號端輸入的復(fù)位信號為第一電位，所述第二晶體管開啟，所述第二電源信號端向所述上拉節(jié)點輸出所述第二電源信號，所述第二電源信號為第二電位；
[0048]所述降噪階段中，所述時鐘信號端輸入的時鐘信號為第一電位，所述第二電容器將所述下拉節(jié)點的電位上拉為第一電位，所述第六晶體管、所述第五晶體管和所述第八晶體管開啟，所述第三電源信號端分別向所述上拉節(jié)點、所述輸出端和所述第十晶體管的柵極輸出所述第三電源信號，所述第三電源信號為第二電位，所述第十晶體管關(guān)斷。
[0049]可選的，在反向掃描時，所述充電模塊包括:第二晶體管;所述復(fù)位模塊包括:第一晶體管;所述上拉模塊包括:第三晶體管、第一電容器和第二電容器;所述第一下拉模塊包括:第四晶體管、第五晶體管和第六晶體管;所述第二下拉模塊包括:第七晶體管;所述補償模塊包括:第八晶體管、第九晶體管和第十晶體管；
[0050]所述充電階段中，所述輸入信號端輸入的輸入信號為第一電位，所述第二晶體管開啟，所述第一電源信號端向所述上拉節(jié)點輸出所述第一電源信號，所述第一電源信號為第一電位；
[0051]所述輸出階段中，所述上拉節(jié)點保持第一電位，所述第三晶體管、第七晶體管和第九晶體管開啟，所述時鐘信號端向所述輸出端輸出所述時鐘信號，所述第三電源信號端向所述下拉節(jié)點輸出所述第三電源信號，所述開關(guān)電源信號端向所述第十晶體管的柵極輸出所述開關(guān)電源信號，所述第三電源信號為第二電位，所述第五晶體管、第六晶體管和第八晶體管關(guān)斷，所述開關(guān)電源信號為第二電位，所述第十晶體管和所述第四晶體管關(guān)斷；
[0052]所述復(fù)位階段中，所述復(fù)位信號端輸入的復(fù)位信號為第一電位，所述第一晶體管開啟，所述第二電源信號端向所述上拉節(jié)點輸出所述第二電源信號，所述第二電源信號為第二電位；
[0053]所述降噪階段中，所述時鐘信號端輸入的時鐘信號為第一電位，所述第二電容器將所述下拉節(jié)點的電位上拉為第一電位，所述第六晶體管、所述第五晶體管和所述第八晶體管開啟，所述第三電源信號端分別向所述上拉節(jié)點、所述輸出端和所述第十晶體管的柵極輸出所述第三電源信號，所述第三電源信號為第二電位，所述第十晶體管關(guān)斷。
[0054]可選的，所述第一下拉模塊包括:第四晶體管、第五晶體管和第六晶體管；
[0055]所述垂直消隱階段中，所述開關(guān)電源端輸入的開關(guān)電源信號為第一電位，所述第四晶體管開啟，所述第三電源信號端向所述輸出端輸出所述第三電源信號，所述第三電源信號為第二電位。
[0056]可選的，所述第一下拉模塊包括:第四晶體管、第五晶體管和第六晶體管;所述補償模塊包括:第八晶體管、第九晶體管和第十晶體管；
[0057]所述水平消隱階段中，所述開關(guān)電源端輸入的開關(guān)電源信號為第一電位，所述上拉節(jié)點保持第一電位，所述第四晶體管、所述第九晶體管和所述第十晶體管開啟，所述第三電源信號端向所述輸出端輸出所述第三電源信號，所述開關(guān)電源端向所述上拉節(jié)點輸出所述開關(guān)電源信號。
[0058]可選的，所述晶體管均為N型晶體管，所述第一電位相對于所述第二電位為高電位。
[0059]第三方面，提供一種柵極驅(qū)動電路，該柵極驅(qū)動電路包括至少兩個級聯(lián)的如第一方面所述的移位寄存器單元。
[0060]第四方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括第三方面所述的柵極驅(qū)動電路。
[0061]本發(fā)明提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是:
[0062]本發(fā)明提供了一種移位寄存器單元、驅(qū)動方法、柵極驅(qū)動電路及顯示裝置。該移位寄存器單元包括:充電模塊、復(fù)位模塊、上拉模塊、第一下拉模塊、第二下拉模塊和補償模塊，在降噪階段，該第一下拉模塊能夠在下拉節(jié)點、來自第三電源信號端的第三電源信號和來自開關(guān)電源端的開關(guān)電源信號的控制下，分別對上拉節(jié)點和輸出端進行降噪，因此，減小了移位寄存器單元中上拉節(jié)點和輸出端的噪音，改善了移位寄存器單元的輸出效果。
【附圖說明】
[0063]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0064]圖1是本發(fā)明實施例提供的一種移位寄存器單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0065]圖2是本發(fā)明實施例提供的另一種移位寄存器單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0066]圖3是本發(fā)明實施例提供的又一種移位寄存器單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0067]圖4是本發(fā)明實施例提供的一種移位寄存器單元的驅(qū)動方法的流程圖；
[0068]圖5是本發(fā)明實施例提供的一種移位寄存器單元的驅(qū)動過程的時序圖；
[0069]圖6是本發(fā)明實施例提供的另一種移位寄存器單元的驅(qū)動過程的時序圖；
