本發(fā)明涉及觸控技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種內(nèi)嵌式觸控測試電路。

背景技術(shù)：

相對于傳統(tǒng)的將觸摸面板設(shè)置在液晶面板上的技術(shù)，將觸摸面板功能和液晶面板一體化的研究日漸盛行，于是，出現(xiàn)了內(nèi)嵌式觸摸屏。內(nèi)嵌式觸摸屏技術(shù)包括in-cell和on-cell兩種。In-cell觸摸屏技術(shù)是指將觸摸面板功能嵌入到液晶像素中，而on-cell觸摸屏技術(shù)是指將觸摸面板功能嵌入到彩色濾光片基板和偏光片之間。與on-cell觸摸屏相比，in-cell觸摸屏能夠?qū)崿F(xiàn)面板的二更輕薄化。

在in-cell觸摸屏技術(shù)中，在cell(組立制程)階段，一般只對觸摸屏的顯示功能進(jìn)行測試，而沒有對觸摸屏的觸控功能進(jìn)行測試。觸控功能需要等到綁定芯片和排線后再進(jìn)行測試，這樣使得觸控不良的觸摸屏在cell階段不能篩選出來，進(jìn)而造成芯片和排線等物料的浪費(fèi)，降低生產(chǎn)效率。

故，有必要提供一種內(nèi)嵌式觸控測試電路，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種內(nèi)嵌式觸控測試電路，以解決現(xiàn)有的觸摸屏在cell階段不能進(jìn)行觸摸功能測試，需要綁定芯片和排線等物料后才能進(jìn)行測試，進(jìn)而造成物料浪費(fèi)，生產(chǎn)效率降低的技術(shù)問題。

為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明提供一種內(nèi)嵌式觸控測試電路，其包括：

n個控制信號源，用于提供控制信號；

電容耦合模塊，用于觸發(fā)觸控電極生成觸控信號；

開關(guān)模塊，其包括m個輸入端、n個控制端和一個輸出端，開關(guān)模塊用于接收m個觸控電極上的觸控信號，并受控制信號的控制將其中一個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子上；其中，

輸入端與相應(yīng)的觸控電極連接，控制端與相應(yīng)的控制信號源連接，輸出端與觸控信號采集端子連接,電容耦合模塊與觸控電極耦合連接，n、m為正整數(shù)，m小于等于2^n。

在本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測試電路中，電容耦合模塊包括：

恒壓電源，用于提供恒壓電平；

掃描線輸入信號源，用于提供掃描線輸入信號；

掃描線控制信號源，用于提供掃描線控制信號；以及，

控制單元，用于接收掃描線輸入信號，并受掃描線控制信號的控制輸出掃描線輸入信號；其中，

恒壓電源與數(shù)據(jù)線連接，掃描線輸入信號源與控制單元的輸入端連接，掃描線控制信號源與控制單元的控制端連接，控制單元的輸出端與掃描線連接。

在本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測試電路中，控制單元包括多個薄膜晶體管，每個薄膜晶體管的柵極與掃描線控制信號源連接，每個薄膜晶體管的源極與掃描線輸入信號源連接，每個薄膜晶體管的漏極與相應(yīng)的掃描線連接。

在本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測試電路中，開關(guān)模塊包括多個薄膜晶體管，每個觸控電極通過n個串聯(lián)的薄膜晶體管與觸控信號采集端子連接，每個薄膜晶體管的柵極與相應(yīng)的控制信號源連接。

在本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測試電路中，薄膜晶體管為N型薄膜晶體管或P型薄膜晶體管。

本發(fā)明還提供一種內(nèi)嵌式觸控測試電路，其包括：

n個控制信號源，用于提供控制信號；

電容耦合模塊，用于觸發(fā)觸控電極生成觸控信號；

開關(guān)模塊，其包括m個輸入端、n個控制端和一個輸出端，開關(guān)模塊用于接收m個觸控電極上的觸控信號，并受控制信號的控制將其中一個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子上；其中，

輸入端與相應(yīng)的觸控電極連接，控制端與相應(yīng)的控制信號源連接，輸出端與觸控信號采集端子連接,電容耦合模塊與觸控電極耦合連接，n、m為正整數(shù)，m小于等于2^(n+1)。

