出部21。
[0039]基板11利用由厚度為例如200?700 μ m(若考慮加工時(shí)的碎裂難易度等，則優(yōu)選300 μm以上)左右的單晶Si (娃)單體構(gòu)成的半導(dǎo)體基板或SOI (Silicon on Insulator:絕緣體上硅)基板構(gòu)成。注意，在圖2中，示出了利用SOI基板構(gòu)成基板11的情況。SOI基板是將兩片Si基板隔著氧化膜接合而成的。
[0040]基板11具有挖入部IIa和從動(dòng)膜11b，其中，挖入部IIa作為沿厚度方向形成(挖入)的孔部或凹部，從動(dòng)膜Ilb的厚度方向的一部分成為挖入部Ila的上壁、即在挖入部Ila中位于壓電薄膜14側(cè)的壁。從動(dòng)膜Ilb由SOI基板中的一個(gè)Si基板構(gòu)成，該從動(dòng)膜Ilb在其周緣部與挖入部Ila的側(cè)壁lie (SOI基板中的另一個(gè)Si基板)隔著氧化膜連結(jié)。從動(dòng)膜11b、下部電極13及熱氧化膜12伴隨壓電薄膜14的與厚度方向垂直的方向(與基板11的面平行的方向)的伸縮而沿厚度方向彎曲變形。壓電薄膜14也伴隨從動(dòng)膜11b、下部電極13及熱氧化膜12的這種彎曲變形沿厚度方向彎曲。出于這種原因，可以說成是??沿厚度方向彎曲變形的位移膜17構(gòu)成為包括壓電薄膜14、下部電極13、熱氧化膜12、從動(dòng)膜Ilb0為了使位移膜17在與挖入部Ila對(duì)應(yīng)的區(qū)域(位于挖入部Ila的上方的區(qū)域)沿厚度方向彎曲變形，基板11以覆蓋挖入部Ila的方式保持位移膜17。
[0041]熱氧化膜12例如由厚度為0.1 μπι左右的S12(氧化硅)構(gòu)成，它是出于保護(hù)基板11及絕緣的目的而形成的。
[0042]下部電極13是層疊Ti(鈦)層與Pt(鉑)層而構(gòu)成的。Ti層是為了使熱氧化膜12與Pt層的緊貼性提高而形成的。Ti層的厚度例如為0.02 μ m左右，Pt層的厚度例如為0.Ιμπι左右。下部電極13與電路基板16連接。
[0043]如上所述，壓電薄膜14是沿與厚度方向垂直的方向伸縮的驅(qū)動(dòng)膜，由PZT (鋯鈦酸鉛)的薄膜構(gòu)成，PZT是PTO(PbT13AiJ^ft)與PZO(PbZrO 3;鋯酸鉛)的固溶體。壓電薄膜14的膜厚例如為3?5μπι。
[0044]上部電極15是層疊Ti層與Pt層而構(gòu)成的。Ti層是為了使壓電薄膜14與Pt層的緊貼性提高而形成的。Ti層的厚度例如為0.02 μm左右，Pt層的厚度例如為0.1?0.2 μπι左右。上部電極15以比壓電薄膜14小的尺寸形成，其一部分沿壓電薄膜14的表面向墨排出部21的外部引出而與電路基板16連接。下部電極13及上部電極15從厚度方向夾著壓電薄膜14設(shè)置。
[0045]墨排出部21通過利用位移膜17的彎曲變形對(duì)墨施加壓力，將墨向外部排出。該墨排出部21相對(duì)于位移膜17 (特別是壓電薄膜14)設(shè)于與基板11 (挖入部Ila)相反的一偵牝具有分隔壁部22和噴嘴基板23。
[0046]分隔壁部22與噴嘴基板23相比更加位于壓電薄膜14側(cè)，形成墨室21a的側(cè)壁。即，在分隔壁部22的內(nèi)側(cè)，比噴嘴基板23更靠壓電薄膜14側(cè)的空間(由噴嘴基板23與壓電薄膜14夾著的空間)成為墨室21a。在圖2中，分隔壁部22的開口寬度B (mm)寬于基板11的挖入部I Ia的開口寬度C(mm)，但分隔壁部22的開口寬度B和高度(厚度)可以設(shè)定為任意值。嗔嘴基板23具有用于向外部排出墨室21a內(nèi)的墨的嗔嘴孔23a。
