相關(guān)申請的交叉引用

本專利申請要求德國專利申請de102014226272.0的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容通過引用并入本文。

本發(fā)明涉及一種反射鏡裝置，特別是一種euv投射曝光設(shè)備的反射鏡裝置。本發(fā)明還涉及一種投射曝光設(shè)備的照明光學(xué)單元、一種具有這樣的照明光學(xué)單元的照明系統(tǒng)以及具有這樣的照明光學(xué)單元的投射曝光設(shè)備。最后，本發(fā)明涉及一種制造微結(jié)構(gòu)化或納米結(jié)構(gòu)化部件的方法，并且涉及根據(jù)該方法制造的部件。

背景技術(shù)：

例如，wo2009/100856a1公開了一種用于投射曝光設(shè)備的分面反射鏡，其具有多個單獨可位移的單獨反射鏡。為確保投射曝光設(shè)備的光學(xué)質(zhì)量，需要可位移單獨反射鏡的非常精確的定位。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明基于改善反射鏡裝置，尤其是投射曝光設(shè)備的反射鏡裝置的目標。此目標通過以下實現(xiàn)：具有至少一個反射鏡和至少兩個導(dǎo)電屏蔽元件的反射鏡裝置，不同電壓可以施加到至少兩個導(dǎo)電屏蔽元件；以及在與至少一個側(cè)表面和/或后側(cè)相鄰的區(qū)域中產(chǎn)生電場場的機構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明，已經(jīng)認識到這樣的電場可以起到屏蔽預(yù)定體積免受自由電荷影響的作用。通過根據(jù)本發(fā)明的屏蔽元件，尤其可以確保屏蔽的反射鏡的后側(cè)后面的體積免受自由電荷影響。尤其可以確保屏蔽敏感部件(尤其是起到控制反射鏡的位移和/或確定反射鏡的位置的作用的部件，尤其是致動器和/或傳感器和/或相關(guān)信號線路)免受自由電荷影響。

反射鏡裝置尤其是用于投射曝光設(shè)備中的光學(xué)部件，尤其是用于euv投射曝光設(shè)備中的光學(xué)部件。反射鏡裝置尤其用于稀薄氣體環(huán)境中，尤其用于具有最高50pa的降低的壓力，尤其是h2的分壓的真空環(huán)境或氫氣環(huán)境中。

反射鏡體的前側(cè)尤其包括反射表面。該前側(cè)尤其可以形成反射表面。反射表面尤其可以延伸在反射鏡體的整個前側(cè)之上。

反射鏡尤其形成為用于euv輻射的反射鏡。其尤其設(shè)計為用于euv范圍內(nèi)的輻射的反射，尤其用于具有5nm至30nm范圍內(nèi)的波長、尤其是13.5nm的波長的輻射。反射表面可以由多層形成。反射鏡也可以為用于duv或vuv輻射的反射鏡。

反射鏡裝置尤其適用于可抽真空的腔中。其尤其可以布置在投射曝光設(shè)備的可抽真空的腔中，可抽真空的腔在投射曝光設(shè)備運行期間抽真空到低于50pa，尤其是低于20pa，尤其是低于10pa，尤其是低于5pa的壓力。此壓力特別地給出腔中的氫氣的分壓。

反射鏡裝置尤其適用于部分或完全電離的環(huán)境中，尤其在等離子體環(huán)境中。

還已經(jīng)認識到，照明輻射可以導(dǎo)致反射鏡裝置的環(huán)境中的電離或等離子體形成。在沒有適當?shù)谋Ｗo措施的情況下，這可具有以下效應(yīng)：帶電粒子到達反射鏡的后側(cè)，尤其是反射鏡后面的體積，尤其是用于反射鏡的位移的致動器和/或傳感器和/或它們的連接線路，并且因此導(dǎo)致反射鏡的定位的擾動。根據(jù)本發(fā)明，設(shè)想通過以下來防止此發(fā)生：在與反射鏡的至少一個側(cè)表面和/或后側(cè)相鄰的區(qū)域中產(chǎn)生電場。適當電場可以尤其具有以下效果：防止由照明輻射電離的粒子到達反射鏡后面要保護的體積。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，電場具有高達10⁷v/m的場強度，尤其是高達10⁸v/m。場強度尤其為最低10⁵v/m，尤其最高10⁶v/m。

電場可以尤其具有以下效果：屏蔽直接在反射鏡體后面的區(qū)域中的體積，尤其是平行投射的情況下在與未樞轉(zhuǎn)狀態(tài)下的反射鏡的反射表面的法線平行的方向上定界的體積。此體積也稱為投影體積。

敏感部件，尤其是敏感電子部件，和/或?qū)w軌道和/或?qū)﹄婋x的粒子敏感反應(yīng)的材料，可以布置在屏蔽的體積中。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，在反射鏡的尤其與反射鏡的反射表面的前述法線垂直地延伸的側(cè)表面相鄰的區(qū)域中產(chǎn)生電場。可以尤其在兩個相鄰反射鏡之間的區(qū)域中產(chǎn)生電場，也就是說在兩個相鄰反射鏡之間的中間空間的區(qū)域中。這可以具有以下效果：防止帶電粒子能夠穿過此中間空間從反射鏡的前側(cè)前面的體積到反射鏡的后側(cè)。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，屏蔽元件形成為導(dǎo)體軌道、導(dǎo)線、導(dǎo)電條或摻雜硅的層或包括這樣的結(jié)構(gòu)。屏蔽元件可以尤其覆蓋反射鏡的側(cè)壁的整個表面區(qū)域。其也可以僅覆蓋反射鏡的側(cè)壁的較窄條。所述條尤其平行于反射鏡的反射表面行進，尤其到反射鏡的側(cè)表面的前邊界?？傮w上已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，此條形成得越寬，則可以選擇施加到屏蔽元件的越低的屏蔽電壓?？梢杂绕渫ㄟ^反射鏡體中的供電線路將電壓施加到屏蔽元件。

屏蔽元件也可以由多個導(dǎo)線構(gòu)成，尤其是網(wǎng)格，或包括這樣的網(wǎng)格。其也可以形成為線圈的形式或在每個情況下包括一個或多個線圈或類似線圈的結(jié)構(gòu)的形式。在此情況下，可以由線圈或類似線圈的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的磁場也可以起到屏蔽自由電荷載流子的作用。在此情況下，導(dǎo)體軌道中的電流強度是屏蔽效應(yīng)的決定性參數(shù)。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，導(dǎo)電屏蔽元件中的至少一個布置在至少一個側(cè)表面的區(qū)域中和/或在反射鏡的后側(cè)上或后面的區(qū)域中。在反射鏡的朝前的反射表面的情況下，屏蔽元件可以尤其布置在反射鏡的后側(cè)后面。

已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，因此，可以有效屏蔽反射鏡體后面的區(qū)域中的體積。