在本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測試電路中，電容耦合模塊包括：

恒壓電源，用于提供恒壓電平；

掃描線輸入信號源，用于提供掃描線輸入信號；

掃描線控制信號源，用于提供掃描線控制信號；以及，

控制單元，用于接收掃描線輸入信號，并受掃描線控制信號的控制輸出掃描線輸入信號；其中，

恒壓電源與數(shù)據(jù)線連接，掃描線輸入信號源與控制單元的輸入端連接，掃描線控制信號源與控制單元的控制端連接，控制單元的輸出端與掃描線連接。

在本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測試電路中，控制單元包括多個薄膜晶體管，每個薄膜晶體管的柵極與掃描線控制信號源連接，每個薄膜晶體管的源極與掃描線輸入信號源連接，每個薄膜晶體管的漏極與相應(yīng)的掃描線連接。

在本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測試電路中，開關(guān)模塊包括多個薄膜晶體管，每個觸控電極通過n個串聯(lián)的薄膜晶體管與觸控信號采集端子連接，每個薄膜晶體管的柵極與相應(yīng)的控制信號源連接。

在本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測試電路中，薄膜晶體管為N型薄膜晶體管或P型薄膜晶體管。

本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測試電路通過電容耦合模塊觸發(fā)觸控電極生成觸控信號，并通過開關(guān)模塊逐個采集每個觸控電極生成的觸控信號，將采集到的觸控信號進(jìn)行對比，從而完成觸摸屏的觸屏功能測試；解決了現(xiàn)有的觸摸屏的觸控功能需要等到綁定芯片和排線后再進(jìn)行測試，使得觸控不良的觸摸屏在cell階段不能篩選出來，進(jìn)而造成芯片和排線等物料的浪費(fèi)，降低生產(chǎn)效率的技術(shù)問題。

為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下：

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。

圖1為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測試電路的第一優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測試電路的第一優(yōu)選實施例的電容耦合模塊的電路原理圖；

圖3為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測試電路的第一優(yōu)選實施例的開關(guān)模塊的電路原理圖；

圖4為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測試電路的第二優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測試電路的第二優(yōu)選實施例的電容耦合模塊的電路原理圖；

圖6為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測試電路的第二優(yōu)選實施例的開關(guān)模塊的電路原理圖。

具體實施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

需要說明的是，本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測試電路的實施例以4*4的矩陣觸控電極為例，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)以下教導(dǎo)和啟示可以類推出觸摸屏的所有觸控電極的電路連接關(guān)系。

參閱圖1，圖1為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測試電路的第一優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

本優(yōu)選實施例的內(nèi)嵌式觸控測試電路，包括：4個控制信號源、電容耦合模塊16以及開關(guān)模塊10。4個控制信號源，用于提供控制線信號；電容耦合模塊16，用于觸發(fā)觸控電極生成觸控信號；開關(guān)模塊10，包括16個輸入端、4個控制端和一個輸出端，開關(guān)模塊10用于接收16個觸控電極上的觸控信號，并受控制信號的控制將其中一個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子15上；

其中，輸入端與相應(yīng)的觸控電極連接，控制端與相應(yīng)的控制信號源連接，輸出端與觸控信號采集端子15連接，電容耦合模塊16與觸控電極耦合連接。特別地，本優(yōu)選實施例的4個控制信號源最多可以控制16個觸控電極上生成的觸控信號的逐一采集。

本優(yōu)選實施例的內(nèi)嵌式觸控測試電路，4個控制信號源包括：第一控制信號源11、第二控制信號源12、第三控制信號源13以及第四控制信號源14。

參閱圖2，圖2為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測試電路的第一優(yōu)選實施例的電容耦合模塊的電路原理圖；

本優(yōu)選實施例的內(nèi)嵌式觸控測試電路，電容耦合模塊16包括：恒壓電源161、掃描線輸入信號源163、掃描線控制信號源162以及控制單元167。恒壓電源161，用于提供恒壓電平；掃描線輸入信號源163，用于提供掃描線輸入信號；掃描線控制信號源162，用于提供掃描線控制信號；控制單元167，用于接收掃描線輸入信號，并受掃描線控制信號的控制輸出掃描線輸入信號；

