本發(fā)明涉及波分復(fù)用，且特別是涉及與微型反射鏡結(jié)合使用的透鏡陣列，以實(shí)現(xiàn)具有良好錯(cuò)位容差的低光學(xué)損耗結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

在光學(xué)系統(tǒng)中提高總數(shù)據(jù)速率的一種選擇是使用波分復(fù)用(WDM)，以在單一波導(dǎo)芯中傳輸多個(gè)信號(hào)通道。這增加了通道密度，允許采用相同數(shù)量的纖維芯傳送實(shí)質(zhì)上更多的信息。

近來的努力已經(jīng)集中在具有光電芯片陣列(垂直腔面發(fā)射激光(VCSEL)和光電二極管)的結(jié)合聚合物(integrating polymer)波導(dǎo)上，以提高光學(xué)傳輸系統(tǒng)的帶寬密度。正在開發(fā)高容量的低成本制造技術(shù)。

然而，用傳統(tǒng)的制造方法實(shí)現(xiàn)WDM存在挑戰(zhàn)。典型地，采用全內(nèi)反射原理或金金屬涂層的微型反射鏡用于將來自VCSEL的光耦合到波導(dǎo)芯中，且從波導(dǎo)芯到光電二極管。然而，這些微型反射鏡在相關(guān)光譜范圍內(nèi)沒有波長選擇性，而不能用作具有多個(gè)波長的光信號(hào)的濾波器。因此，需要新的光學(xué)布置，以容易以低成本制造，具有低光學(xué)損耗，并且與聚合物波導(dǎo)中的高芯密度和多路復(fù)用方案兼容。則對(duì)于接收器尤為重要，其中相同芯中具有不同波長的幾個(gè)光通道需要被有效地多路分配(de-multiplex)。導(dǎo)致光學(xué)錯(cuò)位的制造誤差和不規(guī)則可能實(shí)質(zhì)上增加損耗和誤比特率，這在光學(xué)連接中是不利的。而且，為了達(dá)到高帶寬，需要具有多個(gè)小有源區(qū)域和低電容的光電二極管陣列。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

波分復(fù)用(WDM)裝置包括波導(dǎo)和設(shè)置在反射鏡之上的耦合透鏡，反射鏡形成在波導(dǎo)的傳輸路徑中。反射鏡反射從傳輸路徑出來的傳入光信號(hào)，以通過透鏡，并且將來自透鏡的光信號(hào)進(jìn)一步反射到傳輸路徑中。光學(xué)芯片設(shè)置為接近透鏡的焦距。光學(xué)芯片具有光學(xué)濾波器，光學(xué)濾波器配置為透射第一波長的光信號(hào)，且反射接收的波長在第一波長之外的光信號(hào)。

WDM系統(tǒng)包括多個(gè)WDM裝置。波導(dǎo)和設(shè)置在反射鏡之上的耦合透鏡，反射鏡形成在波導(dǎo)的傳輸路徑中。反射鏡反射從傳輸路徑出來的傳入信號(hào)，以通過透鏡，且進(jìn)一步反射來自透鏡的信號(hào)且進(jìn)入傳輸路徑。光學(xué)芯片設(shè)置為接近透鏡的焦距。光學(xué)芯片具有光學(xué)濾波器，光學(xué)濾波器配置為透射相應(yīng)波長的光信號(hào)，且反射接收的波長在相應(yīng)波長之外的光信號(hào)。

形成波分復(fù)用裝置的方法包括在波導(dǎo)的傳輸路徑中形成反射鏡。透鏡附接到反射鏡之上的波導(dǎo)。濾波器形成在光學(xué)芯片陣列上。濾波器包括多個(gè)交替的電介質(zhì)層。濾波器配置為透射接收的具有第一波長的信號(hào)，且反射接收的具有在第一波長之外的波長的信號(hào)。光學(xué)芯片陣列設(shè)置在透鏡的焦距處。

這些和其它特征和優(yōu)點(diǎn)從下面對(duì)其說明性實(shí)施例的詳細(xì)描述將變得顯而易見，說明性實(shí)施例的詳細(xì)描述應(yīng)結(jié)合附圖來閱讀。