導(dǎo)電屏蔽元件可以直接布置在反射鏡體上或中。其也可以布置在基板上，該基板起到反射鏡體的機械安裝的作用。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，反射鏡裝置包括將電壓施加到導(dǎo)電屏蔽元件中的至少一個的電壓源，尤其是-300v至300v的范圍中的電壓。由電壓源產(chǎn)生的可用的電壓的量尤其為最低10v，尤其為最低20v，尤其為最低30v，尤其為最低50v，尤其為最低70v。該電壓尤其為最高300v，尤其最高200v。該電壓可以尤其為最高100v。

根據(jù)本發(fā)明，已經(jīng)認識到，屏蔽自由電荷載流子所需的屏蔽電壓的值取決于反射鏡體的幾何形狀，尤其取決于它們在垂直于反射表面的方向上的范圍，以及相鄰反射鏡體之間的距離。其還取決于照明輻射的光子的能量以及反射鏡元件的區(qū)域中的氣體粒子的電離能量。已經(jīng)可以示出，可以用屏蔽電壓的前述值實現(xiàn)敏感部件的有效屏蔽。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，將直流電壓，尤其是實質(zhì)上不變的直流電壓，施加到屏蔽元件。用于施加到屏蔽元件的電壓也稱為屏蔽電壓。根據(jù)本發(fā)明的一方面，屏蔽電壓至少如信號線路中提供用于控制反射鏡的定位的電壓一樣大。屏蔽電壓尤其為信號線路中提供用于控制反射鏡的定位的電壓的至少2倍，尤其為至少3倍，尤其為至少5倍，尤其為至少10倍。特別地，將最高100v的電壓，尤其是最高24v，尤其是最高12v，尤其是最高6v，尤其是最高3.3v的電壓，施加到信號線路。

可以根據(jù)屏蔽元件的幾何布置和要屏蔽的區(qū)域來選擇屏蔽電壓的精確值。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，反射鏡裝置包括控制裝置，用于將施加到導(dǎo)電屏蔽元件中的至少一個的電壓控制到設(shè)定點值。這使得可以將屏蔽電壓靈活適配于各要求。在此情況下，屏蔽也稱為有源屏蔽。其應(yīng)當理解為尤其是指將受控制的電壓施加到屏蔽線路。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，屏蔽元件分別成對布置。這使得較易精確控制起到屏蔽自由電荷作用的電場。

尤其可以設(shè)想在反射鏡體的一個或多個中的每一個中，尤其在全部反射鏡體中，布置幾個，尤其是兩個，尤其是四個，屏蔽元件。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，屏蔽元件分別布置在反射鏡體的不同側(cè)表面中或上。根據(jù)本發(fā)明的一方面，屏蔽元件尤其布置在反射鏡體的側(cè)表面中的每一個中或上。這使得尤其可以在相鄰反射鏡之間的全部區(qū)域中的每一個中產(chǎn)生用于屏蔽自由電荷的電場。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，反射鏡裝置包括多個反射鏡。反射鏡尤其布置為陣列，尤其布置為行和列，也就是說布置為矩陣的形式。本發(fā)明尤其涉及這樣的反射鏡陣列，其也稱為多反射鏡陣列。反射鏡裝置的反射鏡的數(shù)目尤其為至少100，尤其為至少1000，尤其為至少10000，尤其為至少100000。數(shù)目通常小于1000000。

反射鏡裝置尤其形成為微機電系統(tǒng)(mems)，尤其形成為微光機電系統(tǒng)(moems)。反射鏡裝置尤其可以充當投射曝光設(shè)備的照明光學(xué)單元的分面反射鏡，尤其是場分面反射鏡，或形成這樣的分面反射鏡。

反射鏡裝置的相鄰反射鏡布置為分別彼此間隔開小的空隙。在此設(shè)想將空隙保持為盡可能小，尤其是盡可能窄。空隙的相對尺寸可以表征為反射鏡裝置的填充因子。此值也稱為集成密度。集成密度尤其是指單獨反射鏡的反射表面的總和與反射鏡裝置的總表面積的比，也就是說反射鏡的反射表面或它們之間的空隙的總和。反射鏡裝置的填充因子或集成密度為至少0.5，尤其為至少0.6，尤其為至少0.7，尤其為至少0.8，優(yōu)選地為至少0.9，優(yōu)選地為至少0.96。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，屏蔽元件或屏蔽元件的對分別分配到兩個相鄰反射鏡之間的每個空隙。也可以為空隙分配多于兩個屏蔽元件。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，至少一個屏蔽元件分別布置在兩個相鄰反射鏡之間的空隙后面的區(qū)域中。在此情況下，屏蔽元件優(yōu)選地布置在基板上，該基板起到用于反射鏡體的安裝和/或用于反射鏡的位移的控制電子器件的布置的作用。

空隙后面的區(qū)域在這里尤其是指反射鏡體的后側(cè)上的體積區(qū)域，當存在直線軌跡時，來自反射鏡體的前側(cè)前面的體積區(qū)域的自由電荷原則上可以到達該反射鏡體的后側(cè)上的體積區(qū)域。其可以尤其為由兩個相鄰反射鏡之間的空隙的區(qū)域到基板上的投影所限定的區(qū)域。投影可以為到基板上的垂直投影。其也可以為到基板上的傾斜投影。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，兩個屏蔽元件分別成對布置在相鄰反射鏡的相互相對的側(cè)表面的區(qū)域中。它們尤其起到在相鄰反射鏡之間的空隙的區(qū)域中建立電場的作用。

空隙后面的區(qū)域中的屏蔽元件和/或成對布置在空隙的相互相對的側(cè)上的屏蔽元件是防止來自反射鏡前側(cè)前面的區(qū)域的電荷，尤其是高能量電荷載流子，到達反射鏡的后側(cè)后面的區(qū)域，尤其是帶有敏感電子部件的區(qū)域的特別有效的方式。這允許改善單獨反射鏡的定位。這尤其可以改善單獨反射鏡的定位的穩(wěn)定性。

本發(fā)明的其他目標涉及改善投射曝光設(shè)備的照明光學(xué)單元和照明系統(tǒng)以及對應(yīng)的投射曝光設(shè)備。這些目標通過具有根據(jù)前述的至少一個反射鏡裝置的照明光學(xué)單元或照明系統(tǒng)和具有這樣的照明光學(xué)單元的投射曝光設(shè)備實現(xiàn)。其優(yōu)點由反射鏡裝置的那些優(yōu)點而明顯。

本發(fā)明的其他目標是改善制造微結(jié)構(gòu)化或納米結(jié)構(gòu)化部件的方法以及對應(yīng)的部件。這些目標通過提供根據(jù)本發(fā)明的投射曝光設(shè)備實現(xiàn)。其優(yōu)點同樣由反射鏡裝置的那些優(yōu)點而明顯。