其中，恒壓電源161與數(shù)據(jù)線連接164，掃描線輸入信號源163與控制單元167的輸入端連接，掃描線控制信號源162與控制單元167的控制端連接，控制單元167的輸出端與掃描線165連接。

具體地，控制單元167包括12個薄膜晶體管T1～T12，一條掃描線165對應(yīng)一個薄膜晶體管，每個薄膜晶體管的柵極與掃描線控制信號源162連接，每個薄膜晶體管的源極與掃描線輸入信號源163連接，每個薄膜晶體管的漏極與相應(yīng)的掃描線165連接。

參閱圖3，圖3為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測試電路的第一優(yōu)選實施例的開關(guān)模塊的電路原理圖；

本優(yōu)選實施例的內(nèi)嵌式觸控測試電路，開關(guān)模塊10包括64個薄膜晶體管T13～T76，其中每個觸控電極通過4個薄膜晶體管與觸控信號采集端子15連接，每個薄膜晶體管的柵極與相應(yīng)的控制信號源連接。

具體地，薄膜晶體管T13、T14、T15和T16串聯(lián)，薄膜晶體管T13的源極與第一個觸控電極連接，薄膜晶體管T16的漏極與觸控信號采集端子15連接；

薄膜晶體管T17、T18、T19和T20串聯(lián),薄膜晶體管T17的源極與第二個觸控電極連接，薄膜晶體管T20的漏極與觸控信號采集端子15連接；

薄膜晶體管T21、T22、T23和T24串聯(lián),薄膜晶體管T21的源極與第三個觸控電極連接，薄膜晶體管T24的漏極與觸控信號采集端子15連接；

薄膜晶體管T25、T26、T27和T28串聯(lián),薄膜晶體管T25的源極與第四個觸控電極連接，薄膜晶體管T28的漏極與觸控信號采集端子15連接；

薄膜晶體管T29、T30、T31和T32串聯(lián),薄膜晶體管T29的源極與第五個觸控電極連接，薄膜晶體管T32的漏極與觸控信號采集端子15連接；

薄膜晶體管T33、T34、T35和T36串聯(lián),薄膜晶體管T33的源極與第六個觸控電極連接，薄膜晶體管T36的漏極與觸控信號采集端子15連接；

薄膜晶體管T37、T38、T39和T40串聯(lián),薄膜晶體管T37的源極與第七個觸控電極連接，薄膜晶體管T40的漏極與觸控信號采集端子15連接；

薄膜晶體管T41、T42、T43和T44串聯(lián),薄膜晶體管T41的源極與第八個觸控電極連接，薄膜晶體管T44的漏極與觸控信號采集端子15連接；

薄膜晶體管T45、T46、T47和T48串聯(lián),薄膜晶體管T45的源極與第九個觸控電極連接，薄膜晶體管T48的漏極與觸控信號采集端子15連接；

薄膜晶體管T49、T50、T51和T52串聯(lián),薄膜晶體管T49的源極與第十個觸控電極連接，薄膜晶體管T52的漏極與觸控信號采集端子15連接；

薄膜晶體管T53、T54、T55和T56串聯(lián),薄膜晶體管T53的源極與第十一個觸控電極連接，薄膜晶體管T56的漏極與觸控信號采集端子連接15；

薄膜晶體管T57、T58、T59和T60串聯(lián),薄膜晶體管T57的源極與第十二個觸控電極連接，薄膜晶體管T60的漏極與觸控信號采集端子15連接；

薄膜晶體管T61、T62、T63和T64串聯(lián),薄膜晶體管T61的源極與第十三個觸控電極連接，薄膜晶體管T64的漏極與觸控信號采集端子15連接；

薄膜晶體管T65、T66、T67和T68串聯(lián),薄膜晶體管T65的源極與第十四個觸控電極連接，薄膜晶體管T68的漏極與觸控信號采集端子15連接；

薄膜晶體管T69、T70、T71和T72串聯(lián),薄膜晶體管T69的源極與第十五個觸控電極連接，薄膜晶體管T72的漏極與觸控信號采集端子15連接；

薄膜晶體管T73、T74、T75和T76串聯(lián),薄膜晶體管T73的源極與第十六個觸控電極連接，薄膜晶體管T76的漏極與觸控信號采集端子15連接。

第一控制信號源11與薄膜晶體管T13、T17、T21、T25、T29、T33、T37、T41、T45、T49、T53、T57、T61、T65、T69、T73的柵極連接；

