一種顯示面板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及到顯示裝置的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及到一種顯示面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的顯示器件、如手機(jī)、iPAD等，其語音執(zhí)行功能都是通過在主板上的麥克風(fēng)芯片來實(shí)現(xiàn)，并且麥克風(fēng)采用MEMS工藝制作完成，使得整個顯示器件的生產(chǎn)流程比較復(fù)雜，影響了顯示器件的生產(chǎn)效率。如圖1所示，圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中的聲波傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。其由上電極5、下電極1、硅背板2、駐極體3、上麥拉敏感膜片6、下麥拉敏感膜片4、聲孔7等構(gòu)成。其中，下電極I制備在硅背板2上，上下麥拉敏感膜片(4、6)設(shè)置在上電極5的兩側(cè)，駐極體3將上電極5及下電極I間隔開，聲孔7設(shè)置在駐極體3、下電極I及硅背板2上，現(xiàn)有集中的聲波傳感器需要安裝在主板上，影響顯示裝置的生產(chǎn)效率，且不便于顯示裝置的薄型化發(fā)展。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型提供了一種顯示面板及顯示裝置，用以提高顯示裝置的生產(chǎn)效率，同時便于顯示裝置的薄型化發(fā)展。
[0004]本實(shí)用新型提供了一種顯示面板，該顯示面板包括襯底基板以及設(shè)置在所述襯底基板上的聲波傳感器。
[0005]在上述技術(shù)方案中，通過將聲波傳感器的結(jié)構(gòu)直接形成在襯底基板上，使得在制備顯示面板其他結(jié)構(gòu)的同時即可形成聲波傳感器，從而簡化了制備顯示面板的工藝，提高了顯示裝置的制備效率，同時，聲波傳感器直接形成在襯底基板上，降低了形成的顯示裝置的厚度，便于顯示裝置的薄型化發(fā)展。
[0006]優(yōu)選的，所述聲波傳感器包括:
[0007]設(shè)置在所述襯底基板上的第一電極層；
[0008]設(shè)置在所述第一電極層上的硅背板；
[0009]設(shè)置在所述硅背板上的支撐層；
[0010]設(shè)置在所述支撐層上的第一膜層；
[0011]設(shè)置在所述第一膜層上的第二電極層；
[0012]設(shè)置在所述第二電極層上的第二膜層；
[0013]且所述第一膜層及所述第二膜層為麥拉膜層，所述第一電極層、所述硅背板、支撐層及所述第一膜層上設(shè)置有連通的聲孔。
[0014]優(yōu)選的，所述顯示面板還包括設(shè)置在襯底基板上的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極層、柵極絕緣層、多晶硅有源層、源漏電極層，所述薄膜晶體管位于襯底基板上的遮擋金屬層上，且通過絕緣層與所述遮擋金屬層電隔離；其中，
[0015]所述聲波傳感器的第一電極層與所述遮擋金屬層同層設(shè)置；
[0016]所述聲波傳感器的硅背板與所述薄膜晶體管中的多晶硅有源層同層設(shè)置；
[0017]所述聲波傳感器的支撐層與所述薄膜晶體管的柵極絕緣層同層設(shè)置；
[0018]所述聲波傳感器的第二電極層與所述薄膜晶體管的柵極層同層設(shè)置。
[0019]優(yōu)選的，所述支撐層的材料為二氧化硅或氮化硅。降低了形成的顯示裝置的厚度，便于顯示裝置的薄型化發(fā)展。
[0020]優(yōu)選的，所述第一膜層和第二膜層均包括第一氮化硅層，設(shè)置在所述第一氮化硅層上的多晶硅層，以及設(shè)置在所述多晶硅層上的第二氮化硅層。
[0021]優(yōu)選的，所述襯底基板、所述第一電極層、所述硅背板、所述支撐層、所述第一膜層和第二膜層均在同一位置設(shè)置通孔，且所述位于所述襯底基板、所述第一電極層、所述硅背板、所述支撐層、所述第一膜層和第二膜層的通孔連通形成聲孔。