附圖說明

從參考附圖對示例性實施例的描述，本發(fā)明的其他細節(jié)和優(yōu)點將變得顯而易見。在附圖中：

圖1示出了微光刻投射曝光設(shè)備的示意性表示，

圖2示出了兩個相鄰單獨反射鏡的區(qū)域中的多反射鏡陣列的截面表示的細節(jié)的示意性表示，

圖3a和圖3b示出了來自圖2的區(qū)域iii的細節(jié)的放大圖，其具有用于單獨反射鏡的位移的致動器的不同活動狀態(tài)下的電場的場線圖案的示例性表示，

圖4示例性示出了來自多反射鏡陣列的平面圖的細節(jié)，其用于示例性圖示相鄰單獨反射鏡的側(cè)表面的區(qū)域中的屏蔽電極的對的布置，

圖5示例性示出了制造單獨反射鏡的方法的情況下的中間產(chǎn)品的序列的俯視圖(左手側(cè)列)、仰視圖(右手側(cè)列)以及垂直截面(中間列)，

圖6示出了在制造保持銷的方法的情況下的對應(yīng)于圖5的表示，

圖7示出了在制造由如圖5所示的反射鏡和由圖6所示的保持銷組裝的反射鏡元件的方法的情況下的對應(yīng)于圖5和圖6的表示，

圖8示出了穿過在制造來自如圖7所示的組裝的反射鏡的多反射鏡陣列的方法的情況下的中間產(chǎn)品的垂直截面的表示，

圖9至12示出了根據(jù)替代例的如圖5至圖8中所示的表示，

圖13示出了屏蔽元件的可替代實施例的如圖2所示的表示，并且

圖14示出了在如圖13中所示的屏蔽元件的啟動的情況下的電場的場線的示例性圖案的表示。

具體實施方式

接下來首先是例如對微光刻投射曝光設(shè)備1的總體結(jié)構(gòu)和主要部件部分的描述?？傮w細節(jié)的描述應(yīng)當理解為純粹示例性的，尤其非限制性的。

圖1示意性示出了子午截面中的微光刻投射曝光設(shè)備1。投射曝光設(shè)備1的照明系統(tǒng)2除輻射源3外具有用于物平面6中的物場5的曝光的照明光學(xué)單元4。物場5可以成形為矩形形式或弓形形式，其具有例如13/1的x/v縱橫比。在此情況下，將布置在物場5中的反射式掩模母版30(圖1中未示出)曝光，所述掩模母版承載將要由投射曝光設(shè)備1投射的結(jié)構(gòu)，以制造微結(jié)構(gòu)化或納米結(jié)構(gòu)化半導(dǎo)體部件。投射光學(xué)單元7起到將物場5成像到像平面9中的像場8中的作用。掩模母版30的結(jié)構(gòu)被成像到晶片的光敏層上，晶片未在附圖中示出且布置在像平面9中的像場8的區(qū)域中。

在投射曝光設(shè)備1的運行期間，在y方向上同步掃描由掩模母版保持器(未示出)保持的掩模母版30以及由晶片保持器(未示出)保持的晶片。取決于投射光學(xué)單元7的成像比例，還可以在相對于晶片的相反方向上掃描掩模母版30。

輻射源3為euv輻射源，其具有5nm至30nm之間的范圍中的發(fā)射的使用的輻射。這可以為等離子體源，例如gdpp(氣體放電產(chǎn)生等離子體)源或lpp(激光產(chǎn)生等離子體)源。還可以為其他euv輻射源，例如基于同步加速器的那些或基于自由電子激光器(fel)的那些。

輻射源還可以為vuv輻射源，尤其用于產(chǎn)生波長小于200nm的輻射。

從輻射源3產(chǎn)生的euv輻射10由集光器11聚焦。對應(yīng)的集光器從例如ep1225481a已知。集光器11的下游，euv輻射10在入射在場分面反射鏡13上之前傳播穿過中間焦平面12。場分面反射鏡13布置在照明光學(xué)單元4的關(guān)于物平面6光學(xué)共軛的平面中。

euv輻射10在后文中也稱為使用的輻射、照明光或成像光。使用的輻射也可以為vuv輻射，尤其具有小于200nm的波長。

場分面反射鏡13的下游，euv輻射10由光瞳分面反射鏡14反射。光瞳分面反射鏡14或者位于照明光學(xué)單元7的入射光瞳平面中，或者位于關(guān)于該入射光瞳平面的光學(xué)共軛平面中。場分面反射鏡13和光瞳分面反射鏡14由多重單獨反射鏡構(gòu)建，其將在后面更詳細描述。在此情況下，場分面反射鏡13細分為單獨反射鏡可以使得自身照明整個物場5的場分面19中的每一個由精確的一個單獨反射鏡代表?？商娲兀梢允褂枚鄠€這樣的單獨反射鏡構(gòu)建場分面19中的至少一些或全部。同樣相應(yīng)地適用于光瞳分面反射鏡14的光瞳分面20的配置，其分別分配到場分面19，且在每個情況下可由單個單獨反射鏡或由多個這樣的單獨反射鏡形成。

euv輻射10以小于或等于25°的入射角照射在兩個分面反射鏡13、14上。因此，在法向入射操作的范圍內(nèi)，euv輻射10照射在兩個分面反射鏡上。也可以是具有掠入射的照射。光瞳分面反射鏡14布置在照明光學(xué)單元4的一平面中，該平面構(gòu)成投射光學(xué)單元7的光瞳平面或關(guān)于投射光學(xué)單元7的光瞳平面光學(xué)共軛。借助于光瞳分面反射鏡14和成像光學(xué)組合件，場分面反射鏡13的場分面19以彼此疊加的方式成像到物場5中，成像光學(xué)組合件為傳輸光學(xué)單元15的形式，其具有以euv輻射10的束路徑的順序指定的反射鏡16、17以及18。傳輸光學(xué)單元15的最后反射鏡18為用于掠入射的反射鏡(“掠入射反射鏡”)。傳輸光學(xué)單元15與光瞳分面反射鏡14一同也稱為用于將euv輻射10從場分面反射鏡13朝向物場5傳遞的順序光學(xué)單元。經(jīng)由多個照明通道將照明光10從輻射源3朝向物場5引導(dǎo)。這些照明通道中的每一個分配場分面反射鏡13的場分面19和光瞳分面反射鏡14的光瞳分面，所述光瞳分面設(shè)置在場分面的下游。場分面反射鏡13的單獨反射鏡和光瞳分面反射鏡14的的單獨反射鏡可以由致動器系統(tǒng)可傾斜，使得可以實現(xiàn)光瞳分面20到場分面19的分配的改變且相應(yīng)地可以實現(xiàn)照明通道的改變的配置。這導(dǎo)致不同照明設(shè)定，其在物場5上照明光10的照明角度的分布上不同。