第二控制信號源12與薄膜晶體管T14、T18、T22、T26、T30、T34、T38、T42、T46、T50、T54、T58、T62、T66、T70、T74的柵極連接；

第三控制信號源13與薄膜晶體管T15、T19、T23、T27、T31、T35、T39、T43、T47、T51、T55、T59、T63、T67、T71、T75的柵極連接；

第四控制信號源14與薄膜晶體管T16、T20、T24、T28、T32、T36、T40、T44、T48、T52、T56、T60、T64、T68、T72、T76的柵極連接。

本優(yōu)選實施例的內(nèi)嵌式觸控測試電路，薄膜晶體管T1～T12、T13、T17、T21、T25、T29、T33、T37、T41、T14、T18、T22、T26、T46、T50、T54、T58、T15、T19、T31、T35、T47、T51、T63、T67、T16、T24、T32、T40、T48、T56、T64、T72為N型薄膜晶體管；薄膜晶體管T45、T49、T53、T57、T61、T65、T69、T73、T30、T34、T38、T42、T62、T66、T70、T74、T23、T27、T39、T43、T55、T59、T71、T75、T20、T28、T36、T44、T52、T60、T68、T76為P型薄膜晶體管。

本優(yōu)選實施例的內(nèi)嵌式觸控測試電路使用時，首先，恒壓電源161提供0V電壓至數(shù)據(jù)線164上，防止數(shù)據(jù)線對觸控電極發(fā)出電性干擾；隨后，掃描線控制信號源162提供高電位的掃描線控制信號至薄膜晶體管T1～T12，掃描線輸入信號源163提供一定頻率、一定電壓的掃描線輸入信號經(jīng)薄膜晶體管T1～T12傳至掃描線上，由于掃描線165和觸控電極之間的電容耦合效應(yīng)，進(jìn)而觸發(fā)觸控電極生成觸控信號。

接著，第一控制信號源11、第二控制信號源12、第三控制信號源13和第四控制信號源14提供高電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管T13、T14、T15和T16打開，此時，第一個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子15上；

下一時刻，第一控制信號源11、第二控制信號源12和第三控制信號源13提供高電位的控制信號，第四控制信號源14提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管T17、T18、T19和T20打開，此時，第二個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子15上；

下一時刻，第一控制信號源11、第二控制信號源12和第四控制信號源14提供高電位的控制信號，第三控制信號源13提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管T21、T22、T23和T24打開，此時，第三個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子15上；

下一時刻，第一控制信號源11和第二控制信號源12提供高電位的控制信號，第三控制信號源13和第四控制信號源14提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管T25、T26、T27和T28打開，此時，第四個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子15上；

下一時刻，第一控制信號源11、第三控制信號源13和第四控制信號源14提供高電位的控制信號，第二控制信號源12提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管T29、T30、T31和T32打開，此時，第五個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子15上；

下一時刻，第一控制信號源11和第三控制信號源13提供高電位的控制信號，第二控制信號源12和第四控制信號源14提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管T33、T34、T35和T36打開，此時，第六個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子15上；

下一時刻，第一控制信號源11和第四控制信號源14提供高電位的控制信號，第二控制信號源12和第三控制信號源13提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管T37、T38、T39和T40打開，此時，第七個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子15上；

下一時刻，第一控制信號源11提供高電位的控制信號，第二控制信號源12、第三控制信號源13和第四控制信號源14提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管T41、T42、T43和T44打開，此時，第八個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子15上；

下一時刻，第二控制信號源12、第三控制信號源13和第四控制信號源14提供高電位的控制信號，第一控制信號源11提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管T45、T46、T47和T48打開，此時，第九個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子15上；

下一時刻，第二控制信號源12和第三控制信號源13提供高電位的控制信號，第一控制信號源11和第四控制信號源14提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管T49、T50、T51和T52打開，此時，第十個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子15上；