[0047]分隔壁部22及噴嘴基板23由于與墨室21a內(nèi)的墨直接接觸，因此優(yōu)選利用耐墨性優(yōu)異的材料構(gòu)成，另外優(yōu)選利用容易加工的材料構(gòu)成。作為這種材料，例如可以使用環(huán)氧系的感光性材料、丙烯酸系材料、聚酰亞胺系材料那樣的樹脂材料。另外，除此之外，還可以使用鐵、銅、鎳、SUS等金屬材料、玻璃、陶瓷等構(gòu)成分隔壁部22及噴嘴基板23。
[0048]在上述構(gòu)成中，若從電路基板16向下部電極13及上部電極15施加電壓，則壓電薄膜14沿與厚度方向垂直的方向伸縮。并且，由于壓電薄膜14與從動(dòng)膜Ilb的長(zhǎng)度的不同，會(huì)使得從動(dòng)膜IIb產(chǎn)生曲率，從動(dòng)膜IIb會(huì)沿厚度方向彎曲變形，與之相伴，壓電薄膜14也會(huì)沿厚度方向彎曲變形。由于位移膜17(包括壓電薄膜14、從動(dòng)膜Ilb)的這種彎曲變形，會(huì)使得墨室21a內(nèi)的墨被施加壓力，使墨被從噴嘴孔23a向外部排出。
[0049]在本實(shí)施方式中，墨排出部21為相對(duì)于位移膜17設(shè)于與基板11的挖入部Ila相反的一側(cè)且獨(dú)立于基板11而設(shè)置的結(jié)構(gòu)，因此，無論基板11如何，都能夠單獨(dú)設(shè)計(jì)墨排出部21，通過這種設(shè)計(jì)能夠減小墨室21a的容積。
[0050]要想使壓電薄膜成膜就需要基板，在將墨室形成于該基板的以往結(jié)構(gòu)中，在減小墨室的容積時(shí)，不得不采用對(duì)形成墨室的基板進(jìn)行研磨、或是向形成有墨室的薄基板轉(zhuǎn)印壓電薄膜的方法。但是，在本實(shí)施方式中，不將墨室形成于基板11，因此能夠在不進(jìn)行基板研磨和膜的轉(zhuǎn)印的情況下，利用墨排出部21的單獨(dú)設(shè)計(jì)容易地減小墨室的容積。由此，能夠使頭的驅(qū)動(dòng)頻率提尚而實(shí)現(xiàn)尚性能的嗔墨頭10。另外，在減小墨室21a的容積時(shí)，可以不進(jìn)行基板研磨和膜的轉(zhuǎn)印，因此也不會(huì)產(chǎn)生在進(jìn)行基板研磨和膜的轉(zhuǎn)印的情況下產(chǎn)生的那種問題(成品率降低、性能變差、膜的損傷、成本上升)。
[0051]特別是，在墨排出部21如本實(shí)施方式那樣具有噴嘴基板23和分隔壁部22的構(gòu)成中，上部電極15十分薄，因此墨室21a的容積由分隔壁部22的開口寬度B和厚度(高度)確定。因此，通過減小分隔壁部22的開口寬度B及高度中的至少一方的設(shè)計(jì)，能夠容易地減小墨室21a的容積。
[0052]例如，以往結(jié)構(gòu)中的墨室的尺寸為半徑200 μ m、高度500 μ m，與之相對(duì)，根據(jù)本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)，能夠使墨室的尺寸為半徑250 μπκ高度50 μπι左右，能夠使墨室的容積為以往的約六分之一。
