稠，有效提升懸浮液的黏度和界面膜性質(zhì)。另外，拋光液中含有適量的納米S12,粒度均勻、分散性好、平坦化效率高。堿性溶液KOH使得拋光液為堿性，通過化學(xué)腐蝕輔助拋光，從而拋光效果更好，拋光效率更好。為了保持拋光液的穩(wěn)定性，從而保證拋光的效率和質(zhì)量，必須不斷地補(bǔ)充堿性溶液，維持拋光液PH值基本不變。
[0019](4)本發(fā)明的指紋識(shí)別面板制備方法，通過涂刷三層油墨然后烘干，使得晶片的邊緣不透光，可以有效地防止光線從晶片的側(cè)面進(jìn)入，對(duì)成像造成影響。
[0020](5)本發(fā)明的指紋識(shí)別面板采用藍(lán)寶石為基材制成，由于藍(lán)寶石硬度高，耐磨性好，使得觸屏面板不易磨損和劃傷；藍(lán)寶石C向介電常數(shù)為11.4，而A向和M向均為9.4，本發(fā)明晶體生長(zhǎng)時(shí)采用C向籽晶，保證了指紋識(shí)別面板對(duì)介電常數(shù)的要求。通過本發(fā)明的藍(lán)寶石指紋識(shí)別面板制備方法制成的指紋識(shí)別面板，光潔度高，且成片質(zhì)量高，廢品率低，生產(chǎn)效率高，應(yīng)用前景廣闊。
【具體實(shí)施方式】
[0021]實(shí)施例1
本實(shí)施例的藍(lán)寶石指紋識(shí)別面板制備方法具體包括如下步驟:
步驟一、晶體生長(zhǎng)；在晶體生長(zhǎng)爐的坩禍內(nèi)裝入純凈的Al2O3原料，所述坩禍上方設(shè)有可旋轉(zhuǎn)和升降的提拉桿，提拉桿的下端夾設(shè)有C晶向的籽晶；將晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)抽真空并通入保護(hù)氣體，升溫至2200°C，使得Al2O3熔融，控制熔體的液面溫度為2055°C，將籽晶置于Al2O3熔體的上表面使其與熔體接觸，持續(xù)Ih ;待籽晶與熔體充分沾潤(rùn)后，提拉并轉(zhuǎn)動(dòng)籽晶，從而實(shí)現(xiàn)縮頸一擴(kuò)肩一等徑生長(zhǎng)；縮頸階段，控制熔體的液面溫度為2050°C，以5mm/h的速度向上提拉籽晶，以48r/min的速度轉(zhuǎn)動(dòng)籽晶；擴(kuò)肩階段，控制熔體的液面溫度為2048°C，以10mm/h的速度向上提拉籽晶，以55r/min的速度轉(zhuǎn)動(dòng)籽晶；等徑階段，控制熔體的液面溫度為2052°C，以8mm/h的速度向上提拉籽晶，以50r/min的速度轉(zhuǎn)動(dòng)籽晶；待晶體生長(zhǎng)結(jié)束后，將晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)的溫度降至1680°C，再對(duì)晶體進(jìn)行退火處理，控制溫度以100°C /h的速度緩慢降溫并持續(xù)22h，從而得到晶體；
步驟二、晶體掏棒；對(duì)晶體進(jìn)行定向，然后使用掏棒機(jī)進(jìn)行掏棒，從而得到C向晶棒； 步驟三、晶體切割；采用金剛砂線切割設(shè)備對(duì)晶棒進(jìn)行切割，從而得到晶片；
步驟四、激光取片；將拋光后的晶片放入激光切割機(jī)中并通入保護(hù)氣體，將晶片按需求切割成相應(yīng)大??；