下一時刻，第二控制信號源12和第四控制信號源14提供高電位的控制信號，第一控制信號源11和第三控制信號源13提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管T53、T54、T55和T56打開，此時，第十一個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子15上；

下一時刻，第二控制信號源12提供高電位的控制信號，第一控制信號源11、第三控制信號源13和第四控制信號源14提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管T57、T58、T59和T60打開，此時，第十二個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子15上；

下一時刻，第三控制信號源13和第四控制信號源14提供高電位的控制信號，第一控制信號源11和第二控制信號源12提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管T61、T62、T63和T64打開，此時，第十三個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子15上；

下一時刻，第三控制信號源13提供高電位的控制信號，第一控制信號源11、第二控制信號源12和第四控制信號源14提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管T65、T66、T67和T68打開，此時，第十四個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子15上；

下一時刻，第四控制信號源14提供高電位的控制信號，第一控制信號源11、第二控制信號源12和第三控制信號源13提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管T69、T70、T71和T72打開，此時，第十五個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子15上；

下一時刻，第一控制信號源11、第二控制信號源12、第三控制信號源13和第四控制信號源14提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管T73、T74、T75和T76打開，此時，第十六個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子15上。

最后，將采集到的觸控信號進(jìn)行對比，若采集到的所有觸控信號的波形一致，則此觸摸屏為良品；若某個觸控信號跟其他觸控信號的波形差異較大，則可推斷出此觸控電極出現(xiàn)了短路、開路。

本優(yōu)選實施例的內(nèi)嵌式觸控測試電路通過電容耦合模塊16觸發(fā)觸控電極生成觸控信號，并通過開關(guān)模塊10逐個采集每個觸控電極生成的觸控信號，將采集到的觸控信號進(jìn)行對比，從而完成觸摸屏的觸屏功能測試，避免造成芯片和排線等物料的浪費(fèi)，提高了生產(chǎn)效率。

參閱圖4，圖4為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測試電路的第二優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

本優(yōu)選實施例與第一優(yōu)選實施例的區(qū)別在于，減少了一個控制信號源的使用，由于每個控制信號源都需要在觸摸屏邊框上預(yù)留位置，減少控制信號源的使用有利于邊框的窄型化。

本優(yōu)選實施例的內(nèi)嵌式觸控測試電路，包括：3個控制信號源、電容耦合模塊25以及開關(guān)模塊20。3個控制信號源，用于提供控制線信號；電容耦合模塊25，用于觸發(fā)觸控電極生成觸控信號；開關(guān)模塊20，包括16個輸入端、3個控制端和一個輸出端，開關(guān)模塊20用于接收16個觸控電極上的觸控信號，并受控制信號的控制將其中一個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子24上；

其中，輸入端與相應(yīng)的觸控電極連接，控制端與相應(yīng)的控制信號源連接，輸出端與觸控信號采集端子24連接，電容耦合模塊25與觸控電極耦合連接。特別地，本優(yōu)選實施例的3個控制信號源最多可以控制16個觸控電極上生成的觸控信號的逐一采集。

本優(yōu)選實施例的內(nèi)嵌式觸控測試電路，3個控制信號源包括：第一控制信號源21、第二控制信號源22以及第三控制信號源23。

參閱圖5，圖5為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測試電路的第二優(yōu)選實施例的電容耦合模塊的電路原理圖；

本優(yōu)選實施例的內(nèi)嵌式觸控測試電路，電容耦合模塊25包括：恒壓電源251、掃描線輸入信號源253、掃描線控制信號源以252及控制單元257。恒壓電源251，用于提供恒壓電平；掃描線輸入信號源253，用于提供掃描線輸入信號；掃描線控制信號源252，用于提供掃描線控制信號；控制單元257，用于接收掃描線輸入信號，并受掃描線控制信號的控制輸出掃描線輸入信號；

其中，恒壓電源251與數(shù)據(jù)線254連接，掃描線輸入信號源253與控制單元257的輸入端連接，掃描線控制信號源252與控制單元257的控制端連接，控制單元257的輸出端與掃描線255連接。