為了便于位置關(guān)系的解釋，在下面尤其采用了全局笛卡爾xyz坐標系統(tǒng)。在圖1中，x軸垂直于附圖的平面朝向觀察者行進。y軸在圖1中朝向右側(cè)行進。z軸在圖1中朝上行進。

可以通過場分面反射鏡13的單獨反射鏡的相應(yīng)傾斜和場分面反射鏡13的所述單獨反射鏡到光瞳分面反射鏡14的單獨反射鏡的分配的相應(yīng)改變，實現(xiàn)不同照明設(shè)定。取決于場分面反射鏡13的單獨反射鏡的傾斜，如果必要，通過傾斜追蹤新分配到所述單獨反射鏡的光瞳分面反射鏡14的單獨反射鏡，使得再次確保場分面反射鏡13的場分面19成像到物場5中。

多反射鏡陣列或微反射鏡陣列(mma)形式的場分面反射鏡13形成光學(xué)組合件，用于引導(dǎo)使用的輻射10，也就是說euv輻射束。場分面反射鏡13形成為微機電系統(tǒng)(mems)。其具有以陣列中的行和列布置為類似于矩陣的形式的多重單獨反射鏡27。單獨反射鏡27設(shè)計為由致動器系統(tǒng)可傾斜，如將在下面解釋的。總體上，場分面反射鏡13具有大約100000個單獨反射鏡27。取決于單獨反射鏡27的尺寸，場分面反射鏡13也可以具有例如1000、5000、7000或幾十萬個單獨反射鏡27，尤其為至少100000個，尤其為至少300000個，尤其為至少500000個。

光譜濾光器可以布置在場分面反射鏡13的上游，也就是說在場分面反射鏡13的輻射源3之間，光譜濾光器將使用的輻射10與輻射源3發(fā)射的對于投射曝光不可用的其他波長成分分離。光譜濾光器未示出。

具有840w功率和6.5kw/m²功率密度的使用的輻射10照射在場分面反射鏡13上。通常，也可以為其他功率或功率密度。功率密度為至少500w/m²，尤其為至少1kw/m²，尤其為至少5kw/m²，尤其為至少10kw/m²，尤其為至少60kw/m²。

分面反射鏡13的整個單獨反射鏡陣列具有500mm的直徑，并且以單獨反射鏡27緊密堆積的方式設(shè)計。在每個情況下通過精確的一個單獨反射鏡實現(xiàn)場分面19的范圍內(nèi)，除比例因數(shù)之外，單獨反射鏡27表示物場5的形狀。分面反射鏡13可以由500個單獨反射鏡27形成，每一個單獨反射鏡27表示場分面19并且具有在y方向上大約5mm的尺寸和在x方向上大約100mm的尺寸。作為通過精確的一個單獨反射鏡27實現(xiàn)每個場分面19的替代，場分面19中的每一個可以由較小的單獨反射鏡27的組近似。例如可以通過具有5mm×5mm的尺寸的單獨反射鏡27的1×20陣列直到具有0.5mm×0.5mm的尺寸的單獨反射鏡27的10×200陣列，構(gòu)建在y方向上具有5mm尺寸且在x方向上具有100mm尺寸的場分面19。也可能有反射鏡表面的更復(fù)雜的劃分。單獨反射鏡27尤其可以單獨地傾斜。整個場分面陣列被單獨反射鏡27的覆蓋面積可以為至少70％，尤其為至少80％，尤其為至少90％。

使用的光10由分面反射鏡13的單獨反射鏡27反射朝向光瞳分面反射鏡14。光瞳分面反射鏡14具有大約2000個靜態(tài)光瞳分面20。后者以多個同心環(huán)彼此并排布置，使得最內(nèi)環(huán)的光瞳分面20制造為扇形形式，并且與其直接相鄰的環(huán)的光瞳分面20制造為環(huán)扇形形式。在光瞳分面反射鏡14的四分之一圓中，12個光瞳分面20可以呈現(xiàn)為在環(huán)中的每一個中彼此并排。在每個情況下，光瞳分面20可以形成為簡單連接的方式。同樣可以有光瞳分面20的一些其他布置。它們也可以由多重單獨反射鏡27形成。光瞳分面反射鏡14也可以尤其形成為具有多重單獨反射鏡27的多反射鏡陣列(mma)。其可以尤其形成為mems。其通常形成第二分面的反射鏡。

使用的光10由光瞳分面20朝向反射式掩模母版30反射，反射式掩模母版30布置在物平面6中。之后是投射光學(xué)單元7，如上面解釋的。

場分面反射鏡13的單獨反射鏡27和光瞳分面反射鏡14的單獨反射鏡27承載多層涂層，用于優(yōu)化其在使用的輻射10的波長的反射性。在投射曝光設(shè)備1的運行期間，多層涂層的溫度不應(yīng)超過425k。

對于單獨反射鏡27的結(jié)構(gòu)的細節(jié)以及它們的可位移性，應(yīng)當參考wo2010/049076a1。該公開的全部內(nèi)容并入本申請作為一部分。

照明光學(xué)單元4容納在可抽真空腔32中，其邊界壁33如圖1所示。腔32經(jīng)由流體管線26與真空泵31連通，流體管線26中容納斷流閥28。

可抽真空腔32中的操作壓強為幾pa(h2的分壓)。氫氣的分壓尤其最高為50pa，尤其最高為20pa，尤其最高為10pa，尤其最高為5pa。全部其他分壓顯著低于1×10^-7mbar。腔32可以尤其抽真空到高度真空或超高度真空。

連同可抽真空腔32，具有多個單獨反射鏡27的反射鏡是引導(dǎo)euv輻射10的束的光學(xué)部件的組成部分。單獨反射鏡27可以為分面反射鏡13、14中的一個的部分。

單獨反射鏡27中的每一個可以具有可照射反射表面34，其具有0.5mm×0.5mm或5mm×5mm或更大的的尺寸。反射表面34是單獨反射鏡27的反射鏡體35的部分。反射鏡體35承載多層涂層。單獨反射鏡27或其反射表面34因此也可以具有其他尺寸。它們尤其形成為瓦片，用它們可以嵌合二維表面區(qū)域。它們尤其形成為三角形、四邊形，尤其是正方形或六邊形形式。它們的側(cè)長度具有尤其最大10mm的尺寸，尤其最長為5mm，尤其最長為3mm，尤其最長為1mm，尤其最長為0.5mm，尤其最長為0.3mm，尤其最長為0.1mm。它們可因此尤其為微反射鏡。這些可以尤其理解為具有微米范圍內(nèi)的尺寸的反射鏡。

單獨反射鏡27為各通過致動器裝置可位移的，也就是說是可定位的，致動器裝置具有幾個電磁地、尤其靜電地操作的致動器。致動器可以在批量工藝中制造為微機電系統(tǒng)(mems)。對于細節(jié)，應(yīng)當再次參考wo2010/049076a1。