[0022]優(yōu)選的，所述顯示面板為液晶顯示面板，所述液晶顯示面板還包括位于第二膜層上方的第一阻擋層、第一鈍化層、第二阻擋層、第一透明導(dǎo)電層、第二鈍化層、第二透明電極層。提高了顯示面板上部件的安全。
[0023]優(yōu)選的，所述顯示面板還包括設(shè)置在襯底基板上的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極層、柵極絕緣層、非晶硅有源層、源漏電極層，其中，
[0024]所述聲波傳感器的第一電極層與所述薄膜晶體管的柵極層同層設(shè)置；
[0025]所述聲波傳感器的硅背板與所述薄膜晶體管中的非晶硅有源層同層設(shè)置；所述聲波傳感器的第二電極層與所述薄膜晶體管的源漏電極層同層設(shè)置。降低了形成的顯示裝置的厚度，便于顯示裝置的薄型化發(fā)展。
[0026]優(yōu)選的，所述第一膜層和第二膜層均包括第一氮化硅層，設(shè)置在所述第一氮化硅層上的非晶硅層，以及設(shè)置在所述非晶硅層上的第二氮化硅層。
[0027]優(yōu)選的，所述襯底基板、所述第一電極層、所述硅背板、所述支撐層、所述第一膜層和第二膜層均在同一位置設(shè)置通孔，且所述位于所述襯底基板、所述第一電極層、所述硅背板、所述支撐層、所述第一膜層和第二膜層的通孔連通形成聲孔。
[0028]優(yōu)選的，所述顯示面板為液晶顯示面板，所述液晶顯示面板還包括設(shè)置于第二膜層上的鈍化層、透明導(dǎo)電層。
[0029]優(yōu)選的，所述聲孔為直通孔或喇叭孔。
[0030]優(yōu)選的，所述顯示面板為OLED顯示面板。
[0031]本實(shí)用新型還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述任一項所述的顯示面板。
[0032]在上述技術(shù)方案中，通過將聲波傳感器的結(jié)構(gòu)直接形成在襯底基板上，使得在制備顯示面板其他結(jié)構(gòu)的同時即可形成聲波傳感器，從而簡化了制備顯示面板的工藝，提高了顯示裝置的制備效率，同時，聲波傳感器直接形成在襯底基板上，降低了形成的顯示裝置的厚度，便于顯示裝置的薄型化發(fā)展。
[0033]優(yōu)選的，所述顯示面板的聲波傳感器用于健康監(jiān)測，所述顯示裝置還包括:
[0034]報警裝置；
[0035]控制裝置，接收所述顯示面板的聲波傳感器監(jiān)測到的聲音振幅，并將所述聲音振幅與設(shè)定閾值進(jìn)行比較，在所述聲音振幅超過設(shè)定閾值時，控制所述報警裝置發(fā)出警報。
[0036]優(yōu)選的，所述控制裝置還用于在所述聲音振幅低于設(shè)定閾值時，控制所述報警裝置發(fā)出警報，并在用戶選擇提高時，控制顯示裝置的音量裝置提高音量到設(shè)定閾值內(nèi)。
【附圖說明】
[0037]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的聲波傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的低溫多晶硅面板的制備流程圖；
[0041]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的非晶硅顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0042]附圖標(biāo)記:
[0043]1-下電極2-硅背板3-駐極體
[0044]4-下麥拉敏感膜片5-上電極6-上麥拉敏感膜片
[0045]7-聲孔10-薄膜晶體管11-柵極層
[0046]12-柵極絕緣層13-有源層14-漏極
[0047]15-源極16-鈍化層20-聲波傳感器
[0048]21-第一電極層22-硅背板23-支撐層
[0049]24-第一膜層25-第二膜層26-第二電極層
[0050]27-聲孔271-第一通孔272-第二通孔
[0051]273-第三通孔30-襯底基板40-透明電極層
【具體實(shí)