附圖說明

本公開將參考附圖對(duì)優(yōu)選實(shí)施例提供下述詳細(xì)的描述，附圖中：

圖1是根據(jù)本原理的波分復(fù)用(WDM)系統(tǒng)的示意圖；

圖2是根據(jù)本原理的經(jīng)由透鏡和反射鏡連接到光波導(dǎo)的光學(xué)芯片和濾波器的示意圖；

圖3是根據(jù)本原理的經(jīng)由透鏡和反射鏡連接到光波導(dǎo)的光學(xué)芯片和濾波器的示意圖；

圖4是根據(jù)本原理的經(jīng)由透鏡和反射鏡連接到光波導(dǎo)的光學(xué)芯片的示意圖；

圖5是根據(jù)本原理的通過各自的透鏡和反射鏡連接到光波導(dǎo)的系列光學(xué)芯片的示意圖；

圖6是根據(jù)本原理的通過透鏡和反射鏡連接到光波導(dǎo)的光學(xué)芯片和濾波器的示意圖；

圖7是根據(jù)本原理的聚合物波導(dǎo)層結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖8是根據(jù)本原理的芯片載體層的示意圖；

圖9是根據(jù)本原理的裝配的WDM系統(tǒng)的示意圖；以及

圖10是根據(jù)本原理制造WDM系統(tǒng)的方法的框圖/流程圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的實(shí)施例在雙微型反射鏡之上設(shè)置雙通透鏡陣列，該雙微型反射鏡在波導(dǎo)芯陣列的路徑中。在具有多路分配能力的接收器的情況下，透鏡陣列用于對(duì)由微型反射鏡的一側(cè)反射且從波導(dǎo)平面出來的光束給予微小的傾角，且在布拉格電介質(zhì)濾波器上以接近法向的角度聚焦光束，布拉格電介質(zhì)濾波器沉積在光電二極管芯片陣列上。波長中的一個(gè)通過濾波器，且傳輸?shù)焦怆姸O管陣列的有源區(qū)域，而其它的波長反射回透鏡陣列上，其用于在由微型反射鏡的第二側(cè)反射后將傳入的信號(hào)傳輸回到波導(dǎo)芯中。

相同的原理應(yīng)用于具有采用發(fā)射不同波長的光的VCSEL陣列的多路復(fù)用功能的發(fā)射器，光以相反的方向進(jìn)入，并且?guī)讉€(gè)波長添加到每個(gè)芯中。對(duì)于每個(gè)通道，雙通透鏡陣列用于將光校準(zhǔn)(collimate)且聚焦在電介質(zhì)濾波器上，通過將其重新對(duì)焦將反射的光傳輸回到波導(dǎo)芯中，并且提高總的錯(cuò)位容差。

現(xiàn)在參考附圖，其中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的元件，從圖1開始，其示出了WDM裝置100。WDM裝置100可構(gòu)建在有機(jī)載體基板上，并且包括發(fā)送和接收電信號(hào)的處理器101。為了與裝置100外通信，處理器101采用傳輸路徑110和接收路徑112，其將來自處理器101的電信號(hào)轉(zhuǎn)換成在芯片外發(fā)送的光信號(hào)。對(duì)于傳輸路徑110和接收路徑112，例如，可采用聚合物波導(dǎo)，以引導(dǎo)光信號(hào)從其原點(diǎn)到其目的地。每個(gè)通道可包括多個(gè)波導(dǎo)芯，每個(gè)波導(dǎo)芯攜載不同波長的多個(gè)信號(hào)。

在此特定示例中，傳輸路徑110包括一套四個(gè)激光二極管驅(qū)動(dòng)器陣列102，其與四個(gè)相應(yīng)的垂直腔面發(fā)射激光(VCSEL)陣列104配對(duì)，每一個(gè)發(fā)射不同波長的光。激光二極管驅(qū)動(dòng)器陣列102中的每個(gè)驅(qū)動(dòng)器從處理器101接收電信號(hào)且驅(qū)動(dòng)VCSEL陣列104中的VCSEL，以將電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)，其耦合到傳輸路徑110的波導(dǎo)芯中。在接收路徑112上，光探測器陣列108和跨阻抗放大器陣列106將接收的光信號(hào)轉(zhuǎn)換成由處理器101接收的電信號(hào)。傳輸路徑110和接收路徑112可各自耦合到光纖陣列，以攜載信號(hào)到另一個(gè)板。

實(shí)現(xiàn)這樣的設(shè)計(jì)需要某種波長選擇性。特別地，沿著傳輸路徑110，需要將來自VCSEL陣列104₂、104₃和104₄的光耦合到波導(dǎo)芯中，而傳輸來自陣列104₁、104₂和104₃的光。類似地，在接收路徑112上，光探測器陣列108應(yīng)檢測來自波導(dǎo)的單一波長，而其它波長的光在波導(dǎo)芯內(nèi)傳輸。