具體地，控制單元257包括12個薄膜晶體管D1～D12，一條掃描線255對應(yīng)一個薄膜晶體管，每個薄膜晶體管的柵極與掃描線控制信號源252連接，每個薄膜晶體管的源極與掃描線輸入信號源253連接，每個薄膜晶體管的漏極與相應(yīng)的掃描線255連接。

參閱圖6，圖6為本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控測試電路的第二優(yōu)選實施例的開關(guān)模塊的電路原理圖

本優(yōu)選實施例的內(nèi)嵌式觸控測試電路，開關(guān)模塊20包括48個薄膜晶體管D13～D60，其中每個觸控電極通過3個薄膜晶體管與觸控信號采集端子24連接，每個薄膜晶體管的柵極與相應(yīng)的控制信號源連接。

具體地，薄膜晶體管D13、D14和D15串聯(lián)，薄膜晶體管D13的源極與第一個觸控電極連接，薄膜晶體管D15的漏極與觸控信號采集端子24連接；

薄膜晶體管D16、D17和D18串聯(lián),薄膜晶體管D16的源極與第二個觸控電極連接，薄膜晶體管D18的漏極與觸控信號采集端子24連接；

薄膜晶體管D19、D20和D21串聯(lián),薄膜晶體管D19的源極與第三個觸控電極連接，薄膜晶體管D21的漏極與觸控信號采集端子24連接；

薄膜晶體管D22、D23和D24串聯(lián),薄膜晶體管D23的源極與第四個觸控電極連接，薄膜晶體管D24的漏極與觸控信號采集端子24連接；

薄膜晶體管D25、D26和D27串聯(lián),薄膜晶體管D25的源極與第五個觸控電極連接，薄膜晶體管D27的漏極與觸控信號采集端子24連接；

薄膜晶體管D28、D29和D30串聯(lián),薄膜晶體管D28的源極與第六個觸控電極連接，薄膜晶體管D30的漏極與觸控信號采集端子24連接；

薄膜晶體管D31、D32和D33串聯(lián),薄膜晶體管D31的源極與第七個觸控電極連接，薄膜晶體管D33的漏極與觸控信號采集端子24連接；

薄膜晶體管D34、D35和D36串聯(lián),薄膜晶體管D34的源極與第八個觸控電極連接，薄膜晶體管D36的漏極與觸控信號采集端子24連接；

薄膜晶體管D37、D38和D39串聯(lián),薄膜晶體管D37的源極與第九個觸控電極連接，薄膜晶體管D39的漏極與觸控信號采集端子24連接；

薄膜晶體管D40、D41和D42串聯(lián),薄膜晶體管D40的源極與第十個觸控電極連接，薄膜晶體管D42的漏極與觸控信號采集端子24連接；

薄膜晶體管D43、D44和D45串聯(lián),薄膜晶體管D43的源極與第十一個觸控電極連接，薄膜晶體管D45的漏極與觸控信號采集端子24連接；

薄膜晶體管D46、D47和D48串聯(lián),薄膜晶體管D46的源極與第十二個觸控電極連接，薄膜晶體管D48的漏極與觸控信號采集端子24連接；

薄膜晶體管D49、D50和D51串聯(lián),薄膜晶體管D49的源極與第十三個觸控電極連接，薄膜晶體管D51的漏極與觸控信號采集端子24連接；

薄膜晶體管D52、D53和D54串聯(lián),薄膜晶體管D52的源極與第十四個觸控電極連接，薄膜晶體管D54的漏極與觸控信號采集端子24連接；

薄膜晶體管D55、D56和D57串聯(lián),薄膜晶體管D55的源極與第十五個觸控電極連接，薄膜晶體管D57的漏極與觸控信號采集端子24連接；

薄膜晶體管D58、D59和D60串聯(lián),薄膜晶體管D58的源極與第十六個觸控電極連接，薄膜晶體管D60的漏極與觸控信號采集端子24連接。

第一控制信號源21與薄膜晶體管D13、D16、D19、D22、D25、D28、D31、D34、D37、D40、D43、D46、D49、D52、D55、D58的柵極連接；

第二控制信號源22與薄膜晶體管D14、D17、D20、D23、D26、D29、D32、D35、D38、D41、D44、D47、D50、D53、D56、D59的柵極連接；