反射鏡體35上的反射表面34的總和大于由場分面反射鏡13的全部反射表面所覆蓋的總表面積的0.5。在此情況下，總表面積限定為反射表面34的總和加上由反射表面34之間的空隙所覆蓋的面積。一方面，反射鏡體的反射表面的總和與此總表面積的比率也稱為集成密度。此集成密度還可以大于0.6，尤其大于0.7，尤其大于0.8，尤其大于0.9。

借助于投射曝光設(shè)備1，掩模母版30的至少一個部分成像到晶片上的光敏層的區(qū)域上，用于微結(jié)構(gòu)化或納米結(jié)構(gòu)化部件的光刻制造，尤其是半導(dǎo)體部件(例如微芯片)的光刻制造。取決于投射曝光設(shè)備1的實施例為掃描儀還是步進器，在掃描儀操作中，掩模母版30與晶片以臨時同步的方式在y方向上連續(xù)移動，或在步進器操作中，掩模母版30與晶片以臨時同步的方式在y方向上逐步移動。

照明光學(xué)單元4優(yōu)選地在高度真空或超高度真空中運行。等離子體45，尤其是氫等離子體，可以在單獨反射鏡27前面的區(qū)域中形成，尤其在具有反射表面34的反射鏡體35前面形成。尤其可以通過使用的輻射10的高能量光子產(chǎn)生等離子體45。等離子體45的特性因此尤其取決于輻射源3的特性，尤其是其操作模式，尤其是其脈沖頻率和/或脈沖持續(xù)時間和/或強度，以及腔32中的氣氛。

接下來是形成為多反射鏡陣列29(mma)的分面反射鏡13的其他細節(jié)的描述。多反射鏡陣列29通常形成多重單獨反射鏡27的反射鏡裝置。單獨反射鏡27布置在承載結(jié)構(gòu)36上。對于細節(jié)，應(yīng)當尤其參考wo2010/049976a1。

反射鏡裝置通常包括反射鏡27中的至少一個。多反射鏡陣列(mma)29的單獨反射鏡27的數(shù)目在1至1000000的范圍內(nèi)。數(shù)目原則上也可以比之更大。數(shù)目原則上可以根據(jù)需要自由選擇。

單獨反射鏡27可以在每個徑向方向上樞轉(zhuǎn)至少80mrad，尤其至少100mrad，尤其至少120mrad。它們具有尤其至少兩個位移自由度，尤其是至少兩個樞轉(zhuǎn)自由度。

形成為微反射鏡的單獨反射鏡27懸掛在微觀彎曲結(jié)構(gòu)上。后者可以從薄硅晶片或金屬膜等切割出來或蝕刻出來。彎曲結(jié)構(gòu)可以尤其二維地形成，也就是說以膜的形式，或以梁或萬向的形式。

單獨反射鏡27由致動器系統(tǒng)可位移的。致動優(yōu)選地為靜電式或機電式或壓電式。對此的替代也相似地可能。

多反射鏡陣列(mma)29通過微結(jié)構(gòu)化制造，尤其通過微機電結(jié)構(gòu)化步驟的序列制造，尤其使用例如以下的方法步驟制造：光刻步驟、沉積、接合或成形。多反射鏡陣列尤其由在加工后彼此接合的幾個單獨晶片制造。細節(jié)在下面更具體地描述。

電連接，尤其是電路，可以如下制造：水平行進的那些，也就是說在平行于晶片表面的方向上行進的那些，可以作為薄金屬或摻雜的半導(dǎo)體層施加到單獨晶片的表面。可以為此提供印制或氣相沉積工藝。垂直電連接，也就是說延伸穿過晶片(例如承載結(jié)構(gòu)36)的連接，可以制造為例如所謂的穿透硅通孔。對此也可以提供具有微機電結(jié)構(gòu)化步驟的方法(mems方法)。結(jié)構(gòu)化步驟可以尤其包括用于在基板中制造凹陷(尤其是溝槽)的蝕刻步驟，以及對其后續(xù)的填充，尤其是用導(dǎo)電材料，例如金屬或摻雜的半導(dǎo)體材料，或用電絕緣材料填充。

反射表面34布置在反射鏡體35的朝前的前側(cè)上。反射表面尤其形成前側(cè)。反射鏡35的與單獨反射鏡27的反射表面34相對的側(cè)稱為反射鏡體27的后側(cè)21。后文使用的方向指示“前面”和“后面”涉及反射鏡體35前面和后側(cè)的對準。它們尤其起到易于描述位置關(guān)系的作用。

反射表面34形成為正方形形式。其通常優(yōu)選地形成為四邊形形式、尤其為平行四邊形形式，尤其是矩形或六邊形形式。其原則上也可以具有可替代的幾何形式。其尤其形成為使得反射鏡裝置的全部反射表面可以在實質(zhì)上沒有任何空隙的情況下由單獨反射鏡27嵌合。

反射鏡體35各自具有四個側(cè)表面22。側(cè)表面22分別在反射鏡體35的前側(cè)與其后側(cè)21之間行進。側(cè)表面尤其關(guān)于反射鏡體35的前側(cè)和后側(cè)21垂直地行進。側(cè)表面也可以關(guān)于這些側(cè)傾斜地行進。在此情況下，反射鏡體35形成為截頭棱錐形式。

在如圖2所示的實施例的情況下，間隔體41布置在反射鏡體35與承載結(jié)構(gòu)36之間。間隔體41也充當反射鏡懸架。反射鏡懸架將反射鏡的樞轉(zhuǎn)點固定在離基部板的固定距離處。

通常，多反射鏡陣列29形成為微機電系統(tǒng)(mems)。單獨反射鏡27柔性地(尤其可樞轉(zhuǎn)地)安裝。在單獨反射鏡27的后側(cè)21后面的區(qū)域中，提供電子電路，尤其是致動器和/或傳感器電路，尤其是用于控制單獨反射鏡27的位移。電路尤其形成為特定用途集成電路(asic)。asic接合到支承結(jié)構(gòu)的后側(cè)上。致動器或傳感器與asic之間的電力線路行進穿過支承結(jié)構(gòu)36。asic可以尤其布置在包封的區(qū)域中，尤其在密閉地密封的區(qū)域中，尤其是與外部真空密閉的區(qū)域中。它們尤其可以形成為和/或布置為使得它們可以用于真空環(huán)境中。

接下來是對多反射鏡陣列的其他細節(jié)的描述，其尤其用于保護電子器件，尤其是反射鏡后面的電子部件(尤其是電路和/或致動器系統(tǒng)和/或傳感器系統(tǒng)，還可能是asic)免受帶電粒子影響，帶電粒子尤其可能由照明輻射產(chǎn)生。尤其提供機構(gòu)，其防止由照明輻射10產(chǎn)生的等離子體45穿透單獨反射鏡27之間并且影響布置在反射鏡體35的后側(cè)21后面的電子器件，尤其是其傳感器和/或致動器和/或信號線路。