為此，本實(shí)施例采用位于VCSEL陣列104和光電探測器陣列108的有源區(qū)域上的布拉格濾波器。布拉格濾波器對(duì)單一波長是透明的，而對(duì)其它的波長是反射的。然而，由于從波導(dǎo)芯出來的光束具有發(fā)散角，需要一些光學(xué)元件，以將光聚焦在濾波器上以及在波導(dǎo)芯上，以具有低光學(xué)損耗。該設(shè)計(jì)也需要容許光路中部件的可能的錯(cuò)位。特別是在用在陣列108中的光電二極管的情況下，二極管的有源區(qū)域直徑是小的，以最大化帶寬，并且光被緊密地聚焦在正確位置處施重要的，以避免信號(hào)損耗。

現(xiàn)在參考圖2，其示出了波分復(fù)用(WDM)接收器200的一部分。波導(dǎo)芯202和覆層204由例如具有不同折射率的聚合物材料制成。光束206傳播在波導(dǎo)芯202中且包括幾個(gè)波長λ₁、λ₂、λ₃和λ₄。光束206入射在微型反射鏡216的一側(cè)之上，其改變了從波導(dǎo)芯202的路徑出來的光束206的方向。微型反射鏡216可為例如45度氣隙，其由全內(nèi)反射原理操作。在此實(shí)施例中，反射鏡可采用切割鋸或通過激光燒蝕形成。反射鏡216可用金屬或其它反射層涂覆，從而使用了全內(nèi)反射之外的原理。

反射的光束通過波導(dǎo)覆層204，且通過設(shè)置在反射鏡216之上的透鏡214。透鏡214可由任何適當(dāng)?shù)牟牧现瞥桑ɡ绮ＡЩ蚩深愃朴诓▽?dǎo)覆層204的聚合物。透鏡214將光束216聚焦在光電裝置212上。在如所示的接收器的情況下，光電裝置212是檢測器，例如光電二極管。光束206入射在濾波器層208上，濾波器層208覆蓋檢測器200的有源區(qū)域210。濾波器層208可為例如布拉格濾波器，其允許單一波長(例如，λ₁)的通過，且反射光束206的其它波長。透鏡214配置為以接近法向的角度引導(dǎo)光束206到濾波器層208。接近法向的角度降低了使用布拉格濾波器時(shí)濾波器層208的偏振相關(guān)性，且提高了其效率?？刹捎美?D打印或采用例如模具的其它商業(yè)技術(shù)來制造微型透鏡陣列。微型透鏡陣列可用適當(dāng)?shù)耐该髡澈蟿┕潭ㄔ诓▽?dǎo)覆層204上。可使用專門的鑷子和可機(jī)械化的定位機(jī)構(gòu)，將透鏡214設(shè)置在波導(dǎo)覆層204上。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可存在于結(jié)構(gòu)表面上，以便精確對(duì)準(zhǔn)。

具有波長λ₂、λ₃和λ₄的反射的光信號(hào)二次通過透鏡214和波導(dǎo)覆層204a，且然后在再次進(jìn)入波導(dǎo)芯202前，由微型反射鏡216的后一半反射。

透鏡214的頂部和濾波器層208之間的距離在本文中用h表示，并且光束206從法向的角度偏移用θ表示。在光束206通過透鏡214前，其具有波導(dǎo)芯202內(nèi)的初始寬度w。

在一個(gè)具體實(shí)施例中，反射鏡206可具有例如50μm的高度和例如100μm的寬度，其每一側(cè)具有面，面對(duì)光束206的傳播方向成45度角。在此實(shí)施例中，透鏡214具有120.7μm的半徑和217μm的焦距。特別期待的是透鏡214可具有光束206兩倍大的尺寸。波導(dǎo)覆層204和透鏡214二者都具有1.537的折射率，而波導(dǎo)芯202具有1.555的折射率。通常，透鏡214可為球形或非球形，并且可具有約150μm至約200μm的底部直徑、約40-50μm的中心厚度、以及約100μm至約200μm的焦距。波導(dǎo)芯202可具有約30μm至約50μm的厚度，而波導(dǎo)覆層可具有約20μm至約50μm的頂部厚度和底部厚度。