第三控制信號源23與薄膜晶體管D15、D18、D21、D24、D27、D30、D33、D36、D39、D42、D45、D48、D51、D54、D57、D60的柵極連接；

本優(yōu)選實施例的內(nèi)嵌式觸控測試電路，薄膜晶體管D7～D12、D13、D16、D19、D22、D25、D28、D31、D34、D14、D17、D20、D23、D38、D41、D44、D47、D15、D21、D27、D33、D39、D45、D51、D57為N型薄膜晶體管；薄膜晶體管D1～D6、D37、D40、D43、D46、D49、D52、D55、D58、D26、D29、D32、D35、D50、D53、D56、D59、D18、D24、D30、D36、D42、D48、D54、D60為P型薄膜晶體管。

本優(yōu)選實施例的內(nèi)嵌式觸控測試電路使用時，首先，恒壓電源251提供0V電壓至數(shù)據(jù)線254上，防止數(shù)據(jù)線對觸控電極發(fā)出電性干擾；隨后，掃描線控制信號源252提供高電位的掃描線控制信號至薄膜晶體管D7～D12，掃描線輸入信號源253提供一定頻率、一定電壓的掃描線輸入信號經(jīng)薄膜晶體管D7～D12傳至掃描線上，由于掃描線255和觸控電極之間的電容耦合效應(yīng)，進(jìn)而觸發(fā)第一、二、五、六、九、十、十三、十四個觸控電極生成觸控信號。

接著，第一控制信號源21、第二控制信號源22和第三控制信號源23提供高電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管D13、D14和D15打開，串聯(lián)的薄膜晶體管D19、D20和D21打開，此時，由于第一個觸控電極上生成觸控信號，第三個觸控電極上沒有生成觸控信號，所以第一個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子24上；

下一時刻，第一控制信號源21和第二控制信號源22提供高電位的控制信號，第三控制信號源23提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管D16、D17和D18打開，串聯(lián)的薄膜晶體管D22、D23和D24打開，此時，由于第二個觸控電極上生成觸控信號，第四個觸控電極上沒有生成觸控信號，所以第二個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子24上；

下一時刻，第一控制信號源21和第三控制信號源23提供高電位的控制信號，第二控制信號源提22供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管D25、D26和D27打開，串聯(lián)的薄膜晶體管D31、D32和D33打開，此時，由于第五個觸控電極上生成觸控信號，第七個觸控電極上沒有生成觸控信號，所以第五個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子24上；

下一時刻，第一控制信號源21提供高電位的控制信號，第二控制信號源22和第三控制信號源23提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管D28、D29和D30打開，串聯(lián)的薄膜晶體管D34、D35和D36打開，此時，由于第六個觸控電極上生成觸控信號，第八個觸控電極上沒有生成觸控信號，所以第六個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子24上；

下一時刻，第二控制信號源22和第三控制信號源23提供高電位的控制信號，第一控制信號源21提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管D37、D38和D39打開，串聯(lián)的薄膜晶體管D43、D44和D45打開，此時，由于第九個觸控電極上生成觸控信號，第十一個觸控電極上沒有生成觸控信號，所以第九個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子24上；

下一時刻，第二控制信號源22提供高電位的控制信號，第一控制信號源21和第三控制信號源23提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管D40、D41和D42打開，串聯(lián)的薄膜晶體管D46、D47和D48打開，此時，由于第十個觸控電極上生成觸控信號，第十二個觸控電極上沒有生成觸控信號，所以第十個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子24上；

下一時刻，第三控制信號源23提供高電位的控制信號，第一控制信號源21和第二控制信號源22提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管D49、D50和D51打開，串聯(lián)的薄膜晶體管D55、D56和D57打開，此時，由于第十三個觸控電極上生成觸控信號，第十五個觸控電極上沒有生成觸控信號，所以第十三個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子24上；

下一時刻，第一控制信號源21、第二控制信號源22和第三控制信號源23提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管D52、D53和D54打開，串聯(lián)的薄膜晶體管D58、D59和D60打開，此時，由于第十四個觸控電極上生成觸控信號，第十六個觸控電極上沒有生成觸控信號，所以第十四個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子24上。

