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半導(dǎo)電性輥及其制造方法與流程

文檔序號(hào):12716340閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種半導(dǎo)電性輥,其至少由半導(dǎo)電性橡膠組合物構(gòu)成,在外周面上設(shè)置有多個(gè)凹部,所述多個(gè)凹部在所述外周面的周向和軸向中的至少一方的至少一部分相互重合。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)電性輥,其中,所述各凹部的深度為0.5μm以上100μm以下。

3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)電性輥,其中,體積參數(shù)曲線即負(fù)荷曲線中,負(fù)荷面積率超過(guò)10%的區(qū)域?yàn)樗霭疾浚鲐?fù)荷面積率為10%以下的區(qū)域?yàn)橥共俊?/p>

4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)電性輥,其中,所述外周面的最大高度Sz為0.5μm以上30μm以下,且界面的展開(kāi)面積比Sdr為5以下。

5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)電性輥,其中,所述多個(gè)凹部在所述周向和軸向上分別成列設(shè)置。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)電性輥,其中,所述多個(gè)凹部中的至少一部分形成為其長(zhǎng)度跨占所述周向或軸向的2列以上。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)電性輥,其中,所述各凹部的深度為0.5μm以上50μm以下、寬度為100μm以下,且所述外周面的界面的展開(kāi)面積比Sdr為5以下。

8.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)電性輥,其中,相鄰的所述凹部之間以連續(xù)的曲面連接。

9.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)電性輥,其中,其由半導(dǎo)電性橡膠組合物的非多孔質(zhì)單層筒狀體構(gòu)成,在其外周面上直接設(shè)置有所述多個(gè)凹部。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)電性輥,其中,在所述外周面上具備氧化膜。

11.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)電性輥,其中,其具備內(nèi)層和設(shè)置在所述內(nèi)層的外周的外層,所述內(nèi)層為由半導(dǎo)電性橡膠組合物的多孔質(zhì)體構(gòu)成的筒狀的內(nèi)層,所述外層為由具有半導(dǎo)電性的熱塑性彈性體無(wú)縫管構(gòu)成的外層;所述半導(dǎo)電性輥整體的AskerC型硬度為30°以上60°以下,同時(shí)在所述外層的外周面上設(shè)置有所述多個(gè)凹部。

12.一種半導(dǎo)電性輥的制造方法,其為所述權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)電性輥的制造方法,該制造方法包括利用激光加工在所述半導(dǎo)電性輥的所述外周面上形成所述多個(gè)凹部的工序,所形成的所述多個(gè)凹部在所述外周面的周向和軸向中的至少一方的至少一部分中相互重合。

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)電性輥的制造方法,其中,在所述周向和軸向上分別成列地形成所述多個(gè)凹部,并且所述多個(gè)凹部中的至少一部分形成為長(zhǎng)度跨占所述周向或軸向的2列以上。

14.一種半導(dǎo)電性輥的制造方法,其為所述權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)電性輥的制造方法,該制造方法包括在成為所述外層的原料的所述管內(nèi)壓入內(nèi)層的工序,所述管為厚度T為100μm以上400μm以下的管,所述內(nèi)層的外徑D1大于所述管的內(nèi)徑D2,且所述外徑D1與所述內(nèi)徑D2之差D1-D2所表示的過(guò)盈量為100μm以上400μm以下。

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