在一個(gè)具體實(shí)施例中，濾波器層208由9個(gè)周期的層疊周期結(jié)構(gòu)形成。此實(shí)施例中的濾波器層208具有交替電介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)，其中第一電介質(zhì)層是二氧化硅(具有示例性的1.46的折射率)，并且第二電介質(zhì)層是二氧化鈦(具有示例性的2.4的折射率)。

現(xiàn)在參考圖3，示出了多路分配器300的可替代的實(shí)施例，其可潛在地降低像差和光學(xué)損耗。在此實(shí)施例中，不采用軸向?qū)ΨQ的透鏡，而是采用具有平面對(duì)稱性的透鏡302。如所示，平面對(duì)稱的透鏡302可形成為由兩個(gè)重疊的較小透鏡形成的形狀，但是應(yīng)理解，可采用任何適當(dāng)?shù)男螤顏斫档蛽p耗。

圖3還示出了反射鏡304，反射鏡304具有小于45度的斜坡。在此情況下，反射鏡304引導(dǎo)光束206朝著布拉格濾波器208，并且透鏡302聚焦光束206。反射的光束206然后通過平面對(duì)稱透鏡302的相對(duì)的一半，并且反射離開反射鏡304，返回到波導(dǎo)芯202。根據(jù)波導(dǎo)的折射率分布和光空間和角功率分布，此配置也可導(dǎo)致在檢測器有源區(qū)域上的較小的斑點(diǎn)尺寸和較高的錯(cuò)位容差。

現(xiàn)在參考圖4，其示出了WDM發(fā)射器400的一部分。發(fā)射極408設(shè)置在透鏡214和反射鏡216之上。包括一個(gè)或多個(gè)波長(在此情況下，λ₁、λ₂和λ₃)的光束406由反射鏡216反射，通過透鏡214，并且由在波長λ₄是透明的濾波器404再次反射。發(fā)射極408包括有源區(qū)域402，有源區(qū)域402可與濾波器404重疊或不重疊。特別期待的是發(fā)射器是高速VCSEL，其具有發(fā)射波長λ₄的光束410的有源區(qū)域402。光束410以法向入射發(fā)射，且設(shè)置為僅由反射鏡216的第二側(cè)反射。它通過透鏡214且反射進(jìn)入到波導(dǎo)芯202的路徑中。透鏡214在新光束410的路徑上具有最小化的影響，因?yàn)樗怪庇诓▽?dǎo)平面發(fā)射。

現(xiàn)在參考圖5，包括四個(gè)檢測器的系列結(jié)構(gòu)200的完整的多路分配器系統(tǒng)示出在波導(dǎo)500上。在一個(gè)具體實(shí)施例中，波導(dǎo)芯可傳播具有隨機(jī)極化和四種波長(850nm、940nm、1010nm和1060nm)的光束。伴隨著此示例，對(duì)于具有在濾波器208上的約10度的入射角的光，第一檢測器200₁可具有對(duì)范圍為850nm至1010nm的高反射率和在1060nm的高透射率。第二接收器200₂則可具有850nm至980nm的高反射率和在1010nm的高透射率，1060nm波長的光不再在波導(dǎo)芯202中。第三濾波器200₃則可具有850nm至950nm的高反射率和在980nm的高透射率，而第四接收器502可完全沒有濾波器。第四接收器502不需要波長選擇性，因?yàn)樾局袃H剩一個(gè)波長。在一個(gè)實(shí)施例中，類似的結(jié)構(gòu)用于多路復(fù)用器系統(tǒng)中，采用分別在850、980、1010和1060nm運(yùn)行的四個(gè)發(fā)射器400。

現(xiàn)在參考圖6，不可避免的是在該結(jié)構(gòu)的制造和裝配期間，將發(fā)生一些錯(cuò)位誤差。特別是，從透鏡到濾波器的距離將具有誤差Δh，并且光電二極管-濾波器組裝件602將具有角錯(cuò)位誤差α。雙通透鏡214的一個(gè)作用是提高了對(duì)該錯(cuò)位的容差，從而實(shí)現(xiàn)了全波長上的整體低損耗。檢測光斑的總面積應(yīng)小于光電二極管的有源區(qū)域，且完全包含在光電二極管的有源區(qū)域內(nèi)。而且，在由濾波器反射后，波導(dǎo)輸出處的圖像在波導(dǎo)輸入上重現(xiàn)。在上面圖2和5中描述的具體實(shí)施例中，光束傳播計(jì)算顯示，對(duì)于通過接收器200₁、200₂和200₃中的濾波器的多個(gè)反射光學(xué)路徑后，到達(dá)接收器502中的最后的光電二極管的基本模式激發(fā)輸入，+/-0.5度或更低的角誤差α以及+/-5μm的位置誤差Δh將導(dǎo)致1至4dB范圍的功率損耗損失，這對(duì)于具有典型總功率預(yù)算10至12dB的光學(xué)連接是可接受的。