[0053]另外，本實(shí)施方式的噴墨頭10除了作為驅(qū)動(dòng)膜的壓電薄膜14之外，還具有伴隨壓電薄膜14的伸縮而沿厚度方向彎曲的從動(dòng)膜lib。即使是這樣具有從動(dòng)膜Ilb的結(jié)構(gòu)，在能夠利用單獨(dú)的墨排出部21進(jìn)行減小墨室21a的容積的設(shè)計(jì)這一點(diǎn)也是不變的。因此，即使是具有從動(dòng)膜Ilb的結(jié)構(gòu)，也能夠在不進(jìn)行基板研磨和膜的轉(zhuǎn)印的情況下減小墨室21a的容積，使頭的驅(qū)動(dòng)頻率提高。特別是，在如圖2那樣使基板11的厚度方向的一部分作為從動(dòng)膜Ilb發(fā)揮功能的結(jié)構(gòu)中，不需要相對(duì)于基板11單獨(dú)形成(成膜)從動(dòng)膜，因此能夠簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)，能夠通過這種簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)獲得上述效果。
[0054]另外，在本實(shí)施方式中，由于使用壓電薄膜14作為用于排出墨的驅(qū)動(dòng)膜，因此，與通過靜電式等其他方式排出墨的情況相比，能夠通過外型小且成本低的結(jié)構(gòu)獲得上述效果O
[0055]另外，由于以從厚度方向夾著壓電薄膜14的方式設(shè)置上部電極15及下部電極13，因此，通過相對(duì)于壓電薄膜14從厚度方向施加電壓，能夠使壓電薄膜14沿與厚度方向垂直的方向伸縮。因此，能夠在這樣驅(qū)動(dòng)壓電薄膜14的結(jié)構(gòu)中，獲得上述效果。
[0056]圖3 —并示出了對(duì)上述噴墨頭10的多個(gè)通道的結(jié)構(gòu)進(jìn)行表示的俯視圖和沿該俯視圖中的A-A’線朝箭頭方向觀察的剖視圖。也可以在基板11上形成用于向墨室21a供給墨的墨流路31。墨流路31經(jīng)由連通路32與墨室21a連通，在頭的周緣部與墨儲(chǔ)存部(未圖示)連接。另外，墨流路31共同設(shè)于多個(gè)通道，從一個(gè)墨流路31向多個(gè)通道的各墨室21a供給墨。
[0057]—般來說，在噴墨頭中，在排出墨的一側(cè)(記錄媒介側(cè))形成墨流路是妨礙墨排出孔(噴嘴孔)的高密度配置的主要原因。但是，通過如本實(shí)施方式那樣，在相對(duì)于壓電薄膜14位于與墨排出部21相反的一側(cè)的基板11上形成墨流路31，墨排出側(cè)的噴嘴孔23a的高密度配置將變得容易，能夠進(jìn)行高精細(xì)度的繪圖(圖像形成)。
[0058]另外，通過將墨流路31形成于對(duì)壓電薄膜14等進(jìn)行保持的基板11，能夠有效利用基板11，能夠通過基板11的加工(例如蝕刻)而容易地形成墨流路31。而且，由于基板11具有300?500 μ m左右的厚度，因此能夠充分地確保墨流路31的容積，即使是將一個(gè)墨流路31與多個(gè)通道的墨室21a連通，也能夠切實(shí)地向各墨室21a供給墨。
[0059]圖4是對(duì)噴墨頭10的一個(gè)通道的其他結(jié)構(gòu)進(jìn)行表示的剖視圖。如該圖所示，壓電薄膜14優(yōu)選在基板11的挖入部Ila的上方(墨室21a側(cè))以比挖入部Ila的開口寬度C(mm)小的寬度D(mm)形成。也就是說，壓電薄膜14優(yōu)選使跨越挖入部Ila與側(cè)壁Ilc的交界的區(qū)域被除去。該情況下，在分隔壁部22的內(nèi)側(cè)，比噴嘴基板23更靠壓電薄膜14側(cè)的空間成為由噴嘴基板23與下部電極13夾著的空間，該空間成為墨室21a。另外，在該結(jié)構(gòu)中，在位移膜17中，從動(dòng)膜Ilb以覆蓋挖入部Ila的方式保持于基板11。
[0060]注意，為了在向外部引出上部電極15時(shí)防止上部電極15與下部電極13電接觸，也可以