，控制熔體的液面溫度為2052°C，以5mm/h的速度向上提拉籽晶，以48r/min的速度轉(zhuǎn)動籽晶；待晶體生長結(jié)束后，將晶體生長爐內(nèi)的溫度降至1600°C，再對晶體進行退火處理，控制溫度以90°C /h的速度緩慢降溫并持續(xù)20h，從而得到晶體； 步驟二、晶體掏棒；對晶體進行定向，然后使用掏棒機進行掏棒，從而得到C向晶棒； 步驟三、晶體切割；采用金剛砂線切割設備對晶棒進行切割，從而得到晶片；
步驟四、激光取片；將拋光后的晶片放入激光切割機中并通入保護氣體，將晶片按需求切割成相應大??；
步驟五、研磨；采用研磨機對晶片進行研磨；研磨時，加入研磨液，研磨盤對晶片加壓至0.02Mpa，研磨盤的轉(zhuǎn)速為1100rpm/min ;研磨完成后用無水乙醇清洗；所述研磨液組分包括:1%的顆粒大小為15 μπι的立方氮化硼粉末，15%的烷基酚聚氧乙烯醚，5%的甘油，10%的聚丙二醇400，其余為去離子水；
步驟六、倒角；采用數(shù)控機床的金剛石砂輪對晶片的邊角進行倒角處理，；
步驟七、退火；將晶片放入退火爐內(nèi)，以200°C /h的速度進行升溫將溫度升至1600°C，升溫時在300 °C、800 °C、1600 °C分別保溫4h，然后以200 °C的溫度進行降溫，降溫時在1000°C、500°C分別保溫2.5h冷卻至室溫取出；
步驟八、雙面化學拋光；先用無水乙醇對晶片進行清洗，然后將清洗后的晶片放入雙面拋光機中固定；拋光時，加入拋光液，拋光盤對晶片加壓至0.13 Mpa，拋光盤的轉(zhuǎn)速為1200rpm/min、將拋光好的晶片用無水乙醇清洗后，在室溫下進行自然冷卻；所述拋光液組分包括:1%的顆粒大小為3 μπι的立方氮化硼粉末，15%的烷基酚聚氧乙烯醚，5%的甘油，10%的聚丙二醇400，1%的納米二氧化硅，使得拋光液PH值為12.0的堿性溶液，其余為去離子水；拋光過程中不斷補充堿性溶液以保持拋光液的PH值；
步驟九、鍍超硬膜；采用磁控濺射鍍膜機，將氮氣電離成氮離子，再用氮離子轟擊硅靶材，在晶片表面形成氮化硅鍍層；
步驟十、涂油墨；將鍍膜后的晶片蓋上鏤空板，在晶片的邊緣處刷涂油墨且重復刷涂三層；
步驟十一、熱烘；將涂完油墨的晶片放入熱烘機中熱烘2h后，空冷至室溫。
[0024]本發(fā)明的藍寶石指紋識別面板的制備方法不局限于上述實施例所述的具體技術(shù)方案，凡采用等同替換形成的技術(shù)方案均為本發(fā)明要求的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種藍寶石指紋識別面板的制備方法，其特征在于，包括以下具體步驟: 步驟一、晶體生長；在晶體生長爐的坩禍內(nèi)裝入純凈的Al2O3原料，所述坩禍上方設有可旋轉(zhuǎn)和升降的提拉桿，提拉桿的下端夾設有C晶向的籽晶；將晶體生長爐內(nèi)抽真空并通入保護氣體，升溫至2100?2200°C，使得Al2O3熔融，控制熔體的液面溫度為2055°C，將籽晶置于Al2O3熔體的上表面使其與熔體接觸，持續(xù)0.5?Ih ;待籽晶與熔體充分沾潤后，提拉并轉(zhuǎn)動籽晶，從而實現(xiàn)縮頸一擴肩一等徑生長；縮頸階段，控制熔體的液面溫度為2050°C，以3?5mm/h的速度向上提拉籽晶，以45?48r/min的速度轉(zhuǎn)動籽晶；擴肩階段，控制熔體的液面溫度為2048°C，以8?10mm/h的速度向上提拉籽晶，以50?55r/min的速度轉(zhuǎn)動籽晶；等徑階段，控制熔體的液面溫度為2052°C，以5?8mm/h的速度向上提拉籽晶，以48?50r/min的速度轉(zhuǎn)動籽晶；待晶體生長結(jié)束后，將晶體生長爐內(nèi)的溫度降至1580?1680°C，再對晶體進行退火處理，控制溫度以80?100°C /h的速度緩慢降溫并持續(xù)18?22h，從而得到晶體； 步驟二、晶體掏棒；對晶體進行定向，然后使用掏棒機進行掏棒，從而得到C向晶棒； 步驟三、晶體切割；采用金剛砂線切割設備對晶棒進行切割，從而得到晶片； 步驟四、激光取片；將拋光后的晶片放入激光切割機中并通入保護氣體，將晶片按需求切割成相應大小； 步驟五、研磨；采用研磨機對晶片進行研磨；研磨時，加入研磨液，研磨盤對晶片加壓至0.02?0.022Mpa，研磨盤的轉(zhuǎn)速為1000?1200rpm/min ;研磨完成后用無水乙醇清洗；所述研磨液組分包括:0.5?2%的顆粒大小為10?20 μ m的立方氮化硼粉末，14?16%的烷基酚聚氧乙烯醚，4?6%的甘油，9?11%的聚丙二醇400，其余為去離子水； 步驟六、倒角；采用數(shù)控機床的金剛石砂輪對晶片的邊角進行倒角處理，； 