應(yīng)理解，本發(fā)明將根據(jù)給定的具有有機(jī)載體基板的說明性架構(gòu)來描述；然而，其它的架構(gòu)、結(jié)構(gòu)、基板材料以及工藝特征和步驟可在本發(fā)明的范圍內(nèi)變化。

還應(yīng)理解，在諸如層、區(qū)域或基板的一個(gè)元件稱為在另一個(gè)元件“上”或“之上”時(shí)，它可直接在另一個(gè)元件上，或可存在介于中間的元件。相反，在一個(gè)元件稱為“直接”在另一個(gè)元件“上”或“之上”時(shí)，沒有介于中間的元件存在。還應(yīng)理解，在一個(gè)元件稱為“連接”或“耦合”到另一個(gè)元件時(shí)，它可直接連接或耦合到另一個(gè)元件，或者可存在介于中間的元件。相反，在一個(gè)元件稱為“直接連接”或“直接耦合”到另一個(gè)元件時(shí)，沒有介于中間的元件存在。

可在圖形計(jì)算機(jī)程序語言中生成集成電路芯片的設(shè)計(jì)，并且存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)(例如盤、帶、物理硬盤或諸如存儲(chǔ)存取網(wǎng)絡(luò)中的虛擬硬盤)中。如果設(shè)計(jì)者不制造芯片或者用于制造芯片的光刻掩模，設(shè)計(jì)者可能通過物理手段(例如，通過提供存儲(chǔ)該設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)介質(zhì)的副本)或電子手段(例如，通過互聯(lián)網(wǎng))直接或間接地將產(chǎn)生的設(shè)計(jì)傳輸?shù)竭@樣的實(shí)體。存儲(chǔ)的設(shè)計(jì)然后轉(zhuǎn)換成適當(dāng)?shù)母袷?例如，GDSII)用于光刻掩模的制造，這典型地包括所討論的將要形成在晶片上的芯片設(shè)計(jì)的多個(gè)副本。光刻掩模用于限定將要蝕刻的或進(jìn)行其它加工的晶片(和/或其上的層)的區(qū)域。

本文描述的方法可用在集成電路芯片的制造中。產(chǎn)生的集成電路芯片可由制造者以作為裸芯的原料晶片形式(即作為具有多個(gè)未封裝芯片的單一晶片)分配，或者以封裝的形式分配。在后者的情況下，芯片安裝在單芯片封裝體(例如塑料載體，用引線固定到母板或其它較高級(jí)載體)中，或安裝在多芯片封裝體(例如陶瓷載體，其具有表面互連或埋設(shè)互連的任何一個(gè)或二者)中。在任意情況下，芯片然后與其它芯片、離散電路元件和/或其它信號(hào)處理裝置集成，作為下述任何一個(gè)的部分：(a)中間產(chǎn)品，例如母板，或者(b)最終產(chǎn)品。最終產(chǎn)品可為包括集成電路芯片的任何產(chǎn)品，范圍為從玩具和其它低端應(yīng)用到具有顯示器、鍵盤或其它輸入裝置及中央處理器的先進(jìn)計(jì)算機(jī)產(chǎn)品。

說明書中參考的本原理的“一個(gè)實(shí)施例”或“實(shí)施例”及其其它變化是指結(jié)合該實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)等包括在本原理的至少一個(gè)實(shí)施例中。因此，呈現(xiàn)在全部說明書中不同地方的詞語“在一個(gè)實(shí)施例中”或“在實(shí)施例中”以及任何其它變化的出現(xiàn)不是必須全部涉及相同的實(shí)施例。