然后，恒壓電源251提供0V電壓至數(shù)據(jù)線254上，防止數(shù)據(jù)線對觸控電極發(fā)出電性干擾；隨后，掃描線控制信號源252提供低電位的掃描線控制信號至薄膜晶體管D1～D6，掃描線輸入信號源253提供一定頻率、一定電壓的掃描線輸入信號經(jīng)薄膜晶體管D1～D6傳至掃描線上，由于掃描線255和觸控電極之間的電容耦合效應(yīng)，進(jìn)而觸發(fā)第三、四、七、八、十一、十二、十五、十六個觸控電極生成觸控信號。

接著，第一控制信號源21、第二控制信號源22和第三控制信號源23提供高電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管D13、D14和D15打開，串聯(lián)的薄膜晶體管D19、D20和D21打開，此時，由于第三個觸控電極上生成觸控信號，第一個觸控電極上沒有生成觸控信號，所以第三個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子24上；

下一時刻，第一控制信號源21和第二控制信號源22提供高電位的控制信號，第三控制信號源23提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管D16、D17和D18打開，串聯(lián)的薄膜晶體管D22、D23和D24打開，此時，由于第四個觸控電極上生成觸控信號，第二個觸控電極上沒有生成觸控信號，所以第四個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子24上；

下一時刻，第一控制信號源21和第三控制信號源23提供高電位的控制信號，第二控制信號源22提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管D25、D26和D27打開，串聯(lián)的薄膜晶體管D31、D32和D33打開，此時，由于第七個觸控電極上生成觸控信號，第五個觸控電極上沒有生成觸控信號，所以第七個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子24上；

下一時刻，第一控制信號源21提供高電位的控制信號，第二控制信號源22和第三控制信號源23提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管D28、D29和D30打開，串聯(lián)的薄膜晶體管D34、D35和D36打開，此時，由于第八個觸控電極上生成觸控信號，第六個觸控電極上沒有生成觸控信號，所以第八個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子24上；

下一時刻，第二控制信號源22和第三控制信號源23提供高電位的控制信號，第一控制信號源21提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管D37、D38和D39打開，串聯(lián)的薄膜晶體管D43、D44和D45打開，此時，由于第十一個觸控電極上生成觸控信號，第九個觸控電極上沒有生成觸控信號，所以第十一個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子24上；

下一時刻，第二控制信號源22提供高電位的控制信號，第一控制信號源21和第三控制信號源23提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管D40、D41和D42打開，串聯(lián)的薄膜晶體管D46、D47和D48打開，此時，由于第十二個觸控電極上生成觸控信號，第十個觸控電極上沒有生成觸控信號，所以第十二個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子24上；

下一時刻，第三控制信號源23提供高電位的控制信號，第一控制信號源21和第二控制信號源22提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管D49、D50和D51打開，串聯(lián)的薄膜晶體管D55、D56和D57打開，此時，由于第十五個觸控電極上生成觸控信號，第十三個觸控電極上沒有生成觸控信號，所以第十五個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子24上；

下一時刻，第一控制信號源21、第二控制信號源22和第三控制信號源23提供低電位的控制信號，串聯(lián)的薄膜晶體管D52、D53和D54打開，串聯(lián)的薄膜晶體管D58、D59和D60打開，此時，由于第十六個觸控電極上生成觸控信號，第十四個觸控電極上沒有生成觸控信號，所以第十六個觸控電極上的觸控信號輸出至觸控信號采集端子24上。

最后，將采集到的觸控信號進(jìn)行對比，若采集到的所有觸控信號的波形一致，則此觸摸屏為良品；若某個觸控信號跟其他觸控信號的波形差異較大，則可推斷出此觸控電極出現(xiàn)了短路、開路。

本優(yōu)選實施例的內(nèi)嵌式觸控測試電路通過電容耦合模塊25觸發(fā)觸控電極生成觸控信號，并通過開關(guān)模塊20逐個采集每個觸控電極生成的觸控信號，將采集到的觸控信號進(jìn)行對比，從而完成觸摸屏的觸屏功能測試，避免造成芯片和排線等物料的浪費(fèi)，提高了生產(chǎn)效率。

綜上，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，但上述優(yōu)選實施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。