根據(jù)本發(fā)明所提供的措施的有效性已經(jīng)被證實，尤其通過模擬而被分析地證實。

通常已經(jīng)認識到，可以通過在反射鏡體35的側(cè)表面22之間的區(qū)域中產(chǎn)生電場23來防止帶電粒子從反射鏡體35的前側(cè)前面的體積區(qū)域穿透到其后側(cè)21后面的區(qū)域中。

根據(jù)本發(fā)明，已經(jīng)認識到，可以由帶電粒子的動能、脈沖和電場強度分布確定帶電粒子在電場中的軌跡。還已經(jīng)認識到，可以通過場23的電場強度的適當適配來防止具有已知最大動能的帶電粒子從反射鏡體35的前側(cè)前面的區(qū)域穿過到反射鏡體35的后側(cè)21后面的區(qū)域中。

取決于反射鏡體35的厚度d，尤其是屏蔽電極25的對應(yīng)范圍，以及相鄰反射鏡體35之間的距離g，照明輻射10的光子的已知的能量eph(對于euv，eph＝91.8ev)以及腔32中的氣體粒子的電離能量eion(對于h2，eion＝15.4ev)，可以確定需要多高的電壓ur以有效地減速電離的粒子。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，50v至100v數(shù)量級的電壓ur足以防止帶電粒子能夠從等離子體45穿過到反射鏡體35的后側(cè)21后面的區(qū)域中。

尤其對于防止帶電粒子從等離子體穿透到反射鏡體35的后側(cè)21后面的區(qū)域中所需的電壓ur已經(jīng)獲得下面的估計：

對于d＞4g，

其中e指代元電荷。

這些估計基于以下假設(shè)：反射鏡體35的側(cè)表面22之間的空隙54的區(qū)域中的電場23為最大程度均勻。已經(jīng)可以通過逼真的模擬示出，這對于足夠的近似度是正確的。場線的示例性分布如圖3a和圖3b所示。在此已經(jīng)假設(shè)，梳電極24的對在每個情況下起到位移單獨反射鏡27的作用。梳電極24分別具有20μm·20μm的尺寸。它們在每個情況下布置在反射鏡體35的后側(cè)21上。它們尤其布置在反射鏡體35的側(cè)表面22的區(qū)域中。對于模擬假設(shè)向它們施加200v的最高電壓。

對于模擬還假設(shè)了反射鏡體35具有在平行于它們的前側(cè)和后側(cè)21的方向上的600μm的尺寸、70μm的厚度d以及保持在距間隔體41上的承載結(jié)構(gòu)36的50μm的距離。間隔體41具有140μm的直徑。相鄰反射鏡體35之間的距離g為35μm。這些尺寸對應(yīng)于相應(yīng)的反射鏡裝置中的實際條件。它們不應(yīng)理解為限制性的?？梢栽跊]有任何問題的情況下根據(jù)本發(fā)明提供屏蔽元件對反射鏡的替代實施例的適配，尤其對具有1mm的尺寸的反射鏡體的適配。

在如圖2中所示的示例性實施例的情況下，為了在反射鏡體35的側(cè)表面22之間的區(qū)域中產(chǎn)生電場23，屏蔽電極25分別布置在側(cè)表面22的區(qū)域中。屏蔽電極25在每個情況下實質(zhì)上在反射鏡體35的整個側(cè)表面22之上延伸，尤其在其整個厚度d之上延伸。否則，在上面呈現(xiàn)的ur的公式中，d指代屏蔽電極25在反射鏡體35的厚度的范圍的方向上的范圍。

屏蔽電極25的表面積對反射鏡體35的側(cè)表面22的比尤其為至少0.5，尤其為至少0.7，尤其為至少0.8，尤其為至少0.9，尤其為至少0.95，尤其為至少0.99。

提供電壓源63用于將屏蔽電壓ur施加到屏蔽電極25。電壓源63僅在附圖中示意性指示。電壓源可以為多反射鏡陣列29的組成部分。電壓源尤其可以布置在承載結(jié)構(gòu)36的區(qū)域中。電壓源還可以為外部電壓源。

電壓源63通過供電線路64連接到屏蔽電極25。供電線路64至少部分布置在反射鏡體35中和承載結(jié)構(gòu)36中。

圖3a示出了以下情況：激活相鄰的單獨梳反射鏡27的梳電極24，使得由它們產(chǎn)生的電場與各自的反射鏡體35的側(cè)表面22之間的電場23實質(zhì)上相反地對準。圖3b示出了以下情況：由梳電極24產(chǎn)生的電場指向與在對應(yīng)的反射鏡體35的側(cè)表面22之間的區(qū)域中由屏蔽電極25產(chǎn)生的電場23相同的方向。

如可以從圖3a和圖3b定性地所見，由梳電極24產(chǎn)生的電場在所述的條件下對相鄰的單獨反射鏡27的側(cè)表面22之間的區(qū)域中的電場23中的電場強度的分布具有可忽略的影響(如果有任何影響)。此區(qū)域中的電場23由施加到屏蔽電極25的電壓ur支配。80v的屏蔽電壓ur導(dǎo)致單獨反射鏡27的后側(cè)21后面的體積區(qū)域的完全電屏蔽。由屏蔽電極25產(chǎn)生的電場23實質(zhì)上被限制到相鄰的單獨反射鏡27的側(cè)表面22之間的區(qū)域。施加屏蔽電壓ur具有產(chǎn)生平行等勢線的高原的效果。換而言之，電場23可以視為均勻的且平行于單獨反射鏡27的反射表面34。盡管到達反射鏡體35的前側(cè)前面的區(qū)域中的電場23可具有對此區(qū)域中的帶電粒子的影響效果，這不會導(dǎo)致帶電粒子的動能的顯著增加。換而言之，在圖3a和圖3b中示例性表示的情況不導(dǎo)致任何等離子體45泄露到梳電極24和總體上到反射鏡體35的后側(cè)21后面的區(qū)域中。

此外，已經(jīng)可以示出，這也適用于以下情況：相鄰的單獨反射鏡27中的一者或兩者在樞轉(zhuǎn)過的位置上，尤其在樞轉(zhuǎn)到最大的位置上。

接下來參考圖4進行對屏蔽元件的其他細節(jié)的描述，尤其是多反射鏡陣列29中的屏蔽電極25的布置。

在圖4中示例性示出的是多反射鏡陣列29中的單獨反射鏡27的布置，其中屏蔽電極25布置在單獨反射鏡27的反射鏡體35的側(cè)表面22的區(qū)域中，使得可以在全部相鄰的單獨反射鏡27中的每一個之間產(chǎn)生用于屏蔽等離子體25的電場23。