應(yīng)理解，下面“/”、“和/或”以及“至少一個(gè)”的任何一個(gè)的使用，例如在“A/B”、“A和/或B”以及“A和B的至少一個(gè)”的情況下，是指包括僅第一所列選項(xiàng)(A)的選擇或僅第二所列選項(xiàng)(B)的選擇或者選項(xiàng)(A和B)二者的選擇。作為進(jìn)一步示例，在“A、B和/或C”和“A、B和C的至少一個(gè)”的情況下，這樣的詞語是指包括僅第一所列選項(xiàng)(A)的選擇，或僅第二所列選項(xiàng)(B)的選擇，或僅第三所列選項(xiàng)(C)的選擇，或僅第一和第二所列選項(xiàng)(A和B)的選擇，或僅第一和第三所列選項(xiàng)(A和C)的選擇，或僅第二和第三所列選項(xiàng)(B和C)的選擇，或所有三個(gè)選項(xiàng)(A和B和C)的選擇。多于很多所列的選項(xiàng)這可延伸，如本領(lǐng)域或相關(guān)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所容易理解的。

現(xiàn)在參考圖7，聚合物波導(dǎo)結(jié)構(gòu)702示出為具有若干平方厘米的示例性區(qū)域，其具有兩個(gè)多通道芯的陣列704₁和704₂，分別用于發(fā)射器和接收器部分。凹槽706由結(jié)構(gòu)的背面制作，以形成雙側(cè)微型反射鏡200。透鏡708設(shè)置在每個(gè)凹槽706與波導(dǎo)704相交處之上。聚合物波導(dǎo)結(jié)構(gòu)702具有例如約10mm乘約25mm的示例性尺寸。

現(xiàn)在參考圖8，其示出了芯片載體802。芯片載體802具有約10mm乘約20mm的示例性尺寸，并且可由例如硅或其它適當(dāng)?shù)碾娐钒宀牧闲纬桑娐钒宀牧暇哂屑s為透鏡708的焦距的示例性厚度。孔804形成為使其直徑略大于透鏡708，并且為電接觸形成通孔808。通過例如蒸鍍金或其它導(dǎo)體在芯片載體802上形成表面接觸806，以形成導(dǎo)電墊。

現(xiàn)在參考圖9，芯片載體802固定在聚合物波導(dǎo)結(jié)構(gòu)702的頂部上。使用倒裝芯片接合將芯片902和904電連接到與適當(dāng)?shù)碾娊佑|相接觸的芯片載體802上。整個(gè)結(jié)構(gòu)然后可固定到基板，并且通孔808可用于連接芯片902/904到其它電結(jié)構(gòu)。

現(xiàn)在參考圖10，示出了形成完整WDM系統(tǒng)100的方法。區(qū)塊1002在光學(xué)芯片陣列212的有源區(qū)域之上形成濾波器208?？赏ㄟ^例如蒸鍍二氧化鈦和二氧化硅的交替層，以產(chǎn)生在使用中具有在一個(gè)特定的波長處的高透射率和在其它波長上的高反射率的濾波器，來形成濾波器208。區(qū)塊1004采用任意適當(dāng)?shù)募夹g(shù)制造聚合物波導(dǎo)702，包括在聚合物波導(dǎo)702中形成波導(dǎo)芯206。區(qū)塊1006在聚合物波導(dǎo)結(jié)構(gòu)702中形成垂直于波導(dǎo)704長度的反射鏡706。這可采用例如45度切割鋸片實(shí)現(xiàn)，以產(chǎn)生通過全內(nèi)反射運(yùn)行的反射鏡。區(qū)塊1008將透鏡陣列708固定在反射鏡706之上。

區(qū)塊1010制造如上所述的芯片載體802，具有孔804，孔804對(duì)準(zhǔn)并且尺寸化為容納透鏡陣列708以及電接觸806和通孔808。區(qū)塊1012將芯片載體802固定到波導(dǎo)層702。區(qū)塊1014然后將光學(xué)芯片902/904固定到芯片載體802，用適當(dāng)?shù)慕佑|806和通孔808提供電連接。

已經(jīng)描述了用于具有高密度光學(xué)互連模塊的波分復(fù)用的光學(xué)部件優(yōu)選實(shí)施例(其旨在為說明性的而不是限制性的)，應(yīng)注意，根據(jù)上面的教導(dǎo)本領(lǐng)域的技術(shù)人員可進(jìn)行修改和變化。因此，應(yīng)理解，公開的特定實(shí)施例可進(jìn)行變化，其落入如所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的范圍內(nèi)。因此，已經(jīng)連同專利法要求的細(xì)節(jié)和特性，描述了本發(fā)明的方面，在所附的權(quán)利要求中提出了所要求的和希望由專利證書保護(hù)的內(nèi)容。