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一種提高大口徑菲涅耳波帶片衍射效率的方法與流程

文檔序號(hào):12659617閱讀:1313來(lái)源:國(guó)知局

本發(fā)明屬于空間光學(xué)系統(tǒng)先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種提高大口徑菲涅耳波帶片衍射效率的方法。



背景技術(shù):

根據(jù)制作工藝不同,衍射元件可分為振幅型和位相型兩類。振幅型衍射元件的衍射效率很低,僅有10%左右。而位相型衍射元件的衍射效率能達(dá)到40%以上,可克服振幅型衍射元件衍射效率較低的問(wèn)題,因而較振幅型衍射元件具有更大的應(yīng)用前景。

為進(jìn)一步提高衍射效率,可把2臺(tái)階光柵結(jié)構(gòu)制作成多臺(tái)階光柵形式。理論分析表明,臺(tái)階數(shù)越多,光柵理論衍射效率越高,如四臺(tái)階的理論衍射效率可達(dá)到81%,八臺(tái)階可達(dá)到95%。但是隨著臺(tái)階數(shù)增多,制作難度相應(yīng)增加。

位相型元件一般首先使用光刻工藝加工掩模,再通過(guò)刻蝕的方法進(jìn)行圖案轉(zhuǎn)移。對(duì)于多臺(tái)階元件,需要進(jìn)行多次套刻和刻蝕加工才能完成。當(dāng)光柵周期確定時(shí),光刻工藝能夠加工的最小線寬決定了所能加工的臺(tái)階數(shù)。

基于菲涅爾波帶片的衍射成像元件屬于大口徑變周期圓光柵元件。從中心區(qū)域向邊緣的光柵周期逐漸變小。光柵周期也可以用線寬來(lái)表述。由于光刻工藝的限制,線寬很小的波帶片邊緣區(qū)域最多只能加工成4臺(tái)階結(jié)構(gòu),因此傳統(tǒng)上一般將菲涅爾波帶片制作成四臺(tái)階的結(jié)構(gòu)。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

有鑒于此,本發(fā)明提供了一種提高大口徑菲涅爾波帶片衍射效率的方法,該方法提出了混合多臺(tái)階的制作方法,所做出的菲涅爾波帶片的衍射效率大幅提高。

為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明的技術(shù)方案為:一種提高大口徑菲涅耳波帶片衍射效率的方法,包括如下步驟

步驟一、根據(jù)菲涅耳波帶片上區(qū)域i的設(shè)計(jì)線寬Li和光刻機(jī)加工的最小線寬l0確定區(qū)域i對(duì)應(yīng)的臺(tái)階數(shù)2n:即2n≤Li/l0≤2n+1。

步驟二、在石英玻璃基板上制備光刻膠掩模結(jié)構(gòu)。

步驟三、進(jìn)行第一次離子束刻蝕,在對(duì)應(yīng)臺(tái)階數(shù)為2的區(qū)域加工出2臺(tái)階結(jié)構(gòu)。

步驟四、清洗光刻膠,進(jìn)行第一次套刻加工。

步驟五、進(jìn)行第二次離子束刻蝕,在對(duì)應(yīng)臺(tái)階數(shù)為4的區(qū)域加工出4臺(tái)階結(jié)構(gòu)。

步驟六、清洗光刻膠,進(jìn)行第二次套刻加工。

步驟七、進(jìn)行第三次離子束刻蝕,在對(duì)應(yīng)臺(tái)階數(shù)為8的區(qū)域加工8臺(tái)階結(jié)構(gòu)。

步驟八、依次類推,直至所有區(qū)域加工完成為止。

步驟九、刻蝕完成后,去除光刻膠,獲得多臺(tái)階混合的多臺(tái)階菲涅耳波帶片。

進(jìn)一步地,步驟一中,石英玻璃基板為兩面拋光,則在該石英玻璃基板上制備光刻膠掩模結(jié)構(gòu)的方法具體為:在石英玻璃基板上旋涂一層光刻膠,然后進(jìn)行前烘處理,接著,使用激光直寫機(jī)在光刻膠表面曝光所設(shè)計(jì)的菲涅耳波帶片圖案,曝光完成后,進(jìn)行顯影操作,顯影完成后,再進(jìn)行后烘堅(jiān)膜處理;

光刻膠為適合離子束刻蝕的正性光刻膠。

有益效果:

1、本發(fā)明采用了混合臺(tái)階數(shù)的臺(tái)階結(jié)構(gòu),在不升級(jí)光刻設(shè)備所能加工的極限線寬前提下,最大限度的提高衍射效率。與傳統(tǒng)的整體四臺(tái)階或整體八臺(tái)階方法,兩者具有本質(zhì)區(qū)別。