屏蔽電極25分別成對布置在相鄰的單獨反射鏡27的相互相對的側(cè)表面22的區(qū)域中。它們在每個情況下起到在相鄰的單獨反射鏡27之間的區(qū)域中建立電場23的作用。

在圖4中，示例性指示了將不同電壓ur施加到屏蔽電極25。第一電壓ur1施加到屏蔽電極25的第一子集。第二電壓ur2施加到屏蔽電極25的第二子集。在此情況下，以下成立：ur1≠ur2，尤其是|ur1-ur2|≥10v，尤其是|ur1-ur2|≥20v，尤其是|ur1-ur2|≥30v，尤其是|ur1-ur2|≥40v，尤其是|ur1-ur2|≥50v，尤其是|ur1-ur2|≥70v，尤其是|ur1-ur2|≥100v。以下尤其成立：|ur1-ur2|≤300v，尤其是|ur1-ur2|≤200v，尤其是|ur1-ur2|≤100v。

在如圖4所示的布置的情況下，反射鏡體35的彼此相鄰的側(cè)表面22中的兩個屏蔽電極25分別為等勢的，也就是說對它們施加相同的屏蔽電勢。

在如圖4所示的布置的情況下，對屏蔽電極25的電壓的施加特別地選擇為使得全部單獨反射鏡27具有帶有特定屏蔽電勢的屏蔽電極25的相同布置。具體地，在圖1.4中朝下和朝左指向的單獨反射鏡的屏蔽電極25在每個情況下具有第一電勢ur1。朝上和朝右指向的屏蔽電極25在每個情況下保持在第二電勢ur2≠ur1。根據(jù)優(yōu)選的實施例，不同屏蔽電勢具有相同的振幅但相反的極性。ur1＝-ur2。

相似地也可以有單獨反射鏡27的其他布置，也就是說分別施加到屏蔽電極25的屏蔽電勢。例如，從如圖4所示的布置開始，可以將第二、第四、第六...(第2n)行的每個單獨反射鏡27逆時針轉(zhuǎn)動90°。相似地也可以將第二、第四、第六...(第2n)列的每個單獨反射鏡27順時針轉(zhuǎn)動90°。

還可以在每個情況下將相同的屏蔽電勢施加到單獨反射鏡27中的每一個的相互相對的屏蔽電極25。在此情況下，分別布置行或列的相鄰的單獨反射鏡27使得它們相對于彼此轉(zhuǎn)動90°。

選擇哪種布置取決于電力架構(gòu)，屏蔽線纜和供給線路的可能的布置。

接下來是參考圖5至圖12的制造多反射鏡陣列29的方法的描述。在附圖中，在每個情況下僅示出了具有多反射鏡陣列29的兩個單獨反射鏡27的細節(jié)。整個多反射鏡陣列29可以大得多。其尤其可以包括具有單獨反射鏡27的多重行和列。在附圖中，分別示例性示出了在不同單獨方法步驟之后的中間產(chǎn)品的從上方的視圖(左手側(cè)列)，截面圖(中間列)以及從下方的視圖(右手側(cè)列)。在附圖中，不同材料由不同類型的陰影線表示。

附圖示出了用于制造適用于等離子體環(huán)境中的mems多反射鏡陣列29的方法步驟的可能的序列。對此的必要前提是內(nèi)部電部件，尤其是電路、致動器、傳感器以及尤其是asic，不受擾動地運行。它們尤其必須被保護免受來自等離子體環(huán)境的自由電荷的影響。

圖5至圖8示出了用于制造多反射鏡陣列29的方法步驟的序列，其中三個不同電勢施加到反射表面34，并且還在每個情況下施加到兩對相鄰的側(cè)表面22。圖5至圖8示例性示出了用于制造多反射鏡陣列29的方法步驟的序列，多反射鏡陣列形成為使得不同電壓可以分別施加到單獨反射鏡27的前側(cè)并且在每個情況下施加到兩對分別相鄰的側(cè)表面22。圖9至圖12示出了替代例，其中將與施加到側(cè)表面22的對的相同電勢施加到單獨反射鏡27的前側(cè)。方法步驟的序列實質(zhì)上相同，并且因此針對兩個替代例一同描述。指出了任何不同。

首先，參考圖5和圖9描述了反射鏡晶片46的制造。對于反射鏡晶片46的制造，提供第一雙soi晶片47(絕緣體上的硅晶片)(1-0)。soi晶片47的摻雜取決于反射鏡的所需電阻。其可以根據(jù)需要適當選擇。

在第一方法步驟(1-1)中，限定反射鏡48的邊界和對角切口49。對角切口49將反射鏡板劃分為三個部分：圓柱形體積50，其起到形成關(guān)于反射鏡表面的電接觸的作用，以及兩個三角形部分51。兩個三角形部分51各自具有兩個相鄰的側(cè)表面22。

在根據(jù)圖9的變型的情況下，圓柱形體積50不是完全分開的，而是連接到三角形部分51中的一個。

然后，提供光刻精加工，用于微結(jié)構(gòu)化具有垂直輪廓的soi晶片47。光刻精加工之后是drie(深反應(yīng)離子蝕刻)。這涉及適當選擇正確的蝕刻氣體，并且以預(yù)定順序重復(fù)進行蝕刻和鈍化(所謂的bosch工藝)。

對于這樣的drie工藝，可以提供icp蝕刻機(感應(yīng)耦合等離子體蝕刻機)，用sf6作為蝕刻氣體，且chf3或c4f8作為聚合物形成氣體。

然后(1-2)，填充蝕刻的切口49。對此可以采用teos-sio2(正硅酸乙酯)方法。這達到快速沉積sio2層52的目的，尤其在25nm/min至100nm/min的范圍內(nèi)的速率。在此，溫度位于600℃至800℃的范圍內(nèi)。

然后可以拋光soi晶片47的后側(cè)。

然后設(shè)想制造關(guān)于反射鏡表面的接觸區(qū)域。為此提供光刻步驟。尤其設(shè)想在反射鏡的中央的區(qū)域中的光致抗蝕劑中制造間隙，尤其是圓形間隙。然后，通過蝕刻第二覆蓋的氧化物上的抗蝕劑進行垂直硅drie工藝。

在如圖5中所示的替代方案的情況下，通過外部二氧化硅中空圓柱自身橫向地定界蝕刻工藝?？梢圆捎胹f6氣體進行快速各向同性硅蝕刻。在如圖9中所示的替代方案的情況下，設(shè)想使用所謂的bosch工藝，也就是說重復(fù)的蝕刻和鈍化步驟的序列。

對上反射鏡層的接入通過sio2側(cè)壁的聚合物鈍化和后續(xù)的用chf3+ar或chf3+cf4氣體和氣體壓強的各向異性sio2反應(yīng)離子蝕刻(rie)完成。用較高的晶片偏壓(尤其是高于100v的晶片偏壓)實現(xiàn)蝕刻工藝的較高的各向異性。