步驟五、研磨；采用研磨機(jī)對(duì)晶片進(jìn)行研磨；研磨時(shí)，加入研磨液，研磨盤對(duì)晶片加壓至0.022Mpa，研磨盤的轉(zhuǎn)速為1200rpm/min ;研磨完成后用無水乙醇清洗；所述研磨液組分包括:2%的顆粒大小為20 μm的立方氮化硼粉末，16%的烷基酚聚氧乙烯醚，6%的甘油，11%的聚丙二醇400，其余為去離子水；
步驟六、倒角；采用數(shù)控機(jī)床的金剛石砂輪對(duì)晶片的邊角進(jìn)行倒角處理，；
步驟七、退火；將晶片放入退火爐內(nèi)，以220°C /h的速度進(jìn)行升溫將溫度升至1600°C，升溫時(shí)在300 °C、800 °C、1600 °C分別保溫6h，然后以200 °C的溫度進(jìn)行降溫，降溫時(shí)在1000°C、500°C分別保溫3h冷卻至室溫取出；
步驟八、雙面化學(xué)拋光；先用無水乙醇對(duì)晶片進(jìn)行清洗，然后將清洗后的晶片放入雙面拋光機(jī)中固定；拋光時(shí)，加入拋光液，拋光盤對(duì)晶片加壓至0.15 Mpa，拋光盤的轉(zhuǎn)速為1500rpm/min、將拋光好的晶片用無水乙醇清洗后，在室溫下進(jìn)行自然冷卻；所述拋光液組分包括:2%的顆粒大小為6 μπι的立方氮化硼粉末，16%的烷基酚聚氧乙烯醚，6%的甘油，11%的聚丙二醇400，2%的納米二氧化硅，使得拋光液PH值為13.0的堿性溶液，其余為去離子水；拋光過程中不斷補(bǔ)充堿性溶液以保持拋光液的PH值；
步驟九、鍍超硬膜；采用磁控濺射鍍膜機(jī)，將氮?dú)怆婋x成氮離子，再用氮離子轟擊硅靶材，在晶片表面形成氮化硅鍍層；
步驟十、涂油墨；將鍍膜后的晶片蓋上鏤空板，在晶片的邊緣處刷涂油墨且重復(fù)刷涂三層；
步驟十一、熱烘；將涂完油墨的晶片放入熱烘機(jī)中熱烘3h后，空冷至室溫。
[0022]實(shí)施例2
本實(shí)施例的藍(lán)寶石指紋識(shí)別面板制備方法具體包括如下步驟:
步驟一、晶體生長(zhǎng)；在晶體生長(zhǎng)爐的坩禍內(nèi)裝入純凈的Al2O3原料，所述坩禍上方設(shè)有可旋轉(zhuǎn)和升降的提拉桿，提拉桿的下端夾設(shè)有C晶向的籽晶；將晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)抽真空并通入保護(hù)氣體，升溫至2100°C，使得Al2O3熔融，控制熔體的液面溫度為2055°C，將籽晶置于Al2O3熔體的上表面使其與熔體接觸，持續(xù)0.5h ;待籽晶與熔體充分沾潤(rùn)后，提拉并轉(zhuǎn)動(dòng)籽晶，從而實(shí)現(xiàn)縮頸一擴(kuò)肩一等徑生長(zhǎng)；縮頸階段，控制熔體的液面溫度為2050°C，以3mm/h的速度向上提拉籽晶，以45r/min的速度轉(zhuǎn)動(dòng)籽晶；擴(kuò)肩階段，控制熔體的液面溫度為2048°C，以8mm/h的速度向上提拉籽晶，以50r/min的速度轉(zhuǎn)動(dòng)籽晶；等徑階段，控制熔體的液面溫度為2052°C，以5mm/h的速度向上提拉籽晶，以48r/min的速度轉(zhuǎn)動(dòng)籽晶；待晶體生長(zhǎng)結(jié)束后，將晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)的溫度降至1580°C，再對(duì)晶體進(jìn)行退火處理，控制溫度以80°C /h的速度緩慢降溫并持續(xù)18h，從而得到晶體；