2、本發(fā)明采用無(wú)掩模光刻。使用激光直寫機(jī)直接在基板上通過(guò)激光直寫工藝進(jìn)行圖案加工和套刻。而不是傳統(tǒng)的先加工掩模版,再進(jìn)行復(fù)制加工的方法,節(jié)省了工藝環(huán)節(jié),有利于提高線寬的精度和降低加工成本。

3、本發(fā)明使用離子束刻蝕的方法,將光刻膠上的圖案轉(zhuǎn)移到石英玻璃基底。而不是傳統(tǒng)的濕法刻蝕或反應(yīng)離子刻蝕法。

附圖說(shuō)明

圖1為混合臺(tái)階數(shù)菲涅耳衍射結(jié)構(gòu)的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖并舉實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。

實(shí)施例1、一種提高大口徑菲涅耳波帶片衍射效率的方法,包括如下步驟

步驟一、根據(jù)菲涅耳波帶片上區(qū)域i的設(shè)計(jì)線寬Li和光刻機(jī)加工的最小線寬l0確定區(qū)域i對(duì)應(yīng)的臺(tái)階數(shù)2n:即2n≤Li/l0≤2n+1。

步驟二、在石英玻璃基板上制備光刻膠掩模結(jié)構(gòu);

步驟三、進(jìn)行第一次離子束刻蝕,在對(duì)應(yīng)臺(tái)階數(shù)為2的區(qū)域加工出2臺(tái)階結(jié)構(gòu);

步驟四、清洗光刻膠,進(jìn)行第一次套刻加工;

步驟五、進(jìn)行第二次離子束刻蝕,在對(duì)應(yīng)臺(tái)階數(shù)為4的區(qū)域加工出4臺(tái)階結(jié)構(gòu);

步驟六、清洗光刻膠,進(jìn)行第二次套刻加工;

步驟七、進(jìn)行第三次離子束刻蝕,在對(duì)應(yīng)臺(tái)階數(shù)為8的區(qū)域加工8臺(tái)階結(jié)構(gòu);

步驟八、依次類推,直至所有區(qū)域加工完成為止。其中每個(gè)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的最小臺(tái)階寬度和光刻機(jī)的最小線寬相一致;

步驟八、刻蝕完成后,去除光刻膠,獲得多臺(tái)階混合的多臺(tái)階菲涅耳波帶片。

實(shí)施例2、本實(shí)施例中n為3。則后續(xù)步驟具體如下:

(a)在石英玻璃基板上制備光刻膠掩模結(jié)構(gòu)。

首先,在兩面精確拋光的石英玻璃基板上旋涂一層光刻膠。光刻膠一般選擇適合離子束刻蝕的正性光刻膠。旋涂完成后,進(jìn)行前烘處理。接著,使用激光直寫機(jī)在光刻膠表面曝光所設(shè)計(jì)的菲涅耳波帶片圖案。曝光完成后,進(jìn)行顯影操作。顯影完成后,再進(jìn)行后烘堅(jiān)膜處理。

(b)進(jìn)行離子束刻蝕加工,加工出2臺(tái)階結(jié)構(gòu)

將帶有光刻膠圖案的菲涅耳波帶片放入離子束刻蝕機(jī),設(shè)定好加工參數(shù),進(jìn)行刻蝕加工。需要事前標(biāo)定好加工時(shí)間和刻蝕深度之間的定量關(guān)系,從而獲得理想的刻蝕深度。

(c)清洗光刻膠,進(jìn)行第一次套刻加工

離子束加工完畢后,清洗光刻膠。接下來(lái),重復(fù)步驟(a)。

(d)再次使用離子束刻蝕加工,加工出4臺(tái)階結(jié)構(gòu)。

將第一次套刻加工后獲得的光刻膠掩模材料放入離子束刻蝕機(jī),加工出4臺(tái)階結(jié)構(gòu)。

(e)清洗光刻膠,進(jìn)行第二次套刻加工

離子束加工完畢后,清洗光刻膠。接下來(lái),重復(fù)步驟(a)。

(f)第三次使用離子束刻蝕加工,加工出中心區(qū)域的8臺(tái)階結(jié)構(gòu)。

將帶有第二次套刻加工的光刻膠掩模材料放入離子束刻蝕機(jī)器,加工出中心區(qū)域的8臺(tái)階結(jié)構(gòu)。

(g)刻蝕完成后,去除光刻膠,獲得4臺(tái)階和8臺(tái)階混合的多臺(tái)階菲涅耳波帶片。

綜上,以上僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

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