通過用摻雜的多晶硅填充蝕刻的結(jié)構(gòu)完成到反射鏡的上層的電連接。隨后，如果需要，可以提供后側(cè)拋光(1-4)。

然后，打開單獨反射鏡27之間的空隙54。為此，可以在bhf(緩沖氫氟酸)中化學(xué)地蝕刻單獨反射鏡27之間的填充的teos。在此期間可以用光致抗蝕劑掩模保護其余的晶片表面(1-5)。

作為制造反射鏡晶片46的最終步驟，鈍化側(cè)表面22。此外，結(jié)構(gòu)化兩個埋置氧化物層之間的硅。drie工藝起到此作用。當?shù)竭_上氧化層時，工藝自動停止。最終，移除光致抗蝕劑。完成的反射鏡晶片46具有三層反射鏡板65(1-6)。

基于圖6和圖10解釋間隔體41的制造。為了制造間隔體41，提供第二soi晶片55(2-0)。通過drie工藝結(jié)構(gòu)化第二soi晶片55(2-1)。這可能涉及制造兩部分的間隔體41(圖10)或三部分的間隔體41(圖6)。

間隔體41允許將反射鏡體35布置在它們的懸架上方。間隔體41上的反射鏡體35的此設(shè)計使得可以在集成的微致動器的輔助下樞轉(zhuǎn)反射鏡27，尤其是以兩個樞轉(zhuǎn)自由度。

除了機械功能以外，間隔體41具有接收到反射鏡體35的電連接的任務(wù)。

基于圖7和圖11解釋復(fù)合反射鏡晶片56的制造。對于復(fù)合反射鏡晶片56的制造，反射鏡晶片46連接到帶有間隔體41的結(jié)構(gòu)化的第二soi晶片55。為此可以提供直接或共熔接合工藝(3-1)。隨后，移除第二soi晶片55的保持晶片和覆蓋的氧化物?？梢詾榇颂峁┖罄m(xù)的硅和二氧化硅蝕刻?？梢詾槔绻璧母飨蛲晕g刻提供sf6或xef2等離子體?？梢詾楦采w的氧化物的蝕刻提供chf3/cf4等離子體或hf酸蒸汽。

以這樣的方式制造的組裝的反射鏡可以按已知的工藝順序進一步加工。如示意性和以舉例方式在圖8和圖12中所示的，復(fù)合反射鏡晶片56可以連接到致動器晶片57。致動器晶片57包括集成的致動器。其也可以包括傳感器，尤其用于感測單獨反射鏡27的位移位置。在蝕刻步驟(4-2)中，從致動器晶片57的后側(cè)開始自由蝕刻中央電極58。

然后，曝光反射鏡表面(4-3)。為此提供放置在頂部上的保持晶片和覆蓋的sio2層的連續(xù)蝕刻，覆蓋的sio2層為soi晶片47的組成部分。

最后，將euv反射涂層59沉積到反射鏡表面上，以制造單獨反射鏡27的反射表面34。反射鏡表面具有亞納米粗糙度。其在整個制造工藝期間被保護免受缺陷和污染，直到通過雙soi晶片47的覆蓋的氧化物層沉積euv反射涂層的時刻。

接下來是參考圖13和圖14對具有屏蔽元件的多反射鏡陣列29的替代實施例的描述。相同零件具有與上述示例性實施例的情況下相同的附圖標記，從而參考上述示例性實施例。在如圖13和圖14中所示的實施例的情況下，屏蔽電極25布置在單獨反射鏡27的后側(cè)21后面的區(qū)域中。屏蔽電極25尤其布置在承載結(jié)構(gòu)36上。它們可以尤其形成為屏蔽導(dǎo)線。

屏蔽電極25尤其布置在兩個相鄰反射鏡27之間的空隙后面的區(qū)域中。

屏蔽電極可以各具有寬度b，其大于相鄰的單獨反射鏡27之間的距離g。這允許尤其有效地防止等離子體的泄露。特別是以下適用：b：g≥0.5，尤其是b：g≥0.7，尤其是b：g≥1.5，尤其是b：g≥2，尤其是b：g≥3。屏蔽電極25的寬度b實質(zhì)上由可用的總體空間和功能安全間隙限制，以避免電火花擊穿到相鄰線路。

屏蔽電極25也稱為有源導(dǎo)線。它們可以保護單獨反射鏡27的后側(cè)后面的體積區(qū)域且還尤其保護布置在其中的電子部件免受自由電荷影響。它們尤其可以防止自由電荷在此體積區(qū)域中擴散。特別地，可以通過控制裝置60將可控制的電壓施加到屏蔽電極25。施加到屏蔽電極25的屏蔽電壓可以尤其對反射鏡幾何形狀適配且對反射鏡27的前側(cè)前面的區(qū)域中的自由電荷載流子所期望的能量適配。

可以將正屏蔽電壓施加到屏蔽電極25。屏蔽電極在此情況下可以起到用于自由電子以及帶負電的離子的吸引體的作用。在此情況下，屏蔽電極對于帶正電粒子具有排斥效應(yīng)。

也可以將負電壓施加到屏蔽電極25。在此情況下，屏蔽電極對于電子和其他帶負電的粒子具有排斥效應(yīng)，并且對于帶正電的粒子具有吸引效應(yīng)。

可以通過屏蔽電極25有效地防止要屏蔽的預(yù)定體積區(qū)域62中的敏感電子部件61的擾動。

在圖13和圖14中示例性示出了要屏蔽的敏感電子部件61。這些可以為敏感信號和/或電流線路。它們也可以為較復(fù)雜的電子部件，例如asic。

將屏蔽元件實施為布置在承載結(jié)構(gòu)36上的屏蔽電極25可以尤其容易地實現(xiàn)。其僅需要非常低的功率消耗。其導(dǎo)致非?？煽康囊帘蔚捏w積區(qū)域62的屏蔽。

在下面以關(guān)鍵詞的形式描述了圖13和圖14中所示的實施例的替代和發(fā)展。

取代單獨屏蔽電極25，屏蔽元件還可以具有不同的形式和/或結(jié)構(gòu)。它們尤其可以在每個情況下包括兩個或更多個導(dǎo)線，尤其是布置為彼此平行的導(dǎo)線。它們也可以由網(wǎng)格形成。在這些替代例的情況下，可以將不同電壓施加到不同導(dǎo)線和/或網(wǎng)格的不同區(qū)域。

屏蔽電極25可以具有金屬的表面。它們也可以具有多晶硅的表面。

屏蔽元件還可以形成為線圈或類似線圈的結(jié)構(gòu)。在此情況下，由屏蔽元件產(chǎn)生的磁場還可以尤其用于屏蔽體積區(qū)域62。

可以有屏蔽元件的各種替代例的組合。