步驟七、退火；將晶片放入退火爐內(nèi)，以180?220°C /h的速度進行升溫將溫度升至1600°C，升溫時在300°C、800°C、1600°C分別保溫2?6h，然后以200°C的溫度進行降溫，降溫時在1000°C、500°C分別保溫2?3h冷卻至室溫取出； 步驟八、雙面化學拋光；先用無水乙醇對晶片進行清洗，然后將清洗后的晶片放入雙面拋光機中固定；拋光時，加入拋光液，拋光盤對晶片加壓至0.12?0.15 Mpa，拋光盤的轉(zhuǎn)速為1000?1500rpm/min、將拋光好的晶片用無水乙醇清洗后，在室溫下進行自然冷卻；所述拋光液組分包括:0.5?2%的顆粒大小為I?6 μ m的立方氮化硼粉末，14?16%的烷基酚聚氧乙烯醚，4?6%的甘油，9?11%的聚丙二醇400，0.5?2%的納米二氧化硅，使得拋光液PH值為11.0?13.0的堿性溶液，其余為去離子水；拋光過程中不斷補充堿性溶液以保持拋光液的PH值； 步驟九、鍍超硬膜；采用磁控濺射鍍膜機，將氮氣電離成氮離子，再用氮離子轟擊硅靶材，在晶片表面形成氮化硅鍍層； 步驟十、涂油墨；將鍍膜后的晶片蓋上鏤空板，在晶片的邊緣處刷涂油墨且重復刷涂三層； 步驟十一、熱烘；將涂完油墨的晶片放入熱烘機中熱烘2?3h后，空冷至室溫。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述藍寶石指紋識別面板的制備方法，其特征在于:所述步驟一中，將晶體生長爐內(nèi)的溫度降至1600°C，再對晶體進行退火處理，控制溫度以100°C /h的速度緩慢降溫并持續(xù)22h。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述藍寶石指紋識別面板的制備方法，其特征在于:所述步驟三中，金剛砂線的直徑為0.14?0.16mm，金剛砂線上金剛石的粒徑為30?40 μ m，金剛砂線在切割時以12?15m/s的速度運動，晶體相對于金剛砂線的移動速度為0.2?0.3mm/min,切割時不斷向金剛砂線噴灑切割液，所述切割液中含有粒徑為20?30 μπι的金剛石顆粒和粒徑為50?60 μ m的剛玉顆粒。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述藍寶石指紋識別面板的制備方法，其特征在于:所述步驟四中，激光束的直徑為0.015?0.02mm，切割速度為3?5mm/So5.根據(jù)權(quán)利要求1所述藍寶石指紋識別面板的制備方法，其特征在于:所述步驟四中，所述保護氣體為氮氣。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述藍寶石指紋識別面板的制備方法，其特征在于:所述步驟五中，所述研磨液中含有粒徑為3?6 μπι的氧化鋁顆粒。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述藍寶石指紋識別面板的制備方法，其特征在于:所述步驟七中，升溫時，在300°C保溫2h，在800°C保溫3h，在1600°C保溫4h。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述藍寶石指紋識別面板的制備方法，其特征在于:所述步驟八中，所述堿性溶液為KOH。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述藍寶石指紋識別面板的制備方法，其特征在于:所述步驟八中，所述拋光液PH值為12.0。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述藍寶石指紋識別面板的制備方法，其特征在于:所述步驟八中，拋光盤對晶片加壓至0.135Mpa。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種藍寶石指紋識別面板的制備方法，具體步驟包括晶體生長、晶體掏棒、晶體切割、激光取片、研磨、倒角、退火、雙面拋光、鍍膜、涂油墨和熱烘等工序；本發(fā)明的藍寶石指紋識別面板的制備方法成片質(zhì)量高，廢品率低，生產(chǎn)效率高。
【IPC分類】C30B29/20, C30B15/20, C30B33/02, B23K26/38, B24B37/04, B24B37/08, C09K3/14, B28D5/00, B24B1/00, B28D5/04, G06K9/00
【公開號】CN105128157
【申請?zhí)枴緾N201510339660
【發(fā)明人】蘇鳳堅, 劉俊, 郝正平
【申請人】江蘇蘇創(chuàng)光學器材有限公司
【公開日】2015年12月9日
【申請日】2015年6月18日