[0070]圖7是本發(fā)明實施例提供的一種柵極驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0071]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方式作進一步地詳細描述。
[0072]本發(fā)明所有實施例中采用的晶體管均可以為薄膜晶體管或場效應(yīng)管或其他特性相同的器件，根據(jù)在電路中的作用本發(fā)明的實施例所采用的晶體管主要為開關(guān)晶體管。由于這里采用的開關(guān)晶體管的源極、漏極是對稱的，所以其源極、漏極是可以互換的。在本發(fā)明實施例中，為區(qū)分晶體管除柵極之外的兩極，將其中源極稱為第一極，漏極稱為第二極，因此，晶體管的柵極也可以稱為第三極。按附圖中的形態(tài)規(guī)定晶體管的中間端為柵極、信號輸入端為源極、信號輸出端為漏極。本發(fā)明實施例所采用的開關(guān)晶體管為N型開關(guān)晶體管，N型開關(guān)晶體管為在柵極為高電位時導(dǎo)通，在柵極為低電位時截止。在本發(fā)明實施例中，第一電位為高電位，第二電位為低電位。此外，本發(fā)明各個實施例中的多個信號都對應(yīng)有第一電位和第二電位。第一電位和第二電位僅代表該信號的電位有2個狀態(tài)量，不代表全文中第一電位或第二電位具有特定的數(shù)值。
[0073]圖1是本發(fā)明實施例提供的一種移位寄存器單元的結(jié)構(gòu)示意圖，參考圖1，該移位寄存器單元包括:
[0074]充電模塊10、復(fù)位模塊20、上拉模塊30、第一下拉模塊40、第二下拉模塊50和補償模塊60。
[0075]該充電模塊10分別與第一電源信號端VDD、輸入信號端Input和上拉節(jié)點PU連接，用于在來自該輸入信號端Input的輸入信號的控制下，對該上拉節(jié)點PU進行充電。
[0076]該復(fù)位模塊20分別與第二電源信號端Vss、復(fù)位信號端Reset和該上拉節(jié)點PU連接，用于在來自該復(fù)位信號端Reset的復(fù)位信號的控制下，對該上拉節(jié)點PU進行復(fù)位。
[0077]該上拉模塊30分別與時鐘信號端CLK、該上拉節(jié)點PU、下拉節(jié)點H)和輸出端Output連接，用于在該上拉節(jié)點PU和該下拉節(jié)點F1D的控制下，向該輸出端Output輸出驅(qū)動信號，該驅(qū)動信號為來自該時鐘信號端CLK的時鐘信號。
[0078]該第一下拉模塊40分別與該下拉節(jié)點PD、該上拉節(jié)點PU、第三電源信號端VGL、開關(guān)電源端SW和該輸出端Output連接，用于在該下拉節(jié)點H)、來自該第三電源信號端VGL的第三電源信號和來自該開關(guān)電源端SW的開關(guān)電源信號的控制下，分別對該上拉節(jié)點PU和該輸出端Output進行降噪。
[0079]該第二下拉模塊50分別與該上拉節(jié)點PU、該下拉節(jié)點PD和該第三電源信號端VGL連接，用于在該上拉節(jié)點PU的控制下，拉低該下拉節(jié)點F1D的電位。
[0080]該補償模塊60分別與該上拉節(jié)點PU、該下拉節(jié)點H)、該第三電源信號端VGL和該開關(guān)電源端SW連接，用于在該下拉節(jié)點PD和來自該開關(guān)電源端SW的開關(guān)電源信號的控制下，對該上拉節(jié)點PU的電位進行補償。
[0081 ]綜上所述，本發(fā)明實施例提供了一種移位寄存器單元，該移位寄存器單元包括:充電模塊、復(fù)位模塊、上拉模塊、第一下拉模塊、第二下拉模塊和補償模塊，在降噪階段，該第一下拉模塊能夠在下拉節(jié)點、來自第三電源信號端的第三電源信號和來自開關(guān)電源端SW的開關(guān)電源信號的控制下，分別對上拉節(jié)點和輸出端進行降噪，因此，減小了移位寄存器單元中上拉節(jié)點和輸出端的噪音，改善了移位寄存器單元的輸出效果。
[0082]進一步的，請參考圖2，其為本發(fā)明實施例提供的另一種移位寄存器單元的結(jié)構(gòu)示意圖，該移位寄存器單元在圖1所示的移位寄存器單元的基礎(chǔ)上增加了更優(yōu)選的部件，從而使得本發(fā)明實施例提供的移位寄存器單元具有更好的性能。如圖2所示，在正向掃描時，該充電模塊10，包括:第一晶體管Ml;該復(fù)位模塊20，包括:第二晶體管M2。
[0083]該第一晶體管Ml的第一極與該第一電源信號端VDD連接，該第一晶體管Ml的第二極與該上拉節(jié)點PU連接，該第一晶體管Ml的柵極與該輸入信號端Input連接，該第一晶體管Ml能夠在來自該輸入信號端Input的輸入信號的控制下，向上拉節(jié)點PU輸出來自該第一電源信號端VDD的第一電源信號，該第一電源信號為第一電位，該第一電位為高電位，從而可以實現(xiàn)對該上拉節(jié)點HJ的充電。
[0084]該第二晶體管M2的第一極與該第二電源信號端Vss連接，該第二晶體管M2的第二極與該上拉節(jié)點PU連接，該第二晶體管M2的柵極與該復(fù)位信號端Reset連接，該第二晶體管M2能夠在來自該復(fù)位信號端Reset的復(fù)位信號的控制下，向該上拉節(jié)點PU輸出來自該第二電源信號端Vss的第二電源信號，該第二電源信號為第二電位，該第二電位相對于該第一電位為低電位，從而