步驟二、晶體掏棒；對(duì)晶體進(jìn)行定向，然后使用掏棒機(jī)進(jìn)行掏棒，從而得到C向晶棒； 步驟三、晶體切割；采用金剛砂線切割設(shè)備對(duì)晶棒進(jìn)行切割，從而得到晶片；
步驟四、激光取片；將拋光后的晶片放入激光切割機(jī)中并通入保護(hù)氣體，將晶片按需求切割成相應(yīng)大?。?br> 步驟五、研磨；采用研磨機(jī)對(duì)晶片進(jìn)行研磨；研磨時(shí)，加入研磨液，研磨盤對(duì)晶片加壓至0.02Mpa，研磨盤的轉(zhuǎn)速為1000rpm/min ;研磨完成后用無水乙醇清洗；所述研磨液組分包括:0.5%的顆粒大小為10 μm的立方氮化硼粉末，14%的烷基酚聚氧乙烯醚，4%的甘油，9%的聚丙二醇400，其余為去離子水；
步驟六、倒角；采用數(shù)控機(jī)床的金剛石砂輪對(duì)晶片的邊角進(jìn)行倒角處理，；
步驟七、退火；將晶片放入退火爐內(nèi)，以180°C /h的速度進(jìn)行升溫將溫度升至1600°C，升溫時(shí)在300 °C、800 °C、1600 °C分別保溫2h，然后以200 °C的溫度進(jìn)行降溫，降溫時(shí)在1000°C、500°C分別保溫2h冷卻至室溫取出；
步驟八、雙面化學(xué)拋光；先用無水乙醇對(duì)晶片進(jìn)行清洗，然后將清洗后的晶片放入雙面拋光機(jī)中固定；拋光時(shí)，加入拋光液，拋光盤對(duì)晶片加壓至0.12 Mpa，拋光盤的轉(zhuǎn)速為lOOOrpm/min、將拋光好的晶片用無水乙醇清洗后，在室溫下進(jìn)行自然冷卻；所述拋光液組分包括:0.5%的顆粒大小為I μπι的立方氮化硼粉末，14%的烷基酚聚氧乙烯醚，4%的甘油，9%的聚丙二醇400，0.5%的納米二氧化硅，使得拋光液PH值為11.0的堿性溶液，其余為去離子水；拋光過程中不斷補(bǔ)充堿性溶液以保持拋光液的PH值；
步驟九、鍍超硬膜；采用磁控濺射鍍膜機(jī)，將氮?dú)怆婋x成氮離子，再用氮離子轟擊硅靶材，在晶片表面形成氮化硅鍍層；
步驟十、涂油墨；將鍍膜后的晶片蓋上鏤空板，在晶片的邊緣處刷涂油墨且重復(fù)刷涂三層；
步驟十一、熱烘；將涂完油墨的晶片放入熱烘機(jī)中熱烘2h后，空冷至室溫。
[0023] 實(shí)施例3
本實(shí)施例的藍(lán)寶石指紋識(shí)別面板制備方法具體包括如下步驟:
步驟一、晶體生長(zhǎng)；在晶體生長(zhǎng)爐的坩禍內(nèi)裝入純凈的Al2O3原料，所述坩禍上方設(shè)有可旋轉(zhuǎn)和升降的提拉桿，提拉桿的下端夾設(shè)有C晶向的籽晶；將晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)抽真空并通入保護(hù)氣體，升溫至2150°C，使得Al2O3熔融，控制熔體的液面溫度為2055°C，將籽晶置于Al2O3熔體的上表面使其與熔體接觸，持續(xù)Ih ;待籽晶與熔體充分沾潤(rùn)后，提拉并轉(zhuǎn)動(dòng)籽晶，從而實(shí)現(xiàn)縮頸一擴(kuò)肩一等徑生長(zhǎng)；縮頸階段，控制熔體的液面溫度為2050°C，以3?5mm/h的速度向上提拉籽晶，以46r/min的速度轉(zhuǎn)動(dòng)籽晶；擴(kuò)肩階段，控制熔體的液面溫度為20480C，以9mm/h的速度向上提拉籽晶，以50r/min的速度轉(zhuǎn)動(dòng)籽晶；等徑階段