1.一種圖案處理方法，包含：
(a)提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底在其表面上包含圖案化特征；
(b)將圖案處理組合物涂覆到所述圖案化特征上，其中所述圖案處理組合物包含聚合物，所述聚合物包含用于與所述圖案化特征的表面形成鍵的表面附著基團(tuán)，及溶劑，并且其中所述圖案處理組合物不含交聯(lián)劑；
(c)用第一沖洗劑自所述襯底去除殘余圖案處理組合物，留下在所述圖案化特征的所述表面上方并且結(jié)合到所述圖案化特征的所述表面的所述聚合物的涂層；及
(d)用與所述第一沖洗劑不同的第二沖洗劑沖洗所述經(jīng)聚合物涂布的圖案化特征，其中所述聚合物在所述第一沖洗劑中的溶解性比在所述第二沖洗劑中大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案處理方法，其中所述聚合物為嵌段共聚物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的圖案處理方法，其中所述圖案化特征為光致抗蝕劑圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖案處理方法，其中所述光致抗蝕劑圖案通過(guò)負(fù)型顯影方法形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一權(quán)利要求所述的圖案處理方法，其中所述第一沖洗劑包含有機(jī)溶劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一權(quán)利要求所述的圖案處理方法，其中所述第一沖洗劑為水或水溶液。
7.根據(jù)權(quán)利要求1到6中任一權(quán)利要求所述的圖案處理方法，其中所述第二沖洗劑包含有機(jī)溶劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求1到7中任一權(quán)利要求所述的圖案處理方法，其中第一聚合物離子結(jié)合或氫結(jié)合到所述圖案化特征。
9.根據(jù)權(quán)利要求1到8中任一權(quán)利要求所述的圖案處理方法，其中相對(duì)于在用所述第二沖洗劑沖洗之前所述經(jīng)聚合物涂布的圖案化特征的基腳，在用所述第二沖洗劑沖洗之后所述經(jīng)聚合物涂布的圖案化特征的基腳減少。
10.根據(jù)權(quán)利要求1到9中任一權(quán)利要求所述的圖案處理方法，其中所述圖案處理組合物聚合物不可溶于所述第二沖洗劑中。